公开(公告)号：CN108417614A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201710659295.7

申请日：2017-08-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 玉城朋宏 ,  中村和敏 ,  下条亮平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613

Abstract: 有关实施方式的半导体装置具有第1电极、多个第1区域、多个第2区域、第1导电型的第8半导体区域、第2导电型的第9半导体区域、第1导电型的第10半导体区域、多个第2电极及第3电极。第1区域具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域及栅极电极。第2区域具有第2导电型的第5半导体区域、第2导电型的第6半导体区域及第1导电型的第7半导体区域。第1区域和第2区域交替地设置。第8半导体区域与多个第1半导体区域电连接。第3电极具有隔着第1绝缘层设在第10半导体区域之上的布线部。

公开(公告)号：CN104900717A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410306543.6

申请日：2014-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 下条亮平 ,  田中文悟

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种能够提高恢复耐量的半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(11)，具有第1面(11a)和与第1面对置的第2面(11b)；第2导电型的第2半导体层(12)，设置于第1面侧；第2导电型的第3半导体层(13)，部分地设置在第2半导体层内；第1导电型的第4半导体层(14)，设置在第1半导体层与第2半导体层之间，具备与第3半导体层对置且具有第1杂质浓度的第1区域(14a)、以及具有比第1杂质浓度高的第2杂质浓度的第2区域(14b)；第1导电型的第5半导体层(15)，设置于第2面；导电体(16)，经由绝缘膜(17)与第1半导体层、第2半导体层以及第3半导体层相接。

公开(公告)号：CN104518015A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410017484.0

申请日：2014-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 下条亮平 ,  中村和敏 ,  小仓常雄 ,  末代知子

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供能够实现开关动作高速化的半导体装置，包括第一～第五半导体区域、多个控制电极、多个导电部、第一、第二绝缘膜、第一、第二电极。多个控制电极在第一半导体区域相互分离地设置。多个导电部设置在第一控制电极和第二控制电极之间。第二半导体区域设置在第一半导体区域。第三半导体区域设置在第二半导体区域。第四半导体区域设置在第一及第二半导体区域之间。第五半导体区域设置在第一半导体区域的与第二半导体区域相反的一侧。第一绝缘膜设置在各个控制电极与第一～第四半导体区域之间。第二绝缘膜设置在各个导电部与第一、第二及第四半导体区域之间。第一电极与第二、第三半导体区域及多个导电部导通。第二电极与第五半导体区域导通。

公开(公告)号：CN103681786A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310386727.3

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小仓常雄 ,  末代知子 ,  押野雄一 ,  池田佳子 ,  中村和敏 ,  下条亮平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体层，设置于所述第1电极与所述第2电极之间，与所述第1电极进行欧姆接触；第1导电型的第2半导体层，包括设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间的部分和设置于所述第1电极与所述第2电极之间并与所述第1电极进行肖特基接触的部分，所述第2半导体层的有效杂质浓度比所述第1半导体层的有效杂质浓度低；第1导电型的第3半导体层，设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间，所述第3半导体层的有效杂质浓度比所述第2半导体层的有效杂质浓度低；以及第2导电型的第4半导体层，设置于所述第3半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极接触。

公开(公告)号：CN103367411A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310070317.8

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 下条亮平

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种功率半导体装置。按照一个实施方式，功率半导体装置设置有半导体衬底、基底层、元件部、保护环和绝缘物质。半导体衬底具有第1导电型的漂移层。基底层具有第2导电型，选择性地形成在漂移层的表面。元件部形成在基底层和漂移层的表面。保护环具有第2导电型，设置了多个保护环，选择性地形成在元件部的周围的漂移层的表面。绝缘物质埋设在保护环中的至少1个保护环中。