一种太阳能电池正面电极结构

    公开(公告)号:CN208093566U

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201820395067.3

    申请日:2018-03-22

    Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能电池正面电极结构,包括多个副栅线结构和与副栅线结构电连接的细栅线,每个副栅线结构包括导电的正方形边框和由正方形边框中心向边框处发射的多条副栅线,多条副栅线的一端在正方形边框的中心处汇集形成一发散点,另一端与多边形边框内壁连接,其中,多条副栅线均为圆弧,且依次间隔旋转设置;其中,所有的副栅线结构在行方向和列方向上分别阵列设置,形成相连的多行多列的矩阵结构,其中,细栅线设有多条,一条细栅线连接一列副栅线结构的所有发散点。本实用新型太阳能电池正面电极结构,解决由于焊接异常引起的光伏组件功率降低的问题。

    一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板

    公开(公告)号:CN207572391U

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201721583334.1

    申请日:2017-11-23

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板,包括:底座和盖板。所述底座包括容置凹槽,所述容置凹槽用于容置HIBC电池中待沉积异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上,所述盖板上设置有露出所述容置凹槽的开口,开口上设置有多个间隔排列的遮挡件,遮挡件将开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备P区时,遮挡区用于遮挡P区和所述N区的间隔区域以及N区;在制备N区时,遮挡区用于遮挡P区和N区的间隔区域以及P区。所述掩膜板可避免对其他工序生成的非晶硅层的特性产生影响,起到保护已生成的非晶硅层的作用;而且所述掩膜板结构简易,操作难度低,有利于提高生产效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种太阳能电池正面电极结构

    公开(公告)号:CN208093567U

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201820395775.7

    申请日:2018-03-22

    Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能电池正面电极结构,包括多个副栅线结构和与副栅线结构电连接的细栅线,每个副栅线结构包括导电的正方形边框和由正方形边框中心向边框处发射的多条副栅线,多条副栅线的一端在正方形边框的中心处汇集形成一发散点,另一端与多边形边框内壁连接,其中,所有的副栅线结构在行方向和列方向上均阵列设置,形成相连的多行多列的矩阵结构,其中,细栅线设有多条,一条细栅线连接一列副栅线结构的所有发散点。本实用新型太阳能电池正面电极结构,电池正面电极结构,不仅增大了焊接面积,降低了焊接难度,避免了焊带与副栅线接触点过小导致的焊接异常,提高了光伏组件功率,而且总体上遮光面积更小,实现了效率的提升。

    一种HIBC电池
    57.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207116442U

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:CN201720879107.7

    申请日:2017-07-19

    Abstract: 本实用新型公开了一种HIBC电池,所述HIBC电池包括硅衬底、电极和依次设置在所述硅衬底的背表面上的第一本征非晶硅层以及掺杂非晶硅层,所述电极与所述掺杂非晶硅层连接,所述硅衬底与所述第一本征非晶硅层之间设置有氢化非晶氧化硅层。本实用新型通过在所述HIBC电池的硅衬底与第一本征非晶硅层之间设置上述氢化非晶氧化硅层,提高了所述HIBC电池的界面钝化效果,遏制了由于引入本征非晶硅层造成的所述HIBC电池的串联电阻增大以及填充因子降低,提高了所述HIBC电池的光电转换效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种分离装置
    60.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208513021U

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201820476880.3

    申请日:2018-04-04

    Abstract: 本实用新型公开了一种分离装置,用于分离粉碎并筛分后的光伏组件的混合颗粒,包括具有一敞口端的收集箱、设于收集箱敞口端的鼓风装置及设于鼓风装置上端的储料斗,鼓风装置用于朝设有收集箱的方向产生气流,使得储料斗中的混合颗粒下落过程中经鼓风装置的气流被分离落在收集箱内的不同位置。本实用新型的分离装置,本实用新型的分离装置,其结构简单易操作,可以使粉碎后的光伏组件中的主要材料都得到有效分离,解决了物理分离法中粉体难回收的技术难题,有效提高光伏组件的回收率,且能耗低还不造成环境的二次污染。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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