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公开(公告)号：CN112133794A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011086603.X
申请日：2020-10-12
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：在P型硅基底的背面上进行硼掺杂后，在背面上形成保护层；去除P型硅基底的正面和侧面上形成的非必要掺杂区后，在背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层；在P型硅基底的正面上进行磷掺杂；去除隔离层和保护层；在正面上形成正面电极；在背面上形成背面电极。本发明公开了一种太阳能电池。本发明解决了现有技术的形成铝背场区时的高温引起硅基底的表面上出现裂痕的问题。
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公开(公告)号：CN112117334A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010953809.1
申请日：2020-09-11
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种选择性发射极的制备方法，包括：S01、对制绒后的N型硅片的正面进行硼扩散；S02、去除硼硅玻璃；S03、在硅片正面丝网印刷纳米硼浆，并烘干；S04、利用皮秒激光进行纳米硼浆推进，在硅片的电极区域形成选择性重掺杂；S05、去除残留的纳米硼浆。本发明采用丝网印刷纳米硼浆，并借助皮秒激光掺杂设备实现硅片的电极区域的纳米硼浆的激光推进，可以选用能量较低的皮秒激光进行推进，减少了激光推进对硅基体的损伤，也方便更好的控制推进程度，使硅片与电极接触区域达到预期的方阻值，提高了电池性能，很好地弥补了选择性发射极与P型PERC电池工艺结合的缺陷。并且，纳米硼浆通过激光熔覆后更容易同基体材料形成良好的冶金结合。
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公开(公告)号：CN112071769A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202011085040.2
申请日：2020-10-12
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了N型硅片的性能评估系统及方法，所述系统包括输送单元、第一测试单元、第二测试单元、及控制处理单元，控制处理单元用于发送第一输送信号至输送单元；输送单元用于根据第一输送信号将n个硅片样品输送至第一测试单元；第一测试单元用于测试n个硅片样品的少子寿命；控制处理单元还用于根据n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至输送单元；输送单元还用于根据第二输送信号将n个硅片样品中有效的m个硅片样品继续输送至第二测试单元；第二测试单元用于测试m个硅片样品的电阻率；控制处理单元还用于根据测试结果进一步对N型硅片性能进行评估。本发明旨在可靠的对N型硅片的性能进行评估，以此保证N型电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN108735828A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810705914.6
申请日：2018-07-02
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/076 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池，包括N型晶硅衬底，N型晶硅衬底的背光面上依次设置有第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和电极层，第一掺杂非晶硅层包括交错排布的N型掺杂区和P型掺杂区，其中，电极层和第一掺杂非晶硅层之间设有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层包括依次设置在第一掺杂非晶硅层上的第一薄膜层和第二薄膜层，第一薄膜层的功函数大于第二薄膜层的功函数，第一薄膜层的功函数不小于5eV。本发明解决了现有异质结背接触太阳能电池的TCO薄膜层的功函数较小，造成电流的损失的问题。
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公开(公告)号：CN112133792A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011085273.2
申请日：2020-10-12
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：在P型硅基底的背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层；在P型硅基底的正面上进行磷掺杂；去除隔离层；在正面上形成正面电极；在背面上形成背面电极。本发明还公开了通过上述方法来制作的太阳能电池。本发明解决了现有技术中，刻除非必要掺杂区时，碱性溶液可能会绕流到硅基底的正面，从而损坏硅基底正面的pn结的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987587A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810568820.9
申请日：2018-06-05
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种具有陷光结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，利用纳米压印工艺分别在钙钛矿太阳能电池中的减反射层和透明电极层的表面形成可达到纳米级的陷光结构，使得在所述钙钛矿太阳能电池的工作过程中，入射光线通过所述减反射层和透明电极层的陷光结构时将发生反射、折射和散射等现象，入射光线在所述钙钛矿太阳能电池中的光程增加，钙钛矿光活性层能吸收更多的光能，进而提高了所述钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，其能有效改善钙钛矿太阳能电池受制于钙钛矿光活性层的厚度较小而使得光电转换效率难以得到进一步提高的情况。
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公开(公告)号：CN112071769B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011085040.2
申请日：2020-10-12
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了N型硅片的性能评估系统及方法，所述系统包括输送单元、第一测试单元、第二测试单元、及控制处理单元，控制处理单元用于发送第一输送信号至输送单元；输送单元用于根据第一输送信号将n个硅片样品输送至第一测试单元；第一测试单元用于测试n个硅片样品的少子寿命；控制处理单元还用于根据n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至输送单元；输送单元还用于根据第二输送信号将n个硅片样品中有效的m个硅片样品继续输送至第二测试单元；第二测试单元用于测试m个硅片样品的电阻率；控制处理单元还用于根据测试结果进一步对N型硅片性能进行评估。本发明旨在可靠的对N型硅片的性能进行评估，以此保证N型电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN112201575A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010952909.2
申请日：2020-09-11
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
Inventor： 张敏
IPC: H01L21/223 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种选择性硼源掺杂方法，包括：提供一N型硅片；对N型硅片制绒处理；在N型硅片的正面对应栅电极的部位，采用丝网印刷的方式印刷纳米硼浆；将印刷有纳米硼浆的N型硅片烘干；将烘干后的N型硅片放入扩散炉，进行硼扩散处理。本发明通过采用丝网印刷纳米硼浆的方式，在栅电极对应的位置印刷一层纳米硼浆，然后进行烘干，将烘干后的N型硅片放入扩散炉，通入硼源进行硼扩，即可一步实现硼面掺杂及硼选择性掺杂。相比采用激光掺杂的方式，依据本发明的方法制备的掺杂体方阻及均匀性不再受制于磷硅玻璃或者硼硅玻璃的分布是否均匀，不仅减少了工艺节拍，而且降低了掺杂工序的工艺成本，有利于降低电池成本。
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公开(公告)号：CN112133793A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011085618.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种背结背接触太阳能电池的制作方法，包括：在N型硅基底的背面上形成第一本征硅层后，对第一本征硅层进行硼掺杂，以形成掺硼层；在掺硼层上形成第一保护层后，对第一保护层和掺硼层进行图案化而形成图案化开槽，以暴露背面的部分区域；在图案化开槽内形成第二本征硅层，使第二本征硅层与背面的部分区域进行接触；对第二本征硅层进行磷掺杂，以形成掺磷层；在掺磷层上形成第二保护层后，清洗N型硅基底的正面和侧面上的非必要掺杂区；去除第一保护层和第二保护层后，在掺硼层和掺磷层上分别形成电极。本发明还公开了一种背结背接触太阳能电池。本发明解决了刻蚀非必要掺杂区时，因清洗液绕流而损伤目标掺杂区的问题。
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公开(公告)号：CN110600561A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910812001.9
申请日：2019-08-30
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/228 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种IBC电池叉指状PN结的电池结构及其制备方法。所述电池结构依次包括：氮化硅减反射膜层、二氧化硅薄膜层一、N型单晶硅片衬底、叉指状P区和N区层、二氧化硅薄膜层二、三氧化二铝薄膜层。制备方法为：N型单晶硅片衬底背面采用印刷、皮秒激光掺杂的方式掺杂，将未印刷的区域进行磷掺杂；采用氧化的方式，生长二氧化硅薄膜；沉积本征非晶硅层；沉积氮化硅减反射薄膜；沉积三氧化二铝薄膜；开孔，将铝浆印刷在背面，构成金属电极。本发明减少了制造工序，降低了IBC电池的制造成本，并且可以实现IBC电池背面高质量PN的制备，实现IBC电池内部电流的极大输出。
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