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公开(公告)号：CN106833389A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710016530.9
申请日：2017-01-10
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/30625
Abstract: 本发明涉及一种适用于砷化镓晶片的化学机械抛光组合物，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域。本发明所述组合物包含酸性二氧化硅溶胶、表面保护膜形成剂、催化氧化剂、唑类化合物、表面活性剂和去离子水。采用本发明的组合物进行砷化镓晶片表面抛光，具有去除速率高，抛光性能稳定，并能直接稀释使用等特点，抛后表面质量高，表面粗糙度Ra可达0.615纳米，表面无划伤、凹坑等缺陷，适用于光电子领域和微电子领域。
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公开(公告)号：CN104592895B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410505702.5
申请日：2014-09-26
Applicant: 深圳市力合材料有限公司 , 清华大学 , 深圳清华大学研究院
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅溶胶的制备方法，属于电子制造及SiO2胶体制备技术领域，该方法包括以下步骤：配置气相二氧化硅水溶液，配置酸性水溶液，将酸性水溶液缓慢滴加到气相二氧化硅水溶液中，滴加完成后，将温度升高，蒸出副产品醇，并添加与加热产生的蒸发量等体积的超纯水，在上述混合液中添加表面活性剂；本发明制备的二氧化硅溶胶，主要杂质金属离子含量在1ppm以内、粒径均匀、高度分散、含量可达40％的纳米SiO2胶体。采用本发明制备的复合型硅溶胶稳定性不仅与直接采用硅醇水解法所得硅溶胶相当而且研磨能力更佳。
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公开(公告)号：CN104152107B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310174963.9
申请日：2013-05-13
Applicant: 深圳清华大学研究院 , 清华大学 , 深圳市力合材料有限公司
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明提供一种陶瓷材料用研磨剂。该陶瓷材料用研磨剂含有成膜剂、辅助成膜剂、研磨颗粒、及水。所述成膜剂选自为低级多元醇及醇胺中的一种或两种，该低级多元醇是碳原子数目在2～5之间、分子中含有两个及以上羟基的多元醇，所述辅助成膜剂选自为硼酸盐及铬酸锂中的一种或两种，所述研磨颗粒为硼化物。该成膜剂、辅助成膜剂、研磨颗粒及水之间的质量比为10-30：0.2-4：0.1-3：70-90。所述研磨剂研磨效果优异、适用于极压环境、而且环保。
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公开(公告)号：CN105727996A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410856924.1
申请日：2014-12-31
Applicant: 清华大学 , 深圳清华大学研究院 , 深圳市力合材料有限公司
IPC: B01J27/04 , B01J27/043 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09G1/02
Abstract: 一种纳米半导体光催化剂的制备方法及应用。本发明涉及一种用于表面平坦化的纳米半导体光催化剂，以及制备方法和应用。该方法采用无毒廉价的前体原料，利用简单的热注射法，合成了粒径均匀、稳定性好的半导体纳米颗粒。该纳米半导体光催化剂在表面平坦化中有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN104745095A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510156564.9
申请日：2015-04-03
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种GaN厚膜片CMP组合物及其制备方法，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域，特别涉及一种含有固相催化剂的抛光组合物。本发明组合物包括去离子水、固相催化剂、氧化剂、抛光磨粒、pH调节剂，该抛光组合物的pH值为1.0-4.3。本发明使用固相催化剂，促进CMP过程中的氧化作用，解决了GaN镓面难腐蚀加工的问题；并获得高质量的氮化镓抛光表面；本发明无需设备改造，成本明显更低，工艺实施简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104530987A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410758563.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 深圳市力合材料有限公司 , 清华大学 , 深圳清华大学研究院
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种硅晶片精抛光组合物及制备方法，涉及化学机械抛光(CMP)领域，该组合物包括二氧化硅溶胶、羟基含氮碱性化合物、羟基羧基酸性化合物、碱性化合物、高分子化合物、表面活性剂和去离子水；所述二氧化硅溶胶中磨粒的粒径为0.1-10nm。本发明采用了粒径降低到几个纳米的抛光颗粒，及稳定此抛光颗粒的羟基含氮碱性化合物及羟基羧基酸性化合物，这些组分有效的保持了颗粒的稳定及分散，提高了抛光后硅晶片表面的精度和质量。
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公开(公告)号：CN104263249A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410505730.7
申请日：2014-09-26
Applicant: 深圳市力合材料有限公司 , 清华大学 , 深圳清华大学研究院
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种硅溶胶的处理方法，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域。该方法包括以下步骤：将强酸型阳离子交换树脂及强碱型阴离子交换树脂分别进行再生处理后混合得到强酸强碱混合树脂；将普通硅溶胶和强酸强碱混合树脂放到一起，并控制温度进行搅拌至混合均匀；在上述搅拌过程中添加唑类化合物和有机酸、碱。本发明为克服了现有技术中普通硅溶胶在CMP抛光运用中的缺点，提升其在CMP抛光中的运用范围，使常规硅溶胶经过处理后在pH 1-12范围内都稳定存在，且在CMP抛光过程中可保持颗粒稳定，保持抛光过程中温度的稳定性，获得均匀表面。
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公开(公告)号：CN102516873B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110325029.3
申请日：2011-10-24
Applicant: 清华大学 , 深圳市力合材料有限公司 , 深圳清华大学研究院
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明公开了化学机械抛光(CMP)领域的一种硅晶片抛光组合物及其制备方法。抛光组合物含有磨料、碱性化合物、水溶性聚合物和去离子水，还包括聚合物桥联剂和摩擦系数调节剂。其中抛光组合物中水溶性聚合物含量为0.001～5wt％；聚合物桥联剂含量为0.001～1wt％；摩擦系数调节剂含量为0.001～0.5wt％；其pH值为8～12。本发明的抛光组合物特别适合于硅晶片抛光，其优势在于可提高聚合物在浆料中的稳定性，调节硅晶片表面与抛光垫之间的摩擦系数，有效的抑制颗粒和聚合物的沉积，减少硅晶片表面的划痕，提高抛光后硅晶片表面质量的均匀性且易于清洗。
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公开(公告)号：CN103740281A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310753521.X
申请日：2013-12-31
Applicant: 深圳市力合材料有限公司 , 清华大学 , 深圳清华大学研究院
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种适用于大尺寸硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法，属于化学机械抛光（CMP）领域。该组合物包括以下组分：酸性二氧化硅溶胶、硅溶胶颗粒稳定剂、吸热剂、碱性化合物、表面活性剂、去离子水余量；所述的大尺寸硅晶片直径为200mm～300mm。本发明组合物通过组合物中稳定的机械作用及化学作用，特别避免抛光过程中温度失控现象，实现大尺寸硅晶片的均匀抛光，使大尺寸硅晶片的抛光速率快、表面平整度高，表面质量好。
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公开(公告)号：CN103740280A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310753518.8
申请日：2013-12-31
Applicant: 深圳市力合材料有限公司 , 清华大学 , 深圳清华大学研究院
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种适用于硅晶片边抛光的抛光组合物及其制备方法，属于化学机械抛光领域。该组合物包括酸性二氧化硅溶胶、多羟基化合物、酸性化合物、碱性化合物、表面活性剂、去离子水。本发明组合物通过磨料与多羟基化合物组合的机械作用、酸性化合物与碱性化合物组合的化学作用以及表面活性剂的润湿保护作用的相互结合，特别实现对硅片边缘的快速，无颗粒残留且外延后无菱锥缺陷的抛光。
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