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公开(公告)号：CN110546564A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026748.5
申请日：2018-06-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本实施方式涉及能够降低半导体发光元件对从空间光调制元件输出的调制后的光产生的衰减或衍射作用的发光装置，该发光装置包括从光输出面输出光的半导体发光元件，和对该光进行调制的反射型的空间光调制元件。空间光调制元件包括面积比半导体发光元件的光输入面大的光入射出射面，对经由光输入输出面中的与半导体发光元件的光输出面相对的区域取入的光进行调制，将调制后的光从该光输入输出面中的其他的区域输出到半导体发光元件的光输入面以外的空间。
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公开(公告)号：CN110383609A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016036.5
申请日：2018-03-26
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本实施方式所涉及的半导体发光模块包括分别输出所期望的光束投影图案的光的多个半导体发光元件和保持该多个半导体发光元件的支承基板，多个半导体发光元件分别包括用于使目标光束投影图案形成于目标光束投影区域的相位调制层，多个半导体发光元件包括光束投影方向、目标光束投影图案和发光波长中的至少任一者不同的第1和第2半导体发光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109690890A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780054735.4
申请日：2017-08-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/183
Abstract: 本实施方式涉及一种具有能够从S－iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的半导体发光元件等。该半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和各自单独地配置于特定位置的多个差异折射率区域。一对覆盖层的一层具有分布布拉格反射层，其具有对相对于光出射面的倾斜方向的特定光像的透过特性和对沿光出射面的法线方向输出的0次光的反射特性。
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公开(公告)号：CN104106184B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201280069122.5
申请日：2012-11-07
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01L33/105 , H01L2933/0083 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S2301/02 , H01S2301/176
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具备电极(8)、活性层(3)、光子晶体层(4)、电极(9)，活性层(3)和电极(8)之间、以及活性层(3)和电极(9)之间彼此导电类型不同，电极(8)具有开口部(8a)，电极(8)、活性层(3)、光子晶体层(4)、电极(9)沿X轴层叠，X轴通过从该X轴的轴线方向看到的开口部(8a)的中央部(8a2)，电极(9)具有从X轴的轴线方向看位于Y轴方向的相反方向的端部(9e1)、和位于Y轴方向的端部(9e2)，开口部(8a)具有从X轴看位于Y轴方向的相反方向的端部(8e1)和位于Y轴方向的端部(8e2)，电极(9)的端部(9e1)和开口部(8a)的端部(8e1)，从X轴的轴线方向看大致一致。
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公开(公告)号：CN105960744A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201480074880.5
申请日：2014-11-10
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01S5/0683 , H01S5/022 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187
Abstract: 本发明涉及半导体激光模块，具备能够射出主光束和副光束的面发光激光元件、能够检测副光束的光强度的监测用光检测元件，面发光激光元件是PCSEL，主光束和副光束被射出至面发光激光元件的上方，仅以预先确定的角度互相倾斜，相对于面发光激光元件的驱动电流值的主光束的峰值光强度以及副光束的峰值光强度的各个的变动互相相关。因此，如果使用表示副光束的峰值光强度的监测用光检测元件的输出的话，则能够推定主光束的峰值光强度。
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公开(公告)号：CN103038959B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180037546.9
申请日：2011-06-21
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01L33/005 , H01L2933/0083 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/3202 , H01S5/3432 , H01S2304/04
Abstract: 本发明所涉及的半导体面发光元件其特征在于具备：光子晶体层（6），周期性地将多个孔（H）形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层（6A）内，并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层（6B）在孔（H）内生长；活性层（4），对光子晶体层（6）提供光；基本层（6A）的主表面为（001）面，孔（H）的侧面具有至少不同的3个{100}面。
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公开(公告)号：CN104106184A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201280069122.5
申请日：2012-11-07
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01L33/105 , H01L2933/0083 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S2301/02 , H01S2301/176
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具备电极(8)、活性层(3)、光子晶体层(4)、电极(9)，活性层(3)和电极(8)之间、以及活性层(3)和电极(9)之间彼此导电类型不同，电极(8)具有开口部(8a)，电极(8)、活性层(3)、光子晶体层(4)、电极(9)沿X轴层叠，X轴通过从该X轴的轴线方向看到的开口部(8a)的中央部(8a2)，电极(9)具有从X轴的轴线方向看位于Y轴方向的相反方向的端部(9e1)、和位于Y轴方向的端部(9e2)，开口部(8a)具有从X轴看位于Y轴方向的相反方向的端部(8e1)和位于Y轴方向的端部(8e2)，电极(9)的端部(9e1)和开口部(8a)的端部(8e1)，从X轴的轴线方向看大致一致。
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