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公开(公告)号：CN117031854A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311055616.4
申请日：2023-08-22
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/29 , G02F1/1343 , G02F1/1345 , G02F1/1347 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种透镜区域可调的液晶透镜，包括：第一基板；设置于第一基板上按照预设间隔的若干个第一导电电极；设置于第一导电电极两两之间的第二高阻栅条；设置于第一基板对向的第二基板，第二基板上设置有公共面电极；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子；其中，液晶透镜被配置为：根据拟构建透镜的位置信息、直径信息，在第一导电电极中选取液晶透镜中的第一边缘电极、第二边缘电极以及中心电极，并分别向第一边缘电极、第二边缘电极施加第一电位，向中心电极施加第二电位，向公共面电极施加第三电位。本发明在提高液晶透镜光学特性的同时可以使得透镜区域可以调整以适应各种应用场景。
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公开(公告)号：CN111834388B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
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公开(公告)号：CN116344719A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310296474.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种小出光角的Micro‑LED结构。所述Micro‑LED结构，包括Micro‑LED台面、光转向层、光聚集层；Micro‑LED台面结构主要包括N掺杂区、多量子阱层、P掺杂区等；光转向层结构包括：金属反射层、高折射率透明介质层、低折射率透明介质层；光聚集层结构包括：一维光子晶体、二维光子晶体。该结构主要优势在于，可减小Micro‑LED出光角度并增大出光面法向的光强，同时可抑制侧壁出光，使Micro‑LED更好地应用于近眼显示等领域。
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公开(公告)号：CN111128813B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010063816.4
申请日：2020-01-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种µLED巨量转移方法，首先利用光学胶将蓝膜上待转移的µLED芯片转移到临时转移基板上，然后采用超高分辨率发光点阵选择照射区域，即筛选欲转移的µLED芯片位置，有被光照的µLED芯片将与临时转移基板脱离，转移到驱动背板，没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板，等待下一次的转移，从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移。
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公开(公告)号：CN115240606A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210912255.X
申请日：2022-07-30
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明提供了一种基于最大值法的两次背光修正区域动态调光方法，包括如下步骤：步骤1）：获得输入图像每一个像素点的亮度值，提取输入图像像素亮度值；步骤2）：按照物理背光灯珠排布进行图像虚拟分割；步骤3）：获得初始背光值；步骤4）：背光第一次修正；步骤5）：利用倍增模糊算法模拟背光在背光腔中投射扩散过程；步骤6）：将模拟投射扩散后的背光与输入图像像素亮度值进行对比求差异值，获得第二次背光修正值；步骤7）：将第一次修正后的背光值进行第二次修正，获得最终图像背光值。应用本技术方案可实现提高画面对比度的同时降低背光功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676282B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910982320.4
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法。包括设置于透明下基板表面的反射层、下驱动电极，设置于透明上基板表面的扩散层、上驱动电极，设置于上、下驱动电极之间的蓝光μLED晶粒和波长下转换发光层，以及控制模块和彩色滤光膜；上、下驱动电极和所述蓝光μLED晶粒无电学接触，控制模块与上、下驱动电极电学连接，所述控制模块提供交变驱动信号控制μLED晶粒激发出第一光源，经波长下转换发光层转化为第二光源，第一、第二光源经反射层和扩散层后，经彩色滤光膜实现全彩化μLED微显示。本发明可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺，及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺，缩短μLED显示制作周期，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN113299227B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110388023.4
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN114141916A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111401694.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种纳米尺寸LED芯片阵列及其制备方法，在衬底上依次外延生长N型氮化镓层、量子阱有源层以及P型氮化镓层；在P型氮化镓层上图案化制作金属对该区域P型氮化镓中的掺杂物与氢形成的络合物起一定的作用，使氢从中解吸，以激活该区域；利用离子注入在除金属激活区域以外的区域形成高阻值区域；在高阻值区域上覆盖二氧化硅；分别在金属激活的P型氮化镓区域和N型氮化镓形成P型电极和N型电极。本发明技术方案采用离子注入形成电气隔离可以有效避免传统ICP刻蚀中的侧壁损伤问题和后续金属爬坡易断裂问题，并利用金属激活进一步提高激活区域的光电性能。
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公开(公告)号：CN114141805A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111401746.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种无侧壁损伤的nano‑LED阵列及其制作方法，通过图形化技术和电子束蒸发，在p型GaN层上制作纳米级的金属阵列,来激活其下方的p型GaN层，从而提高这些区域的载流子浓度，进而使nano‑LED正常发光。而没有金属覆盖的区域未被激活，载流子浓度很低，呈现高阻态，刚好可隔离nano‑LED器件，使每个nano‑LED可独立工作。本发明避免了通过刻蚀来隔离nano‑LED芯片所带来的侧壁损伤，增加了nano‑LED芯片的可利用面积，提高了nano‑LED的发光效率。这种通过选择性金属激活p型GaN来制作LED芯片的方法可拓展至nano尺寸，为实现超高分辨率的nano‑LED显示屏提供了一种有利途径。
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公开(公告)号：CN113937205A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111203096.8
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/62 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级芯片低温共晶键合的微凸点结构，包括从下至上依次设置的半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层、第二金属层、金属凸点；所述半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层外侧还设有介质层；所述第二金属层的上表面截面呈倒梯形微结构，设置于所述第一金属层表面；所述金属凸点填充于所述截面呈倒梯形微结构内，并与所述第二金属层形成所述第二合金层。本发明有效改善微凸点质量，提高微凸点器件最大耐受温度和机械强度。
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