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公开(公告)号：CN107482477B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710627764.7
申请日：2017-07-28
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有DFB‑LD在波长稳定性、线宽以及输出功率方面未能很好地兼顾。本发明之表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于边发射LD，下电极位于基条下表面，脊条位于基条上表面，上电极位于脊条上表面，基条自下而上包括衬底、N‑限制层、N‑波导层、有源区、P‑波导层，脊条自下而上包括P‑限制层、重掺杂接触层，脊条窄于基条；其特征在于，脊条属于宽条型，上电极在脊条长边方向上短于脊条，在脊条上表面两端刻蚀有表面介质光栅，在脊条两个侧面刻蚀有侧面介质光栅。该大功率分布反馈半导体激光器的温漂系数为0.062nm/K，线宽为0.8nm，连续输出功率为2W。
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公开(公告)号：CN106654858A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710133270.3
申请日：2017-03-08
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18363
Abstract: 具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有VCSEL器件膜层结构过多，阈值电流较高。本发明其特征在于，高折射率导电基底位于氧化物限制层上面；器件的一个制作步骤为：在高折射率导电基底上依次生长低折射率亚层、高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层；采用刻蚀技术将高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层的中间部分制作成双层亚波长光栅；同时采用刻蚀技术将低折射率亚层、高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层的周边部分去除，并在高折射率导电基底周边部分上表面制作p面电极。所述垂直腔面发射半导体激光器同时具有阈值电流低、工作稳定性强等特点，能够直接输出偏振光，用作光通信光源。
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公开(公告)号：CN106654858B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201710133270.3
申请日：2017-03-08
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有VCSEL器件膜层结构过多，阈值电流较高。本发明其特征在于，高折射率导电基底位于氧化物限制层上面；器件的一个制作步骤为：在高折射率导电基底上依次生长低折射率亚层、高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层；采用刻蚀技术将高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层的中间部分制作成双层亚波长光栅；同时采用刻蚀技术将低折射率亚层、高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层的周边部分去除，并在高折射率导电基底周边部分上表面制作p面电极。所述垂直腔面发射半导体激光器同时具有阈值电流低、工作稳定性强等特点，能够直接输出偏振光，用作光通信光源。
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公开(公告)号：CN107482477A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710627764.7
申请日：2017-07-28
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有DFB-LD在波长稳定性、线宽以及输出功率方面未能很好地兼顾。本发明之表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于边发射LD，下电极位于基条下表面，脊条位于基条上表面，上电极位于脊条上表面，基条自下而上包括衬底、N-限制层、N-波导层、有源区、P-波导层，脊条自下而上包括P-限制层、重掺杂接触层，脊条窄于基条；其特征在于，脊条属于宽条型，上电极在脊条长边方向上短于脊条，在脊条上表面两端刻蚀有表面介质光栅，在脊条两个侧面刻蚀有侧面介质光栅。该大功率分布反馈半导体激光器的温漂系数为0.062nm/K，线宽为0.8nm，连续输出功率为2W。
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