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公开(公告)号：CN102556961A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210031190.4
申请日：2012-02-13
Applicant: 苏州大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及了有机无机纳米复合材料的可控制备。具体而言，是有机小分子与金颗粒的纳米复合材料的可控制备。基于有机物本身与金之间的物理或化学作用，及调试的有机纳米材料的析晶环境如温度、所用良溶剂的种类、良溶剂的体积及表面活性剂的辅助，得到形貌尺寸可控的有机无机纳米复合材料。本发明的方法简单，操作方便，为有机无机纳米复合材料的可控制备提供了实验数据。为有机化合物光电性能的改善、等离子体共振、记忆存储等性能提供了可能性。
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公开(公告)号：CN102162121A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110047752.X
申请日：2011-02-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备形貌和尺寸可控的有机多面体微纳晶体的方法，特别涉及一种能大量、均一地制备有机多面体微纳晶体，且能控制其形貌和尺寸的方法。配制有机化合物的良溶剂溶液后，再在剧烈搅拌条件下，按比例加入到溶有表面活性剂的不良溶剂中；在适宜的温度下陈化生长一段时间，有机分子与不良溶剂间的憎溶作用可以使有机物形成纳米晶核，成核析出以后，分子间靠超分子相互作用和表面活性剂的辅助作用，聚集排列生长，形成微纳晶体。通过控制目标有机物在反应溶液中的溶解度从而控制有机分子成核结晶与生长的速率,进而得到尺寸与形貌可控的单晶有机多面体晶体材料。该方法一步实现了有机多面体晶体材料的制备和控制，简单易行，可批量生产。
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公开(公告)号：CN119653968A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411830977.6
申请日：2024-12-12
Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，所述有机薄膜晶体管包括：基底；位于基底上方的源极和漏极，所述源极和/或漏极为贱金属电极、贱金属氧化物电极、贱金属氮化物电极或贱金属碳化物电极；SAMs修饰层，至少位于源极和/或漏极上；有机半导体层，位于基底上方且至少部分覆盖于源极和/或漏极上的SAMs修饰层上；栅极，位于有机半导体层的上方或有机半导体层与基底之间。本发明通过在以贱金属材料制成的电极上制备SAMs修饰层，使其能够替代贵金属电极作为有机薄膜晶体管的源极和漏极，降低了成本，促进了有机薄膜晶体管的进一步发展。
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公开(公告)号：CN114318492B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210002574.7
申请日：2022-01-04
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿单晶的制备方法以及光电器件。该制备方法包括：在基底上制备获得由多个间隔开布置的微沟道组成的微沟道阵列；加热基底；将钙钛矿前驱体溶液施加到微沟道阵列中；在施加有钙钛矿前驱体溶液的基底上贴附软体刀片，并使软体刀片的底面至少能够完全覆盖微沟道阵列；控制软体刀片以预设速度从微沟道阵列的一端朝向另一端移动，以逐渐暴露出微沟道阵列，从而使得微沟道阵列内的钙钛矿前驱体溶液在软体刀片的头部结晶，并在微沟道阵列完全暴露出时结晶形成钙钛矿单晶阵列。本发明方案可以制备出大面积的钙钛矿单晶，并且可以根据需要设计微沟道阵列中微沟道的深度，进而可以控制该钙钛矿单晶的厚度。
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公开(公告)号：CN110265549B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201910532895.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种少层有机晶态膜的制备方法及有机场效应晶体管。该制备方法包括如下步骤：提供有机小分子半导体材料，并选取有机小分子半导体材料的良溶剂和不良溶剂，良溶剂和不良溶剂具有不同蒸发速率、不同密度且互溶；将良溶剂和不良溶剂按照指定比例范围的体积比进行混合，形成良溶剂和不良溶剂的混合体系，指定比例范围为9:1到12:1之间；将有机小分子半导体材料加入混合体系中并进行搅拌，以形成有机小分子半导体材料的浓度范围在0.5‑1.5mg/ml的混合溶液；量取预定量的混合溶液，并将其施加在亲水性固体基底的边缘处，从而自组装生成少层且均匀的有机晶态膜。本发明方法可以一步法直接快速获得具有高度均匀特性和长程面内有序的少层有机晶态膜结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115084383A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210688323.9
申请日：2022-06-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种弱光探测结构及其制备方法。所述弱光探测结构包括绝缘层、形成在所述绝缘层上的浮栅层以及形成在所述浮栅层上的有源层；所述绝缘层的与所述浮栅层接触的表面形成有作为电子陷阱态的材料层，所述浮栅层由基体层以及分散在所述基体层内的硫化铅量子点组成，所述基体层的材料选择为绝缘的聚合物材料，且能够使得所述硫化铅量子点均匀分散在其内。本发明的方案无需有源层和电荷存储层的能级匹配，而且器件迁移率和稳定性不受影响，同时，有源层的材料可以在平整的浮栅层表面生长，形成高度有序的晶态薄膜，有利于提高器件迁移率，并且降低亚阈值摆幅，从而增加光电流，提升器件的弱光探测能力。
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公开(公告)号：CN114447225A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210043521.X
申请日：2022-01-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机小分子单晶的制备方法及有机场效应晶体管。该制备方法包括如下步骤：利用光刻法制备获得图案化模板，图案化模板上具有阵列排布的多个凹槽；将有机小分子的墨水溶液打印至图案化模板的多个凹槽内，以获得有机小分子单晶，墨水溶液为将有机小分子溶解在良溶剂和不良溶剂中的溶液，不良溶剂的沸点高于良溶剂的沸点，且良溶剂和不良溶剂互溶；每个凹槽的形状构造成具有尖端部，且使墨水溶液在尖端部的挥发速度大于凹槽的其他部位，以使墨水溶液优先在尖端部结晶，并随着良溶剂的挥发，使得晶体在不良溶剂的表面外延生长，从而得到有机小分子单晶。本发明方法为一步法打印，能够制备出较高集成度和高结晶质量的有机晶体。
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公开(公告)号：CN110943166A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911223049.2
申请日：2019-12-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明提供了一种单层有机半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：将具有烷基支链的小分子有机化合物与所述小分子有机化合物的长链同系物溶解并配置成混合溶液；将所述混合溶液旋涂在第一衬底上，并将旋涂有所述混合溶液的所述第一衬底覆盖在第二衬底上；然后将其放置在真空加热系统中加热处理，以在所述第二衬底上制备出单层有机薄膜。本发明的单层有机半导体薄膜的制备方法，通过在有机分子中引入其相应的长链同系物，利用不同长度分子层间的几何失配以及衬底之间的限域作用可以实现有机半导体薄膜的单层大面积生长。并且在该单层有机半导体薄膜的制备方法中，通过在第二衬底上构筑亲疏水区域可以实现单层有机半导体薄膜的图案化生长。
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公开(公告)号：CN110265549A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910532895.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种少层有机晶态膜的制备方法及有机场效应晶体管。该制备方法包括如下步骤：提供有机小分子半导体材料，并选取有机小分子半导体材料的良溶剂和不良溶剂，良溶剂和不良溶剂具有不同蒸发速率、不同密度且互溶；将良溶剂和不良溶剂按照指定比例范围的体积比进行混合，形成良溶剂和不良溶剂的混合体系，指定比例范围为9:1到12:1之间；将有机小分子半导体材料加入混合体系中并进行搅拌，以形成有机小分子半导体材料的浓度范围在0.5-1.5mg/ml的混合溶液；量取预定量的混合溶液，并将其施加在亲水性固体基底的边缘处，从而自组装生成少层且均匀的有机晶态膜。本发明方法可以一步法直接快速获得具有高度均匀特性和长程面内有序的少层有机晶态膜结构。
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公开(公告)号：CN108342779B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810176116.9
申请日：2018-03-02
Applicant: 苏州大学
IPC: C30B29/54 , C30B7/00 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带；将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶微米带P‑N异质结阵列。制备的微米带P‑N异质结阵列均为单晶材料，且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P‑N异质结。
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