-
公开(公告)号：CN111785714B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010760395.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种由LED和OLED相反极性并联组成的显示器件，所述显示器件包括无机发光二极管LED阵列、有机发光二极管OLED阵列以及具备多组电极的基板；LED和OLED通过基板上的一组电极电性连接，所述电极与LED的阴极和OLED的阳极相连；同一基板上的其他电极或其他基板上的电极则连接至LED的阳极和OLED的阴极。通过共享电极，该显示器件兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命。
-
公开(公告)号：CN111798764B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010535535.4
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED像素单元结构及显示器件，μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，以形成至少mi个μLED发光体；μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连复合的方式互连。本发明可以有效降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，并提高μLED显示器件的良品率。
-
公开(公告)号：CN111724699B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010536411.8
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种NLED像素设置及修复方法。每个发光像素单元包括n个NLED芯片，每个像素单元包括至少m个NLED发光体；所述NLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和备用区域，通过Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连的复合方式将所述NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素电极的互连区域相连后，采用实时监测电极区域进行检测，在相应不良区域通过原位非Au‑In连接方式将NLED芯片电极备用区域连接到驱动背板电极的对应备用区域上以进行修复，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。本发明有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本，并且大大提高了LED显示器件的良品率。
-
公开(公告)号：CN108257949A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810066208.1
申请日：2018-01-24
Applicant: 福州大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/50 , G09F9/33
Abstract: 本发明涉及一种可实现光效提取和色彩转换微米级LED显示装置及制造方法。包括设置于衬底表面呈阵列排布的若干个LED芯片、设置于LED芯片表面且与LED芯片一一对应的微结构；微结构包括倒梯形储液槽，储液槽内周侧设置有反射层；呈阵列排布的微结构与LED芯片沿横向依次构成R单元、G单元以及B单元，其中，R单元/G单元的储液槽至下而上依次设置有红/绿色量子点层以及分布式布拉格反射层，B单元储液槽至下而上依次设置有透明层以及分布式布拉格反射层；LED芯片能够发出蓝光，LED芯片发出的蓝光经红/绿色量子点层而转换为红光/绿光。本发明能够增加垂直方向光的出射；同时，能够增强出射光的强度，有效地提高微米级LED显示的色彩转换和出光效率。
-
公开(公告)号：CN107863446A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711108575.5
申请日：2017-11-11
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/5237 , H01L51/5256 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种OLED器件结构及制备方法，该OLED器件结构包括一基板；一第一水氧阻隔层，设置于基板上方，由具有高低折射率的两种薄膜的堆叠，一方面用于增加OLED发射光的出光效率，另一方面作为封装层，用于阻隔水汽和氧气；一OLED单元，设于第一水氧阻隔层上方；一第二水氧阻隔层，设于OLED单元上方，由具有高低折射率的两种薄膜的堆叠，一方面用于反射OLED光，另一方面作为封装层，用于阻隔水汽和氧气。与现有技术相比，本发明虽然结构复杂，但操作简单、材料易购买、效果显著，能有效提高OLED器件的寿命和光提取效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128813B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010063816.4
申请日：2020-01-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种µLED巨量转移方法，首先利用光学胶将蓝膜上待转移的µLED芯片转移到临时转移基板上，然后采用超高分辨率发光点阵选择照射区域，即筛选欲转移的µLED芯片位置，有被光照的µLED芯片将与临时转移基板脱离，转移到驱动背板，没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板，等待下一次的转移，从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移。
-
公开(公告)号：CN113299227B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110388023.4
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
-
公开(公告)号：CN112436096B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
-
公开(公告)号：CN112436096A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
-
公开(公告)号：CN111834390A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.016 seconds)
