公开(公告)号：CN108342779B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201810176116.9

申请日：2018-03-02

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张秀娟 ,  张晓宏 ,  揭建胜 ,  邓巍 ,  茆健

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/00 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带；将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶微米带P‑N异质结阵列。制备的微米带P‑N异质结阵列均为单晶材料，且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P‑N异质结。

公开(公告)号：CN108342779A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810176116.9

申请日：2018-03-02

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张秀娟 ,  张晓宏 ,  揭建胜 ,  邓巍 ,  茆健

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/00 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带；将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶微米带P-N异质结阵列。制备的微米带P-N异质结阵列均为单晶材料，且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P-N异质结。