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公开(公告)号：CN111933715A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202011022081.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、P-body区、N-body区、N+接触区、P+接触区、源电极、栅电极、栅介质、漏电极；本发明提出的SiC MOSFET器件在源极集成JFET器件，当器件发生短路时，P-body区与P+接触区形成的JFET区以及相邻的P+接触区之间提前夹断，器件的电流增大时，由于栅极-源极电压保持恒定，JEFT区的作用会使碳化硅MOSFET的有效栅极-源极电压降低，从而导致通过MOSFET器件的饱和电流降低，形成负反馈，最终使得该器件的饱和电流相较于传统结构大幅度降低，提高了其抗短路能力。
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公开(公告)号：CN107749420A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711155364.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/402
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107482058A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710873013.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/0603 , H01L29/42356 , H01L29/4236 , H01L29/7394
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用两个槽栅和一个平面栅结构，且在两个槽栅之间、平面栅下方引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度下仍可维持高耐压。本发明的有益效果为，相对于传统LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降、更快的关断速度和更低的关断损耗。
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公开(公告)号：CN218237099U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202222095183.2
申请日：2022-08-09
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 东莞华医检测技术有限公司
Abstract: 本实用新型涉及天然气漏气检测技术领域，尤其涉及一种天然气管道输送漏气检测装置。其技术方案包括：壳体，所述壳体的内部安装有转轴，所述转轴的两端均分别穿过壳体两侧外壁上的轴承并延伸到外部与旋转调节板连接，所述转轴的外壁两侧分别安装有第一移动板和第二移动板，所述第一移动板和第二移动板的后端面上均安装有连接柱，所述连接柱的另一端穿过条形槽孔与固定夹板连接，所述壳体的底部安装有天然气检测机构。本实用新型可以对天然气管道是否存在漏气进行有效的检测，还便于将本实用新型安装到天然气管道上，操作使用方便，实用性强。
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公开(公告)号：CN207409496U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721552279.X
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本实用新型的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207199628U
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201721232526.8
申请日：2017-09-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT器件。本实用新型主要特征在于：采用两个槽栅和一个平面栅结构，且在两个槽栅之间、平面栅下方引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度下仍可维持高耐压。本实用新型的有益效果为，相对于传统LIGBT结构，本实用新型具有更低的正向导通压降、更快的关断速度和更低的关断损耗。
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公开(公告)号：CN218239324U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202221994997.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 东莞华医检测技术有限公司
Abstract: 本实用新型属于轮对轴承检测技术领域。尤其是一种列车轮对轴承探伤装置，包括探伤装置本体，所述探伤装置本体上安装有探测线，所述探测线圆周外壁固设有握柄，所述握柄圆周外壁滑动连接有连接套，所述连接套圆周外壁转动连接有安装套，所述探测线端部固设有探测头，所述握柄圆周外壁固设有限位套，通过电机带动齿轮转动，通过齿轮带动齿圈转动，通过齿圈带动安装套转动，安装套转动时带动多个滑杆转动，从而使得清洁刷转动，通过手持握柄推动清洁刷与车轴上的轴承接触，通过挤压，使得连接杆沿着滑杆滑动并对弹簧二产生挤压，此时清洁刷会与轴承表面紧密贴合，从而对轴承表面进行清洁，避免轴承表面的灰尘影响检测数据的精准度。
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公开(公告)号：CN218101453U
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202222094698.0
申请日：2022-08-09
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 东莞华医检测技术有限公司
IPC: H01M10/615 , H01M10/625 , H01M10/658 , H01M10/635 , H01M10/6563 , H01M10/613 , H01M50/231 , H01M50/24 , H01M50/244 , H01M50/249 , B60L50/64
Abstract: 本实用新型涉及电池组保温技术领域，尤其涉及一种用于电动汽车电池组的保温结构。其技术方案包括：外壳，所述外壳内侧的中心位置安装有隔热层，所述隔热层的内侧安装有保温层，所述保温层的内侧安装有导热内壳，所述导热内壳的内部设置有空腔，所述导热内壳的内部安装有电池组本体，所述导热内壳的内部上喷涂有防凝露涂层，所述电池组本体的顶部设置有贴片式温度检测传感器，所述外壳的两侧内壁上分别安装有第一箱体和第二箱体。本实用新型不仅可以对电池组本体起到保温的作用，还可以起到对电池组本体进行散热的作用，避免了电池组本体因温度过高或过低而导致电池组本体的使用寿命降低的情况发生，实用性强。
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公开(公告)号：CN207409497U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721551911.9
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本实用新型的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207233738U
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201721104029.X
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本实用新型属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本实用新型相对与传统结构，主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时，由于N+集电区位于P+集电区上表面，未与N型漂移区接触，因此新器件没有电压折回效应。本实用新型的有益效果为，相对于传统短路阳极-LIGBT结构，本实用新型具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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