公开(公告)号：CN102169810A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010621834.6

申请日：2010-12-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  刘朋 ,  窦维治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种使用真空腔的激光处理装置和处理方法。所述真空激光处理装置包括真空工艺腔体，顶杆片托机构，真空系统及晶圆片的送取机构，激光辐照处理及冷却处理装置，本发明既能够灵活应对不同工艺加工需求，又充分照顾到了激光处理的光作用特点。采用本发明真空激光处理腔，本身可执行激光退火或者激光再结晶处理；可执行薄膜的激光辅助沉积处理；当外部提供可移动式的灯光或者红外加热源的功率足够时，也可执行薄外延的工艺处理。极大地提高了反应腔的实际应用价值。所述工艺腔除内部提供一定真空度的反应环境之外，侧壁由于通冷却液，成为“冷壁式”的反应腔，该特点尤其有利于薄膜沉积或者外延类的应用。

公开(公告)号：CN101872744A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010191071.6

申请日：2010-06-03

Applicant: 清华大学

Inventor： 周卫 ,  严利人 ,  窦维治 ,  韩冰 ,  刘志弘

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了属于半导体微波集成电路技术领域的一种在硅衬底上制造化合物半导体MMIC芯片的方法。利用三维对准光刻技术实现衬底背面图形的光刻，通过干法或湿法刻蚀，将圆片中各个MMIC芯片中部的硅衬底部分去除，保留MMIC芯片四周边缘处和压焊块下面的硅衬底，来维持进行后道减薄和划片封装工艺时所必须的机械强度。这有利于减小由于衬底耦合造成的功率损耗，提高硅衬底上制造化合物半导体MMIC的功率效率，同时降低了成本。

公开(公告)号：CN101162730B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200710177246.6

申请日：2007-11-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  周卫

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件结构及其制造工艺范围的一种多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管。是在省略了常规SiGe HBT晶体管中的埋层和N-外延Si层结构后，直接利用衬底N+层做发射区，然后依次制作SiGe外延基区，多晶Si收集区，和发射极，基极，收集极引线而形成的电子器件结构。收集区处在结构的上层，有利于采用离子注入技术调节B-C结位置，因而更好地保证器件的性能。外基区和基极引线的部分，采用介质层与下方的发射区隔离，能够减小电容，保证器件的工作速度。倒置结构晶体管，还适于构成共发形式的SiGe单片微波集成电路。

公开(公告)号：CN102280366B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201110240538.6

申请日：2011-08-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  刘朋 ,  窦维治

IPC: H01L21/00 ,  B23K26/42

Abstract: 本发明公开了一种属于半导体加工技术领域的一种用于激光加工的旋转窗片装置。隔离罩的窗片固定在隔离罩支撑件的一边，隔离罩支撑件固定在隔离罩支撑件环形壁顶端，隔离罩支撑件环形壁由轴承部件支撑在加热器的隔热材料层外圆周壁上；晶圆片置于加热片台上。本发明通过使用旋转的窗片结构，可以隔离加热片台高温部件对于周围环境及其他设备部件的热影响和扰动；由于采用了对作用激光是透明的窗片，并不会隔离激光对于晶圆片的工艺作用；采用旋转窗片的做法，降低了窗片本身的加工难度，窗片的光学特性能够在较小尺寸范围内得到精确的控制，成形激光束不会受到因窗片特性不均匀而引起的额外的不良影响，能够保证工艺效果更加稳定。

公开(公告)号：CN102339865B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110308925.9

申请日：2011-10-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  付军 ,  王玉东 ,  刘志弘 ,  张伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种带有应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺。在MOS器件源漏接触区两侧制作开槽结构，阻断或者减弱来自源漏两侧的对沟道区的作用，排除了沟道两侧材料对于沟道区的影响，从而使得器件沟道区只受应变帽层的应力作用，使得应力作用的效果做到最大化，而提升器件的性能。

公开(公告)号：CN102315108B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110273453.8

申请日：2011-09-15

Applicant: 清华大学

Inventor： 周卫 ,  严利人 ,  刘朋 ,  窦维治

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造工艺范围的涉及一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法。该激光退火方法采用倾斜入射方式，在实施激光退火时，激光束与晶圆的法线方向之间呈现一个夹角，激光束的束斑作用在晶圆上的三维器件结构上，晶圆的运动方向与激光束在晶圆上的投影所形成的直线段平行。针对三维器件结构和倾斜离子注入工艺制备的器件进行退火。通过激光倾斜辐照，可以使复杂结构半导体器件的正面和侧面的浅表面层得到相同的激光表面退火处理，也可以沿着倾斜离子注入的方向透过离子注入窗口将杂质激活，得到特殊的杂质分布的器件结构。利用激光倾斜入射的投影效应，进行选择性退火，即被照射区域退火，而未被照射的盲区不退火。

公开(公告)号：CN103117212A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310073999.8

申请日：2011-09-15

Applicant: 清华大学

Inventor： 周卫 ,  严利人 ,  刘朋 ,  窦维治

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造工艺范围的一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法。该激光退火方法采用倾斜入射方式，在实施激光退火时，激光束与晶圆的法线方向之间呈现一个夹角，激光束的束斑作用在晶圆上的三维器件结构上，晶圆的运动方向与激光束在晶圆上的投影所形成的直线段平行。针对三维器件结构和倾斜离子注入工艺制备的器件进行退火。通过激光倾斜辐照，可以使复杂结构半导体器件的正面和侧面的浅表面层得到相同的激光表面退火处理，也可以沿着倾斜离子注入的方向透过离子注入窗口将杂质激活，得到特殊的杂质分布的器件结构。利用激光倾斜入射的投影效应，进行选择性退火，即被照射区域退火，而未被照射的盲区不退火。

公开(公告)号：CN102945798A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210426177.9

申请日：2012-10-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  周卫 ,  韩冰

IPC: H01L21/268

Abstract: 本发明公开一种超薄氧化层的激光处理生长方法，为解决现有超薄氧化层生长厚度难以精确控制等问题而发明。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法为在硅片的浅表面引入氧化剂后对该硅片进行激光照射，通过激光给能促使化学反应发生而形成超薄氧化层。氧化剂的引入方法为：将硅片放置在氧化性气氛中；或，对硅片浅表面进行低能离子注入氧元素；亦或，在硅片浅表面内低能离子注入氧元素后将该硅片放置在氧化性气氛中。本发明超薄氧化层的激光处理生长装置包括进气孔、出气孔、密封工艺腔室、载片台、激光器和透明窗口。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法及装置结构合理，使用方便，可生成质量好的薄氧化层，适用于多种半导体器件中薄氧化层的制备。

公开(公告)号：CN102169816B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201110056560.5

申请日：2011-03-09

Applicant: 清华大学

Inventor： 周卫 ,  严利人 ,  刘朋 ,  窦维治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制作工艺的深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置。在被加工的圆片上方加一个屏蔽电极，该屏蔽电极位于承载片台和被加工的圆片的上方，与被加工圆片表面平行，电极中心有一个小孔可使深紫外激光透过，电极相对于激光光束静止不动，该激光退火设备由深紫外激光器来提供脉冲激光束，激光束经过扩束、匀束、边沿处理的光路，并通过屏蔽电极上的小孔投射到一个可以进行X-Y平面二维精确定位和移动的承载片台上，对放置于平台上的被加工圆片进行激光退火。屏蔽电极相对于激光束静止不动，承载片台可以进行二维的匀速或步进式移动。承载片台接地，屏蔽电极相对于片台和圆片为负电位，这样可以有效地抑制由于深紫外激光照射而产生的外光电效应现象，防止在退火过程中由于电子逃逸出圆片所造成的器件损伤。

公开(公告)号：CN102938369A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210484714.5

申请日：2012-11-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  周卫 ,  张伟

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明公开了一种外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔，为解决现有的外延生长预处理工艺中，采用加热方法去除衬底表面杂质所带来到产品的品质表面、操作繁琐等问题而设计。所述外延生长预处理方法为使用激光照射衬底，以使所述衬底所需外延生长的表面局部升温至外延生长预处理所需温度；其中，所述衬底位于还原性气体中。所述外延生长预处理工艺腔，包括工艺腔体；所述工艺腔体上设有进气口、出气口以及用于照射位于所述工艺腔体内的衬底的激光装置。本发明外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔具有操作简便、快捷，产品质量有保证的特点。