公开(公告)号：CN102956638A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210452249.7

申请日：2012-11-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘道广 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  周卫 ,  崔杰

IPC: H01L27/082 ,  H01L29/739 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L27/0823 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明公开一种连体IGBT器件，为解决现有器件开关速度不够高的问题而发明。本发明连体IGBT器件包括至少漂移区互相连通的两个IGBT器件，各IGBT器件独立引出电极。连体IGBT器件也可由四个漂移区互相连通的IGBT器件组成。连体IGBT器件也可以具体实现为一承担较大电流主开关器件的IGBT器件和一起到加速主器件开关切换作用的辅助IGBT器件的两个IGBT器件相连。本发明连体IGBT器件的加工方法通过增加开槽工艺得到了本发明连体IGBT器件。本发明连体IGBT器件及其加工方法加工成本低，简单易行，利用两个IGBT器件开关速度相互促进获得工作速度进一步提高的有益效果。

公开(公告)号：CN102790081A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210161187.4

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、多晶硅发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102790080A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210161096.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102709318A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210153217.7

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN102683400A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210161177.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管有效地降低了基极电阻RB。本发明锗硅异质结双极晶体管制备方法工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102683395A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210160811.9

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/737 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、外基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102496626A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110453797.7

申请日：2011-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 张伟 ,  付军 ,  王玉东 ,  刘志弘

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明公开一种锗硅异质结双极晶体管结构，为解决现有结构基极和集电极之间高寄生电容的缺陷而设计。本发明锗硅异质结双极晶体管结构中在沿垂直于基片的方向上，外基区下方无集电区，且无与集电极相连的导电层。该结构的加工主要步骤包括：在P型衬底上制作两个沿中心线对称的N+埋层区，生长N-硅层；形成N+Sinker、P-区和隔离环；在集电区内注入N型杂质；淀积介质层和多晶硅；对应集电区开窗口并在其中生长单晶SiGe，窗口外生长多晶SiGe；发射极和集电极处开窗口并淀积N型多晶硅；淀积介质层并设电极。本发明锗硅异质结双极晶体管结构适用于射频性能要求高的器件中，尤其是击穿电压BVceo大于8V的功率器件中。

公开(公告)号：CN101948218A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010275461.1

申请日：2010-09-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 张晓健 ,  张伟 ,  陈超 ,  李永红 ,  汪隽

IPC: C02F9/14 ,  C02F3/12 ,  C02F1/44 ,  C02F1/52

CPC classification number: Y02W10/15

Abstract: 山区饮用水的预处理与浸没式超滤膜工艺联用方法及装置属于山区农村饮水安全领域。首先将原水引入横向流跌水曝气生物滤池，水中颗粒物被部分截留，小分子有机物和氨氮被部分生物降解，水质得到一定程度的净化，然后出水进入到膜处理水池进一步处理；根据进水水质，必要时可以在膜处理水池中投加混凝剂和粉末炭，利用山区的自然高差形成虹吸出水。超滤膜能够很好地去除原水中的颗粒物，截留两虫、红虫、藻类、细菌甚至病毒，投加的混凝剂和粉末炭能很好地改善污染物的去除效果和超滤膜的运行工况，从而达到简便、经济地制备符合国家标准优质饮用水的目标要求。

公开(公告)号：CN100551638C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200810055898.7

申请日：2008-01-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 张文增 ,  陈强 ,  都东 ,  张伟 ,  刘欢 ,  段宇波

IPC: B25J15/00 ,  B25J19/00 ,  F16H1/20

CPC classification number: B25J15/0009

Abstract: 齿条欠驱动模块化拟人机器人多指手装置，属于拟人机器人技术领域，包括拇指、食指、中指、无名指、小指、手掌；中指、无名指、小指与食指结构相同，各采用1个电机驱动3个关节转动；手掌采用1个电机驱动拇指根部的侧摆转动，拇指采用1个电机驱动2个关节转动。该装置具有5个独立控制的手指、15个关节自由度，包括6个主动关节和9个欠驱动关节；各欠驱动关节均采用齿轮齿条及簧件驱动的一种模块化结构，电机、传动机构藏入手内，结构简单、重量轻、控制容易、集成度高；整个装置外观、尺寸和动作模仿人手，具有对不同形状、尺寸的物体自动包络抓取的功能，适合安装在拟人机器人上使用。

公开(公告)号：CN101481812A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200810246695.6

申请日：2008-12-31

Applicant: 清华大学

Inventor： 路新春 ,  张伟 ,  雒建斌 ,  刘宇宏 ,  潘国顺

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/445

Abstract: 本发明提供了一种集成电路铜布线电沉积用的电解液，包括如下组分和含量：硫酸铜为50～200克/升，硫酸为50～220克/升，氯离子为10～150毫克/升，抑制剂为5～200毫克/升，加速剂为5～50毫克/升，整平剂为0.5～20毫克/升，其余为去离子水。本发明由于电解液中含有氯离子、抑制剂和加速剂，电沉积后表面形貌改善，粗糙度减小。而且整平剂可增强沉积过程中加速剂在电极表面的吸附，进而增强加速剂的表面改善作用，镀层表面粗糙度进一步减小，沉积所得镀层Cu(111)晶向占优，沉积后表面枝状生长模式消失，表面无孔洞缺陷。