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公开(公告)号：CN109920873B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910287804.7
申请日：2019-04-11
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司
IPC: H01L31/05 , H01L31/0475
Abstract: 本发明涉及一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，N片串联的晶体硅太阳能电池片一，N≥2，每片晶体硅太阳能电池片一用于将吸收的太阳能转化为对外输出的电能，其特征在于，还包括N片晶体硅太阳能电池片二，N片晶体硅太阳能电池片二仅作为PN结分别并联在N片晶体硅太阳能电池片一上，仅当晶体硅太阳能电池片一被遮挡时，并联在当前晶体硅太阳能电池片一上的晶体硅太阳能电池片二导通，对当前晶体硅太阳能电池片一起到旁路保护作用。本发明极大减少了现有晶体硅太阳电池组件由于阴影遮挡造成的功率损失，提升了晶体硅组件在有阴影遮挡下的发电量。
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公开(公告)号：CN108231916B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201711287837.9
申请日：2017-12-07
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/048
Abstract: 本发明公开了一种抗电势诱导衰减的光伏组件，包括依次设置的背板、第一EVA层、太阳能电池片层、第二EVA层和玻璃。所述光伏组件封装于金属边框内，所述金属边框中设置有安装槽，所述光伏组件卡接在所述安装槽中。其中，所述玻璃上设置有塑料膜层，所述塑料膜层位于所述玻璃和所述安装槽的侧壁之间。所述光伏组件利用具有高体积电阻率的塑料膜层，与所述金属边框相互隔离，有效地减少了在所述金属边框产生的电场作用下迁移至所述太阳能电池片层上的游离金属离子，由此减弱了光伏组件发生的电势诱导衰减现象，进而提高了光伏组件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112133792A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011085273.2
申请日：2020-10-12
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：在P型硅基底的背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层；在P型硅基底的正面上进行磷掺杂；去除隔离层；在正面上形成正面电极；在背面上形成背面电极。本发明还公开了通过上述方法来制作的太阳能电池。本发明解决了现有技术中，刻除非必要掺杂区时，碱性溶液可能会绕流到硅基底的正面，从而损坏硅基底正面的pn结的问题。
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公开(公告)号：CN112133793A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011085618.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种背结背接触太阳能电池的制作方法，包括：在N型硅基底的背面上形成第一本征硅层后，对第一本征硅层进行硼掺杂，以形成掺硼层；在掺硼层上形成第一保护层后，对第一保护层和掺硼层进行图案化而形成图案化开槽，以暴露背面的部分区域；在图案化开槽内形成第二本征硅层，使第二本征硅层与背面的部分区域进行接触；对第二本征硅层进行磷掺杂，以形成掺磷层；在掺磷层上形成第二保护层后，清洗N型硅基底的正面和侧面上的非必要掺杂区；去除第一保护层和第二保护层后，在掺硼层和掺磷层上分别形成电极。本发明还公开了一种背结背接触太阳能电池。本发明解决了刻蚀非必要掺杂区时，因清洗液绕流而损伤目标掺杂区的问题。
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公开(公告)号：CN110600561A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910812001.9
申请日：2019-08-30
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/228 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种IBC电池叉指状PN结的电池结构及其制备方法。所述电池结构依次包括：氮化硅减反射膜层、二氧化硅薄膜层一、N型单晶硅片衬底、叉指状P区和N区层、二氧化硅薄膜层二、三氧化二铝薄膜层。制备方法为：N型单晶硅片衬底背面采用印刷、皮秒激光掺杂的方式掺杂，将未印刷的区域进行磷掺杂；采用氧化的方式，生长二氧化硅薄膜；沉积本征非晶硅层；沉积氮化硅减反射薄膜；沉积三氧化二铝薄膜；开孔，将铝浆印刷在背面，构成金属电极。本发明减少了制造工序，降低了IBC电池的制造成本，并且可以实现IBC电池背面高质量PN的制备，实现IBC电池内部电流的极大输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107768455A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711140699.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0475
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0475
Abstract: 本发明公开了一种光伏组件的安装结构，包括：n个电池组件串，每个电池组件串包括m个依次串联的电池组件，每个电池组件串包括相互电连接且呈两排排列的第一组件子串和第二组件子串，第一组件子串和第二组件子串均包括m/2个电池组件，第一组件子串的末端设有正极端，第二组件子串的末端设有负极端；安装支架，安装支架上设有第一装配区和第二装配区，第一装配区靠近安装支架的底端，第二装配区远离安装支架的底端；第一组件子串设置于第一装配区上，第二组件子串设于第二装配区上；其中，n为大于或等于2的整数，m为大于或等于2的偶数。各个电池组件串的负极端整体位于远离安装支架底端的区域，降低了电势诱导衰减发生的概率。
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公开(公告)号：CN107768455B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201711140699.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0475
Abstract: 本发明公开了一种光伏组件的安装结构，包括：n个电池组件串，每个电池组件串包括m个依次串联的电池组件，每个电池组件串包括相互电连接且呈两排排列的第一组件子串和第二组件子串，第一组件子串和第二组件子串均包括m/2个电池组件，第一组件子串的末端设有正极端，第二组件子串的末端设有负极端；安装支架，安装支架上设有第一装配区和第二装配区，第一装配区靠近安装支架的底端，第二装配区远离安装支架的底端；第一组件子串设置于第一装配区上，第二组件子串设于第二装配区上；其中，n为大于或等于2的整数，m为大于或等于2的偶数。各个电池组件串的负极端整体位于远离安装支架底端的区域，降低了电势诱导衰减发生的概率。
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公开(公告)号：CN112133794A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011086603.X
申请日：2020-10-12
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：在P型硅基底的背面上进行硼掺杂后，在背面上形成保护层；去除P型硅基底的正面和侧面上形成的非必要掺杂区后，在背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层；在P型硅基底的正面上进行磷掺杂；去除隔离层和保护层；在正面上形成正面电极；在背面上形成背面电极。本发明公开了一种太阳能电池。本发明解决了现有技术的形成铝背场区时的高温引起硅基底的表面上出现裂痕的问题。
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公开(公告)号：CN112117334A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010953809.1
申请日：2020-09-11
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种选择性发射极的制备方法，包括：S01、对制绒后的N型硅片的正面进行硼扩散；S02、去除硼硅玻璃；S03、在硅片正面丝网印刷纳米硼浆，并烘干；S04、利用皮秒激光进行纳米硼浆推进，在硅片的电极区域形成选择性重掺杂；S05、去除残留的纳米硼浆。本发明采用丝网印刷纳米硼浆，并借助皮秒激光掺杂设备实现硅片的电极区域的纳米硼浆的激光推进，可以选用能量较低的皮秒激光进行推进，减少了激光推进对硅基体的损伤，也方便更好的控制推进程度，使硅片与电极接触区域达到预期的方阻值，提高了电池性能，很好地弥补了选择性发射极与P型PERC电池工艺结合的缺陷。并且，纳米硼浆通过激光熔覆后更容易同基体材料形成良好的冶金结合。
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公开(公告)号：CN109920873A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910287804.7
申请日：2019-04-11
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司
IPC: H01L31/05 , H01L31/0475
Abstract: 本发明涉及一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，N片串联的晶体硅太阳能电池片一，N≥2，每片晶体硅太阳能电池片一用于将吸收的太阳能转化为对外输出的电能，其特征在于，还包括N片晶体硅太阳能电池片二，N片晶体硅太阳能电池片二仅作为PN结分别并联在N片晶体硅太阳能电池片一上，仅当晶体硅太阳能电池片一被遮挡时，并联在当前晶体硅太阳能电池片一上的晶体硅太阳能电池片二导通，对当前晶体硅太阳能电池片一起到旁路保护作用。本发明极大减少了现有晶体硅太阳电池组件由于阴影遮挡造成的功率损失，提升了晶体硅组件在有阴影遮挡下的发电量。
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