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公开(公告)号：CN107572589B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201711023447.0
申请日：2017-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种蓝色氧化钨纳米线的制备方法，目前，氧化钨纳米线的制备方法主要包括水热法、热蒸发法、溶胶凝胶法和化学气相沉积法等。虽然氧化钨纳米线的制备方法已有报道，但是制备方法往往复杂，工艺繁琐成本高。本发明方法以硫化钨(WS2)固态粉末为钨源，水蒸汽为氧化还原剂，采用CVD法制备蓝色氧化钨纳米线。本发明采用水蒸汽高温氧化硫化钨粉末来制备蓝色氧化钨纳米线，制备方法简单、产物为蓝色氧化钨纳米线，纳米线的直径分布均匀结晶质量好。
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公开(公告)号：CN110061134A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910213222.4
申请日：2019-03-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种模板法生长硫化钨分子层薄膜的方法，本发明在表面生长氧化硅的硅基底上，首先沉积制备荧光染料分子层，然后制备WS2单分子层，接着制备有机半导体层，最后沉积金属电极。荧光染料分子层用于提高对可见光的光吸收以及发射荧光，WS2作为光敏层产生光生载流子，有机半导体层作为载流子输运层将载流子输运至金属电极。本发明PCBM将不连续的WS2单分子层实现电学上的导通，WS2作为光电探测器的光敏层提供光生载流子，荧光染料分子提高器件对光的吸收率同时发射出荧光提高激发光光能量密度。荧光染料分子层的施加，提高了器件的外量子效率。
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公开(公告)号：CN105483646B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610038774.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种紫外吸收薄膜材料的制备方法。近紫外光吸收屏蔽薄膜常见的有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜化学性质不够稳定比如遇到弱酸即溶解。六方氮化硼化学稳定性好，薄膜柔韧性好，光学禁带宽度6.1eV，能够吸收屏蔽202nm附近的紫外光，可以用作紫外吸收屏蔽材料。但是六方氮化硼紫外吸收范围窄，通过氧掺杂后可以调节六方氮化硼的禁带宽度，增加六方氮化硼对紫外光的吸收范围。本专利通过化学气相沉积法在生长六方氮化硼的同时进行氧掺杂，获得氧掺杂六方氮化硼薄膜，这种方法制备的六方氮化硼薄膜对紫外光吸收的波长范围扩大到190nm～380nm，适合用作近紫外光的吸收材料。
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公开(公告)号：CN107699956A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711146922.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明一种利用二维硫化钼刻蚀氧化硅的方法，本发明采用气相沉积法在氧化硅薄膜表面生长具有三角形形貌的硫化钼晶片，晶片厚度为单分子层或多分子层厚薄膜，厚度在1nm到15nm之间；然后将表面生长有硫化钼晶片的氧化硅在一定温度含有水蒸气的密闭容器中处理一定时间，在氧化硅表面刻蚀出图案，完成硫化钼晶片形成的平面图案向氧化硅薄膜表面的转移。本发明方法通过高温水蒸气与硫化钼的作用将氧化硅刻蚀，刻蚀过程中没有氢氟酸这类毒性强的试剂参与，刻蚀过程环保；同时利用该发明可以实现二维硫化物纳米结构图形向氧化硅基底的转移，方法简单、方便和可操作性强。
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公开(公告)号：CN102557022B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210052928.5
申请日：2012-03-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯导电泡沫的制备方法。本发明方法首先将石墨片加入含有硝酸钠的浓硫酸中，再加入高锰酸钾，35～40℃下保温60～90分钟；磁力搅拌下加入水，85～95℃下保温60～90分钟；加入质量含量30%的双氧水，搅拌后过滤，经过两次分散和离心分离后超声分离，获得氧化石墨烯；将泡沫分散有氧化石墨烯的水中，将氧化石墨烯涂覆在泡沫表面，捞出泡沫后浸入含有还原剂的水溶液中进行还原反应，获得表面涂覆石墨烯导电层的导电泡沫。本发明方法通过泡沫表面吸附石墨烯导电薄膜获得导电泡沫，制备的导电泡沫具有密度低、电导率高、比表面积大、成本低的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102337513B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110336836.5
申请日：2011-10-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明涉及石墨烯透明导电薄膜的制备方法。目前大尺寸石墨烯导电薄膜向透明基底转移制备透明导电薄膜的过程中需溶解去除金属催化剂，去除高分子保护膜，易造成薄膜表面污染及无法重复利用催化剂的问题。本发明方法首先以过渡金属为催化剂通过化学气相沉积法制备了石墨烯，然后用粘结剂将过渡金属表面生长的石墨烯与透明薄膜基底粘结在一起，通过机械外力将金属与石墨烯分离，分离后的石墨烯转移至透明基底表面实现了石墨烯透明导电薄膜的制备。本发明方法制备的石墨烯透明导电薄膜，尺寸大、表面无污染，光学、电学性能优异，成本低，而且还具有柔性，可用作氧化铟锡透明导电玻璃的替代材料。
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公开(公告)号：CN102383017B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110354855.0
申请日：2011-11-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种铕基ThCr2Si2结构的低温磁制冷材料及制备方法。本发明的磁性材料化学通式为：Eu-T-X，T为Fe或Cu，X为P或As，该磁性材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。本发明方法首先将稀土金属铕、过渡金属和非金属按比例混合成原料，其中过渡金属为Fe或Cu，非金属为P或As；然后将原料置于石英容器内，抽真空后封闭，将石英容器升温至400～450℃后保温，继续升温至800～900℃后保温；冷却后将制品压片成型，经高温退火、冷却得到成品。本发明方法采用缓慢升温、分步反应的方法，有效地克服了P或As的挥发。本发明方法相对工艺简单，易于实现，制得的磁制冷材料具有良好的磁、热可逆性质。
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公开(公告)号：CN101112971A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710069876.1
申请日：2007-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种制备可以控制粒径的纳米氟化物的制备方法。目前在制备纳米氟化物中无法实现既能有效控制粒径又具有较高产量和低成本。本发明工艺过程包括将有机溶剂和水混合，配制成混和溶剂；将制备纳米氟化物所需的反应物分别溶于混合溶剂中，分别配制成饱和的反应物溶液；将一种反应物溶液倾倒入另一种反应物溶液进行沉淀反应；将沉淀反应生成的沉淀物陈化、分离、洗涤、烘干。本发明可适用制备各种氟化物，粒径控制效果好，工艺过程简单，成本低，产量大，同时还兼改善产物的分散性等形貌性质。
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公开(公告)号：CN110061134B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910213222.4
申请日：2019-03-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种模板法生长硫化钨分子层薄膜的方法，本发明在表面生长氧化硅的硅基底上，首先沉积制备荧光染料分子层，然后制备WS2单分子层，接着制备有机半导体层，最后沉积金属电极。荧光染料分子层用于提高对可见光的光吸收以及发射荧光，WS2作为光敏层产生光生载流子，有机半导体层作为载流子输运层将载流子输运至金属电极。本发明PCBM将不连续的WS2单分子层实现电学上的导通，WS2作为光电探测器的光敏层提供光生载流子，荧光染料分子提高器件对光的吸收率同时发射出荧光提高激发光光能量密度。荧光染料分子层的施加，提高了器件的外量子效率。
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