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公开(公告)号：CN115993371A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310291080.X
申请日：2023-03-23
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/95 , H01L21/66 , H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro‑LED‑Wafe外观检测装置及方法，Micro‑LED‑Wafe外观检测装置通过在圆筒罩底部设置有第一喷气口，由第一喷气装置将气体从第一喷气口喷出以使晶圆悬浮于圆筒罩中，通过在圆筒罩的周壁上均匀设置有多组第二喷气口，由第二喷气装置将气体从各第二喷气口喷出以保持晶圆位于圆筒罩的轴心线上，并由第一摄像头组和第二摄像头组对晶圆的表面图像进行拍摄，从而，无需对晶圆进行夹持也能实现对晶圆的全面检测，而且各个摄像头与晶圆之间不存在除空气以外的其他介质，减少了由于其它中间介质的存在而导致的检测误差，从而保证了检测结果的准确性。
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公开(公告)号：CN115673179A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202310001189.5
申请日：2023-01-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及加热工装技术领域，具体而言，涉及一种笼状加热丝缠绕装置及缠绕方法，通过设置第一固定板上的拉杆可以相对第一固定板沿轴向调节位置，第二固定板上的拉杆可以相对第二固定板沿轴向调节位置，在同一个加热笼具有不同形状或不同温度区需求的时候，通过分别调节第一固定板和第二固定板的拉杆的位置，从而可以实现在一个笼状加热丝缠绕装置上缠绕不同密度的加热丝以满足同一个加热笼具有不同温度分布区的需求，其操作简单方便，其缠绕出来的加热笼具有很好的一致性，无需另外设置不同规格的缠线工装来满足不同温度区的需求。
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公开(公告)号：CN115637490A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211378289.1
申请日：2022-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉，其中，制作方法包括步骤：S1、准备石墨材质的芯轴组件；S2、在芯轴组件外周外延沉积生成第一热解氮化硼层；S3、在第一热解氮化硼层外周折弯缠绕加热丝，使加热丝紧贴固定在第一热解氮化硼层表面；S4、在第一热解氮化硼层外周外延沉积生成第二热解氮化硼层，第二热解氮化硼层完全覆盖加热丝；S5、氧化消除芯轴组件；该制作方法在无需增加额外工艺手段的前提下能制作出结构简单、制作成本低、制作效率高、热效率高、热场分布均匀且保温效果出众的集成式分子束外延坩埚。
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公开(公告)号：CN115595553A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211407075.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 季华实验室(CN)
Abstract: 本申请涉及光电领域，本申请公开一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材，包括以下步骤：将基材放置于金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液中进行超声处理；将处理后的所述基材放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，进行等离子体清洗；在所述基材表面生长金刚石过渡层；生长高致密度的纳米晶金刚石层；生长高取向（100）微米晶金刚石层；对所述基材表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有所述复合金刚石保护膜的所述基材。所述复合金刚石保护膜为具有高激光损伤阈值的保护膜，可大幅度提升基材的抗激光损伤阈值。
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公开(公告)号：CN115386856A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211279601.1
申请日：2022-10-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法，属于真空计领域，金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤：在两片衬底的正面沉积金刚石；其中一片衬底直接沉积得到第一部件，另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件；取下金属环，并去除第一部件和第二部件背面的衬底；在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层；在金属层上焊上导线，且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔；将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合；在第二部件朝上的状态下沉积金刚石，得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容，用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114935976A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210711264.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及屏幕显示技术领域，具体提供了一种分区显示方法、系统、电子设备及存储介质，应用在分区显示系统中，分区显示系统包括视觉相机和显示屏，视觉相机用于生成采集显示屏前的图像信息，分区显示方法包括以下步骤：根据图像信息获取任一人眼的第一人眼尺寸信息；根据第一人眼尺寸信息获取人眼到显示屏的第一距离信息；根据图像信息获取第一人眼尺寸信息对应人眼的第一偏移信息和瞳孔在该人眼中的第二偏移信息；根据第一距离信息、第一偏移信息和第二偏移信息获取对应人眼在显示屏上的注视区域；控制显示屏在注视区域内显示高刷新率画面信息；该分区显示方法使显示屏能够同时实现高刷新率显示和降低功耗。
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公开(公告)号：CN114659706B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210544153.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于真空计量技术领域，公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统，通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号；分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理，得到第一峰值信号和第二峰值信号；对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理，得到电压差值信号；对所述电压差值信号进行计算处理，得到真空度检测结果，其中差分处理可以减少信号干扰，提高检测精度，从而保证真空度检测结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN111778484B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010513293.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/32
Abstract: 本申请实施例提供了一种变径磁过滤等离子体引出装置及真空离子束镀膜设备。该变径磁过滤等离子体引出装置，包括：一管体，所述管体包括第一端和第二端，所述管体在所述第一端与所述第二端之间的横截面的尺寸按照预设规律变化；一导电线，其沿着所述管体的外侧壁逐圈缠绕，以在所述管体的外壁上形成与所述管体外壁轮廓对应的导电螺线管。本申请实施例通过该管体的变化设置及导电线的提供的磁场，可以解决现有过滤阴极过滤管道及磁路设计困难，大颗粒杂质过滤效果差，沉积端离子束光斑不可变等问题，同时可以提高等离子体的利用效率，可以提高沉积形成的膜层的质量以及均匀性。
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公开(公告)号：CN114459670B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210380028.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计,其包括：壳体，所述壳体具有一容置腔；弹性膜片，所述弹性膜片将所述容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，所述连接口与所述测量室连通；固定基板，所述固定基板设在所述参考腔中，所述固定基板与所述弹性膜片平行，且在靠近所述弹性膜片一侧设有固定电极；感应膜片，所述感应膜片平行地设置在所述固定电极和所述弹性膜片之间，并通过支架与所述弹性膜片连接；所述支架可在所述弹性膜片变形时带动所述感应膜片靠近或远离所述固定电极移动；从而有效提高电容薄膜真空计的精确度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN114323363B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210251301.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于压力传感器技术领域，公开了一种电容式真空压力传感器，包括具有容置腔的壳体，还包括感压膜片及固定电极，感压膜片与固定电极均为圆筒形状，感压膜片设置在容置腔内，感压膜片的两端分别连接容置腔的顶部和底部，感压膜片将容置腔分为测量腔及参考腔，固定电极设置在参考腔内，固定电极与感压膜片组成可变电容器。本申请的电容式真空压力传感器将感压膜片和固定电极均设计为圆筒形状，与现有技术中同等体积的电容薄膜真空计相比，基础电容值得到增大，有效提高了电容式真空压力传感器的灵敏度和精度，降低了电容信号的处理难度。
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