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公开(公告)号：CN112490851B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011369851.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有器件的电流注入均匀性较差，器件串联电阻较大。本发明其特征在于，旋错上电极位于欧姆接触层上表面，旋错下电极位于衬底下表面，旋错上电极、旋错下电极的主体部分都呈圆环形，所述圆环形的几何中心与激光器轴线上一点重合；沿圆环形主体部分的外圆或者内圆等弧度间隔分布形状、数量均相同的扩展部分，旋错上电极、旋错下电极之间在所述圆环形的圆周方向上旋错二分之一所述弧度布置。本发明能够通过提高器件的电流注入均匀性和减小器件串联电阻，提高发射的涡旋空心光的光强均匀性，减少器件发热，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN106654858B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201710133270.3
申请日：2017-03-08
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有VCSEL器件膜层结构过多，阈值电流较高。本发明其特征在于，高折射率导电基底位于氧化物限制层上面；器件的一个制作步骤为：在高折射率导电基底上依次生长低折射率亚层、高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层；采用刻蚀技术将高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层的中间部分制作成双层亚波长光栅；同时采用刻蚀技术将低折射率亚层、高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层的周边部分去除，并在高折射率导电基底周边部分上表面制作p面电极。所述垂直腔面发射半导体激光器同时具有阈值电流低、工作稳定性强等特点，能够直接输出偏振光，用作光通信光源。
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公开(公告)号：CN112490851A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011369851.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有器件的电流注入均匀性较差，器件串联电阻较大。本发明其特征在于，旋错上电极位于欧姆接触层上表面，旋错下电极位于衬底下表面，旋错上电极、旋错下电极的主体部分都呈圆环形，所述圆环形的几何中心与激光器轴线上一点重合；沿圆环形主体部分的外圆或者内圆等弧度间隔分布形状、数量均相同的扩展部分，旋错上电极、旋错下电极之间在所述圆环形的圆周方向上旋错二分之一所述弧度布置。本发明能够通过提高器件的电流注入均匀性和减小器件串联电阻，提高发射的涡旋空心光的光强均匀性，减少器件发热，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN111370994A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010189149.4
申请日：2020-03-18
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 上电极中置电极对角分布垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。本发明其特征在于，中空的柱体包括两部分，一部分是内含齐顶高阻区的圆环柱体，该圆环柱体的轴线与圆柱形齐顶高阻区的轴线重合，另一部分是自所述圆环柱体侧面任意处拓展出去的螺旋线柱体，该螺旋线柱体的螺旋线极坐标方程为其中初始极半径ρ0在115μm～200μm范围内确定，形变因子ε在0.5～3.0范围内确定，极角在 范围内确定；上电极位于所述螺旋线柱体的上表面上；中置电极位于下分布布拉格反射镜的内镜面上，且位于所述中空的柱体之外，中置电极的形状与上电极的形状相同；上电极与中置电极以上电极的几何中心与中置电极的几何中心的连线与所述圆环柱体轴线的交点O'为对称中心呈点对称分布。
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公开(公告)号：CN110829178A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911084649.5
申请日：2019-11-08
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术出光口存在工艺损伤，也不易与光纤、透镜等元件良好耦合，器件的散热效果也有待改善。本发明之激光器自上而下依次是上电极、欧姆接触层、上分布布拉格反射镜、氧化物限制层、有源增益区、下分布布拉格反射镜、衬底、下电极；上电极、氧化物限制层的形状为内径相同的环形，所述环形的宽度为3μm～5μm，所述环形的外径为115μm～125μm；在下分布布拉格反射镜、衬底、下电极的中心部分存在一个圆柱形空心区域，所述圆柱形空心区域的顶面高度低于下分布布拉格反射镜的内镜面、高于下分布布拉格反射镜的外镜面，所述圆柱形空心区域的直径为85μm～95μm，在所述圆柱形空心区域中填充有高导热率焊料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109412016A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811252788.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术采用固体激光器输出涡旋空心光，器件体积较大，腔内相位转换装置结构复杂。本发明自上而下依次是上电极、欧姆接触层、上分布布拉格反射镜、氧化物限制层、有源增益区、下分布布拉格反射镜、衬底、下电极；欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区层叠在一起构成一个空心圆柱；在所述空心圆柱中有高阻区；其特征在于，上电极位于欧姆接触层上表面边缘的局部区域，下电极位于衬底下表面边缘的局部区域，上电极的几何中心、下电极的几何中心的连线与激光器轴线相交，上电极的圆心角θ′、下电极的圆心角θ″均在30°～90°范围内。
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公开(公告)号：CN109193327A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811227697.0
申请日：2018-10-22
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S3/08 , H01S3/0941 , H01S3/16
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿微型激光器的制备方法，该方法利用具有载流子迁移速率高、扩散长度长、吸收系数大、量子产率高这些优点的棒状或片状的钙钛矿材料作为激光器的增益介质，用半导体激光器阵列作为激励光源对钙钛矿材料进行泵浦，激励光源使钙钛矿材料产生稳定的自发辐射放大(ASE)，最后实现目标波长的激光输出。本发明提出的这种方法利用钙钛矿材料可将70％的吸收光转化为发射光的优点，实现低阈值、高转化效率、工作波长调谐范围可覆盖近红外到可见光的激光器器件，解决现有技术中固体激光器转化效率低、温度增益比严重、实现不同波段激光器器件困难的问题。
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公开(公告)号：CN108199256A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810024642.3
申请日：2018-01-11
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器制造技术领域。现有倒封装技术不能直接用来解决微盘腔半导体激光器的散热问题。本发明之方法将发光发热区制作成彼此分立的支撑结构和微盘腔；在支撑结构上部的欧姆接触层上制作绝缘层；在微盘腔上部表面制作上电极，同时在绝缘层上表面也形成上电极金属材料层，在衬底的底部表面制作下电极；最后由一个焊接层同时将上电极、电极金属材料层与热沉焊接在一起。本发明之激光器中的彼此分立的支撑结构和微盘腔结构相同，自支撑结构上部的欧姆接触层起依次还有绝缘层、上电极金属材料层，一个焊接层一侧与热沉焊接，所述焊接层的另一侧分别与微盘腔的上电极、电极金属材料层焊接。
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公开(公告)号：CN104377546B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201410745236.8
申请日：2014-12-08
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 具有高阻区的椭圆环形腔微腔激光器属于半导体激光器技术领域。现有带切口的椭圆盘型腔微腔激光器激射阈值高，电光转换效率低，温升高，光输出功率低；现有椭圆环形腔半导体激光器成品率低，且难以实现高光功率输出。本发明之具有高阻区的椭圆环形腔微腔激光器其组成部分自上而下依次为上电极、上波导层、有源增益层、下波导层、衬底、下电极，下电极焊接到铜热沉上，上电极、上波导层、有源增益层、下波导层为椭圆盘型，在有源增益层的外边界椭圆短轴一端有一个半椭圆切口；其特征在于，上波导层的中心区域为高阻区，所述高阻区系在上波导层上制作上电极之前，采用光刻掩膜、质子注入方法形成。
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公开(公告)号：CN107482477A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710627764.7
申请日：2017-07-28
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有DFB-LD在波长稳定性、线宽以及输出功率方面未能很好地兼顾。本发明之表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于边发射LD，下电极位于基条下表面，脊条位于基条上表面，上电极位于脊条上表面，基条自下而上包括衬底、N-限制层、N-波导层、有源区、P-波导层，脊条自下而上包括P-限制层、重掺杂接触层，脊条窄于基条；其特征在于，脊条属于宽条型，上电极在脊条长边方向上短于脊条，在脊条上表面两端刻蚀有表面介质光栅，在脊条两个侧面刻蚀有侧面介质光栅。该大功率分布反馈半导体激光器的温漂系数为0.062nm/K，线宽为0.8nm，连续输出功率为2W。
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