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公开(公告)号：CN102918650B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201180028292.4
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/7869
Abstract: 发明的目的之一是提供一种具有新的电极结构的晶体管，该晶体管即使降低在源电极（漏电极）与栅电极的重叠部分产生的寄生电容，也可以大致保持通态电流。通过将晶体管的源电极和漏电极形成为梳形，降低寄生电容。此外，通过控制梳形电极层的端部的宽度和电极齿形部分之间的间隔，可以产生从电极齿形部分的侧边流过的曲线电流。因为该曲线电流补偿因将电极形成为梳形而降低的线性电流，所以即使降低寄生电容，也可以保持与降低寄生电容以前大致相同的通态电流。
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公开(公告)号：CN106200185A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610843907.3
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G09G3/3611 , G09G3/3648 , G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G5/18 , G09G2310/0286 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2330/022 , G09G2330/027 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号：CN105981193A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580008029.7
申请日：2015-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3293 , H01L27/3204 , H01L27/3297 , H01L51/0097 , H01L51/5212 , H01L51/5228 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
Abstract: 为了提供一种适合于在尺寸上增大的显示设备、一种显示不均匀性得到抑制的显示设备、或者一种能够沿着曲面显示图像的显示设备。上述显示设备包括第一显示面板及第二显示面板，其中第一显示面板及第二显示面板各自包括一对衬底。所述第一显示面板及第二显示面板各自包括第一区域、第二区域及第三区域，其中第一区域可以透射可见光，第二区域可以阻挡可见光，第三区域可以进行显示。第一显示面板的第三区域与第二显示面板的第一区域彼此重叠。第一显示面板的第三区域与第二显示面板的第二区域彼此不重叠。
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公开(公告)号：CN105938701A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610121709.6
申请日：2016-03-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G06F3/0416 , G02F1/134363 , G02F2001/134372 , G06F3/0485 , G06F3/04855 , G09G3/20 , G09G2310/0224 , G09G2320/0626 , G09G2320/066 , G09G2320/0686 , G09G2320/10
Abstract: 本发明的一个方式是能够减轻给使用者的眼睛的负担来实现护眼显示。本发明的一个方式是一种显示系统，包括显示部、输入部以及控制部。显示部具有显示图像的功能，输入部具有检测来自使用者的输入并将信号输出到控制部的功能，控制部具有执行第一模式及第二模式的功能。第一模式是控制部在显示部上以隔行扫描方式显示图像的模式，第二模式是控制部在显示部上以逐行扫描方式显示图像的模式。控制部具有根据信号切换第一模式及第二模式的功能。
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公开(公告)号：CN103688303B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280036250.X
申请日：2012-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0262 , G09G2320/0233 , G09G2320/045 , H01L27/1225
Abstract: 一种抑制像素的亮度的偏差的发光装置。发光装置至少包括晶体管、第一布线、第二布线、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、电容元件以及发光元件。通过第一开关第一布线和电容元件的第一电极彼此电连接。电容元件的第二电极连接到晶体管的第一端子。通过第二开关第二布线和晶体管的栅极彼此电连接。通过第三开关电容元件的第一电极和晶体管的栅极彼此电连接。通过第四开关晶体管的第一端子和发光元件的阳极彼此电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105553462A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510910099.3
申请日：2011-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0944 , H03K23/44 , H01L21/288 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/04 , H01L29/786 , G09F9/30 , G09G3/36
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比率W/L和第三晶体管的W/L各大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L等于第七晶体管的W/L。第三晶体管的W/L大于第四晶体管的W/L。利用这样的结构，脉冲信号输出电路能够稳定地操作，并且能够提供包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。
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公开(公告)号：CN102474256B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201080028699.2
申请日：2010-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/0175 , G09G3/20 , G11C19/00 , G11C19/28
CPC classification number: H03K17/693 , G09G3/2092 , G09G3/3266 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/0267 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , G11C19/28 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H03K17/002
Abstract: 本发明的目的是提供包括正常导通的薄膜晶体管的驱动器电路，其中该驱动器电路确保了故障少的且高可靠性的操作。该驱动器电路包括包含具有第一晶体管和第二晶体管的反相器电路以及具有第三晶体管的开关的静态移位寄存器。第一至第三晶体管各自包括包含氧化物半导体的半导体层并且是耗尽模式晶体管。用于驱动第三晶体管的时钟信号的振幅电压高于用于驱动反相器电路的电源电压。
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公开(公告)号：CN102834861B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180018311.5
申请日：2011-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/1368 , G09G3/20 , G09G3/34
CPC classification number: G09G5/18 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F3/045 , G09G3/006 , G09G3/3413 , G09G3/3426 , G09G3/3648 , G09G3/3674 , G09G3/3696 , G09G2300/0408 , G09G2300/0426 , G09G2300/08 , G09G2310/0235 , G09G2310/0286
Abstract: 为了提高场序液晶显示设备设计的图像信号的输入频率。图像信号被并发地提供给在布置在液晶显示设备像素部分内的矩阵中的像素中的多个行中提供的像素。因此，可以提高每个像素的图像信号的输入频率，而不改变包括在液晶显示设备内的晶体管等的响应速度。
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公开(公告)号：CN102783030B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180011903.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/0175 , H03K19/094 , H03K19/0952
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677 , G09G3/3696 , G09G2300/0809 , G09G2310/0286 , G11C19/184 , H01L25/03 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L2924/0002 , H03K19/0013 , H05K7/02 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比率W/L和第三晶体管的W/L各大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L等于第七晶体管的W/L。第三晶体管的W/L大于第四晶体管的W/L。利用这样的结构，脉冲信号输出电路能够稳定地操作，并且能够提供包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。
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公开(公告)号：CN105074806A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480010926.7
申请日：2014-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G02F1/1345 , G09F9/30 , G09G3/36 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G11C19/28 , G02F1/136277 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G09G2310/0291 , G09G2310/0297 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的一个方式可以提供一种具有高开口率且包括高电荷容量的电容器的半导体装置。本发明的一个方式可以提供一种窄边框的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的晶体管；其上设置有晶体管的栅电极的面上的第一导电膜；其上设置有晶体管的一对电极的面上的第二导电膜；以及与第一导电膜及第二导电膜电连接的第一透光导电膜。第二导电膜隔着第二导电膜与第一导电膜之间的晶体管的栅极绝缘膜与第一导电膜重叠。
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