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公开(公告)号：CN101032006A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200680000868.5
申请日：2006-02-15
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/316
CPC classification number: C23C16/403 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45546 , C23C16/509 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/3141 , H01L21/3162 , H01L21/3185
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。
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公开(公告)号：CN1789489A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118668.7
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/513 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：收容多层配置的基板的反应室；多个缓冲室；将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部；上述多个缓冲室分别具有沿上述基板的多层配置方向设置的多个供气口；将由上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体从上述多个供气口分别提供给上述反应室，在上述多个缓冲室中的一个缓冲室内设置有活性化上述用于处理基板的气体的电极，而其它缓冲室不设置活性化上述用于处理基板的气体的电极。
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公开(公告)号：CN1762044A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007523.3
申请日：2004-03-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/50 , H01F19/08 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置和器件的制造方法。该衬底处理装置能将远程等离子体和在整个处理室产生的等离子体的优点结合起来，实现良好的处理。该衬底处理装置具有：从外侧包围处理空间(1)地设置的、连接在地线上的导电性构件(10)和设置于上述导电性构件内侧的一对电极(4)。绝缘变压器(7)的初级线圈电连接在上述高频电源部(14)上，次级线圈电连接在上述电极(4)上。在连接次级线圈和电极(4)的连接线上连接有切换开关(13)。通过使用切换开关(13)切换连接线与地线的连接/非连接，能切换处理空间(1)中的等离子体产生区域。
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公开(公告)号：CN1455434A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03109343.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45546 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01J37/3244
Abstract: 本发明涉及基板处理装置及反应容器，在反应管6内设置了缓冲室17，该缓冲室17拥有同一开口面积的缓冲室孔3；在其内部配置了气嘴2，该气嘴2拥有从气体的上游一侧到下游一侧开口面积逐渐变大的气嘴孔4；将由气嘴2喷出的气体暂时输入缓冲室17，使气体的流速均匀之后，由缓冲室孔3提供给晶片7。
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