公开(公告)号：CN104538437A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410665794.3

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  大原宏树 ,  鹿山昌代

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/40 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/43

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层，及漏电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的栅电极层、源电极层及漏电极层的材料不同于第二晶体管的那些，并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。

公开(公告)号：CN102918650B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201180028292.4

申请日：2011-03-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  鹿山昌代

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L29/7869

Abstract: 发明的目的之一是提供一种具有新的电极结构的晶体管，该晶体管即使降低在源电极（漏电极）与栅电极的重叠部分产生的寄生电容，也可以大致保持通态电流。通过将晶体管的源电极和漏电极形成为梳形，降低寄生电容。此外，通过控制梳形电极层的端部的宽度和电极齿形部分之间的间隔，可以产生从电极齿形部分的侧边流过的曲线电流。因为该曲线电流补偿因将电极形成为梳形而降低的线性电流，所以即使降低寄生电容，也可以保持与降低寄生电容以前大致相同的通态电流。

公开(公告)号：CN102918650A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180028292.4

申请日：2011-03-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  鹿山昌代

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种具有新的电极结构的晶体管，该晶体管即使降低在源电极（漏电极）与栅电极的重叠部分产生的寄生电容，也可以大致保持通态电流。通过将晶体管的源电极和漏电极形成为梳形，降低寄生电容。此外，通过控制梳形电极层的端部的宽度和电极齿形部分之间的间隔，可以产生从电极齿形部分的侧边流过的曲线电流。因为该曲线电流补偿因将电极形成为梳形而降低的线性电流，所以即使降低寄生电容，也可以保持与降低寄生电容以前大致相同的通态电流。

公开(公告)号：CN104538437B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201410665794.3

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  大原宏树 ,  鹿山昌代

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层，及漏电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的栅电极层、源电极层及漏电极层的材料不同于第二晶体管的那些，并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。

公开(公告)号：CN101997004B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201010248821.9

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  大原宏树 ,  鹿山昌代

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层，及漏电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的栅电极层、源电极层及漏电极层的材料不同于第二晶体管的那些，并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。

公开(公告)号：CN101997004A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010248821.9

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  大原宏树 ,  鹿山昌代

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层，及漏电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的栅电极层、源电极层及漏电极层的材料不同于第二晶体管的那些，并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。