公开(公告)号：CN112490851B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202011369851.5

申请日：2020-11-30

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 晏长岭 ,  逄超 ,  杨静航 ,  岳云震 ,  冯源 ,  李辉 ,  郝永芹 ,  钱冉

IPC: H01S5/183

Abstract: 上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有器件的电流注入均匀性较差，器件串联电阻较大。本发明其特征在于，旋错上电极位于欧姆接触层上表面，旋错下电极位于衬底下表面，旋错上电极、旋错下电极的主体部分都呈圆环形，所述圆环形的几何中心与激光器轴线上一点重合；沿圆环形主体部分的外圆或者内圆等弧度间隔分布形状、数量均相同的扩展部分，旋错上电极、旋错下电极之间在所述圆环形的圆周方向上旋错二分之一所述弧度布置。本发明能够通过提高器件的电流注入均匀性和减小器件串联电阻，提高发射的涡旋空心光的光强均匀性，减少器件发热，提高发光效率。

公开(公告)号：CN112490851A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011369851.5

申请日：2020-11-30

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 晏长岭 ,  逄超 ,  杨静航 ,  岳云震 ,  冯源 ,  李辉 ,  郝永芹 ,  钱冉

IPC: H01S5/183

Abstract: 上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有器件的电流注入均匀性较差，器件串联电阻较大。本发明其特征在于，旋错上电极位于欧姆接触层上表面，旋错下电极位于衬底下表面，旋错上电极、旋错下电极的主体部分都呈圆环形，所述圆环形的几何中心与激光器轴线上一点重合；沿圆环形主体部分的外圆或者内圆等弧度间隔分布形状、数量均相同的扩展部分，旋错上电极、旋错下电极之间在所述圆环形的圆周方向上旋错二分之一所述弧度布置。本发明能够通过提高器件的电流注入均匀性和减小器件串联电阻，提高发射的涡旋空心光的光强均匀性，减少器件发热，提高发光效率。

公开(公告)号：CN115912047A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211570719.X

申请日：2022-12-08

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 晏长岭 ,  钱冉 ,  杨静航 ,  李奕霏 ,  冯源 ,  郝永芹 ,  李辉

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22

Abstract: 具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。现有技术难以兼顾锥形半导体激光器的输出光功率和输出光质量。本发明其特征在于，跨层脊形主振荡器与外凸锥形光放大器的厚度相同，均从上波导层向下跨越有源增益层止于下波导层某一高度位置；在跨层脊形主振荡器两个侧面上制作有上下走向的条形光栅，外凸锥形光放大器具有两个外凸侧面，外凸侧面是由上下走向的若干个部分柱面组成；跨层脊形主振荡器的里端与外凸锥形光放大器的窄端相通，跨层脊形主振荡器的里端与外凸锥形光放大器的窄端的宽度相同；跨层脊形主振荡器的外端端面或者外凸锥形光放大器的宽端端面为半导体激光器的出光面。