公开(公告)号：CN104658915A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510086663.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  大原宏树 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/477 ,  H01L21/473 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。

公开(公告)号：CN101901768B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201010194245.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  大原宏树 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/477 ,  H01L21/473 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。

公开(公告)号：CN101847661B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201010149895.7

申请日：2010-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  岸田英幸 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G09G3/3258 ,  G09G3/3275 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0248 ,  G09G2310/0297 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一种方式的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；包含氧化硅的氧化物半导体层；栅电极和氧化物半导体层之间的绝缘层；包含氧化硅的氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间的源区及漏区，其中，源区及漏区使用退化的氧化物半导体材料或氧氮化物材料。

公开(公告)号：CN101997004B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201010248821.9

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  大原宏树 ,  鹿山昌代

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层，及漏电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的栅电极层、源电极层及漏电极层的材料不同于第二晶体管的那些，并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。

公开(公告)号：CN102255053B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201110184965.7

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田寿雄 ,  大原宏树 ,  细羽诚 ,  坂田淳一郎 ,  伊藤俊一

IPC: H01L51/52 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L51/5253 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。

公开(公告)号：CN104124280A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410347324.2

申请日：2010-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大原宏树 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN103489871A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310317861.8

申请日：2010-07-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  桑原秀明

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

公开(公告)号：CN101997004A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010248821.9

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  大原宏树 ,  鹿山昌代

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层，及漏电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的栅电极层、源电极层及漏电极层的材料不同于第二晶体管的那些，并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。

公开(公告)号：CN101894759A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010146957.9

申请日：2010-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大原宏树 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/471 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN100377292C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03132892.X

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  长尾里筑子 ,  坂仓真之 ,  仲泽美佐子 ,  宫城德子 ,  池田寿雄 ,  土屋薰 ,  石垣步 ,  高桥正弘 ,  松田宪之 ,  大原宏树

IPC: H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。