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公开(公告)号：CN108735828A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810705914.6
申请日：2018-07-02
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/076 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池，包括N型晶硅衬底，N型晶硅衬底的背光面上依次设置有第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和电极层，第一掺杂非晶硅层包括交错排布的N型掺杂区和P型掺杂区，其中，电极层和第一掺杂非晶硅层之间设有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层包括依次设置在第一掺杂非晶硅层上的第一薄膜层和第二薄膜层，第一薄膜层的功函数大于第二薄膜层的功函数，第一薄膜层的功函数不小于5eV。本发明解决了现有异质结背接触太阳能电池的TCO薄膜层的功函数较小，造成电流的损失的问题。
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公开(公告)号：CN110600500A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910811811.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L27/28 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L51/42 , H01L31/18 , H01L21/228 , H01L21/268 , H01L51/48
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构，其特征在于，依次包括：钙钛矿材料吸收层、正面透明导电膜沉积层、正面钝化层、前表面场、N型单晶硅片衬底及背面钝化层，N型单晶硅片衬底与背面钝化层之间设有相互独立的背面P+掺杂层和背面N+掺杂层，两个金属电极。分别与背面P+掺杂层、背面N+掺杂层连接，且从背面钝化层表面露出。本发明采用丝网印刷纳米磷浆料或纳米硼浆料叠加激光推进的方式实现钙钛矿材料叠加背接触电池背面叉指状PN结的制备，实现叠层电池内部电流的最大输出，进一步提高背接触太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN110600561A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910812001.9
申请日：2019-08-30
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/228 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种IBC电池叉指状PN结的电池结构及其制备方法。所述电池结构依次包括：氮化硅减反射膜层、二氧化硅薄膜层一、N型单晶硅片衬底、叉指状P区和N区层、二氧化硅薄膜层二、三氧化二铝薄膜层。制备方法为：N型单晶硅片衬底背面采用印刷、皮秒激光掺杂的方式掺杂，将未印刷的区域进行磷掺杂；采用氧化的方式，生长二氧化硅薄膜；沉积本征非晶硅层；沉积氮化硅减反射薄膜；沉积三氧化二铝薄膜；开孔，将铝浆印刷在背面，构成金属电极。本发明减少了制造工序，降低了IBC电池的制造成本，并且可以实现IBC电池背面高质量PN的制备，实现IBC电池内部电流的极大输出。
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公开(公告)号：CN213172536U
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202021937649.3
申请日：2020-09-08
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于承载掩膜板的载板，包括板体，所述板体正面凹设有若干排容置腔组，每一排容置腔组均包括多个间隔设置的用于承载掩膜板的容置腔，每一所述容置腔均包括一凹槽及设于所述凹槽内并沿所述凹槽四周设置的棱台，所述棱台上表面不高出所述板体正面，所述棱台上凸设有用于与所述掩膜板上的连接孔配合的连接柱。本实用新型的用于承载掩膜板的载板可一次承载多个掩膜板，棱台上的连接柱与掩膜板的连接孔连接，使得掩膜板100可快速且精准的被放置于容置腔内，提高了沉积速度，利于工业批量化生产，提高效率，节省成本。且弹性块可在沉积完成后将容置腔内的掩膜板弹出，以便于取出掩膜板，进一步提高制作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208514756U
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201820706019.1
申请日：2018-05-09
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: B28D5/04
Abstract: 本实用新型公开了一种用于切割硅片的钢线，包括金属钢线基体、电镀金属层和若干β-SiC磨料颗粒，所述金属钢线基体外侧设置有电镀金属层，所述β-SiC磨料颗粒通过电镀金属层固定在金属钢线基体外侧。本实用新型的β-SiC磨料颗粒通过电镀金属层固定在金属钢线基体外侧，适用于太阳能硅片的切割，为降低硅片制造成本提供了一种有效的途径。
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公开(公告)号：CN213327796U
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202021934150.7
申请日：2020-09-07
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种掩膜版，用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层，异质结非晶硅层包括横向呈叉指状排列的P区和N区，其中，P区与N区之间的间隔区为G区，掩膜版包括：板体，板体上设有开口，开口上方设有多个横向间隔排列的遮挡件，多个遮挡件可相对板体横向移动，每一遮挡件包括第一遮挡件和容置于第一遮挡件内的第二遮挡件，第二遮挡件可横向伸出第一遮挡件，第一遮挡件用于遮挡N区、及与N区相邻的G区，第一遮挡件和伸出第一遮挡件的第二遮挡件共同用于遮挡P区、及与P区相邻的G区。本实用新型的掩膜版，以提升掩膜版的使用性能，简化掩膜沉积工艺过程，避免由于更换掩膜板对P层区域造成的污染。
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公开(公告)号：CN210628327U
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201921436972.X
申请日：2019-08-30
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/228 , H01L21/268
Abstract: 本实用新型公开了一种IBC电池叉指状PN结的电池结构。所述电池结构依次包括：氮化硅减反射膜层、二氧化硅薄膜层一、N型单晶硅片衬底、叉指状P区和N区层、二氧化硅薄膜层二、三氧化二铝薄膜层。本实用新型减少了制造工序，降低了IBC电池的制造成本，并且可以实现IBC电池背面高质量PN的制备，实现IBC电池内部电流的极大输出。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210628311U
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201921436971.5
申请日：2019-08-30
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L27/28 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L51/42 , H01L31/18 , H01L21/228 , H01L21/268 , H01L51/48
Abstract: 本实用新型公开了一种钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构，其特征在于，依次包括：钙钛矿材料吸收层、正面透明导电膜沉积层、正面钝化层、前表面场、N型单晶硅片衬底及背面钝化层，N型单晶硅片衬底与背面钝化层之间设有相互独立的背面P+掺杂层和背面N+掺杂层，两个金属电极分别与背面P+掺杂层、背面N+掺杂层连接，且从背面钝化层表面露出。本实用新型采用丝网印刷纳米磷浆料或纳米硼浆料叠加激光推进的方式实现钙钛矿材料叠加背接触电池背面叉指状PN结的制备，实现叠层电池内部电流的最大输出，进一步提高背接触太阳电池的光电转换效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208521944U
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201821031265.8
申请日：2018-07-02
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/076 , H01L31/20
Abstract: 本实用新型公开了一种异质结背接触太阳能电池，包括N型晶硅衬底，N型晶硅衬底的背光面上依次设置有第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和电极层，第一掺杂非晶硅层包括交错排布的N型掺杂区和P型掺杂区，其中，电极层和第一掺杂非晶硅层之间设有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层包括依次设置在第一掺杂非晶硅层上的第一薄膜层和第二薄膜层，第一薄膜层的功函数大于第二薄膜层的功函数，第一薄膜层的功函数不小于5eV。本实用新型解决了现有异质结背接触太阳能电池的TCO薄膜层的功函数较小，造成电流的损失的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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