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公开(公告)号：CN103737195B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310746672.2
申请日：2013-12-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K35/26
Abstract: 用于铝铜软钎焊的Sn-Zn-Bi基无铅钎料合金，属于新材料技术领域。钎料合金的组分以重量百分比计包括：Zn为11-35%，Bi为16-34%，0.01-2%的Al、0.01-2%的Ni中的一种或两种，或包括0.001-0.5%的P、0.01-0.5%的RE中的一种或两种,Sn为余量。该钎料合金在铝基板和铜基板上均具有良好的润湿性，且与铝界面和铜界面能够形成较强的结合，使钎焊接头具有优良的力学性能；可直接钎焊铝铜异种金属,也可用于铝铝之间的钎焊，工艺简单、成本低廉，较现有的钎料更适用于铝铜钎焊或铝铝钎焊。
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公开(公告)号：CN103706962B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201310746684.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K35/26
Abstract: 一种用于铝铜软钎焊的Sn-Zn-Ni无铅钎料合金，属于新材料技术领域。钎料合金的组分以重量百分比计包括：Zn为13-29%，Ni为0.5-6%，或还含有0.1-3%的Cu、0.1-3%的Ag、0.01-0.5%的RE、0.001-0.5%的P中的一种或几种，Sn为余量。该无铅钎料合金在铝界面和铜界面均能形成较强的结合，特别是在铝铜钎焊的薄弱环节铝界面处结合效果良好，使钎焊接头具有优良的力学性能和耐腐蚀性能；可直接钎焊铝铜异种金属，也可用于铝铝之间的钎焊，工艺简单、成本低廉，较现有的钎料更适用于铝铜钎焊或铝铝钎焊。
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公开(公告)号：CN104701283A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510069932.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了金属间化合物填充三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间施加直流电流，在钎料内形成电流密度。利用所述方法制备的金属间化合物填充三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿电流方向具有单一取向。本发明在钎焊回流处理过程中施加直流电流，加速金属间化合物的形成生长速率，显著提高了制作效率；金属间化合物从阳极金属层向阴极金属片连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。
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公开(公告)号：CN104690383A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510069883.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: B23K1/0008 , B23K3/00 , B23K3/08
Abstract: 一种全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，第一衬底上制备单晶或择优取向第一金属焊盘和钎料凸点，第二衬底上制备第二金属焊盘和可焊层，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体在所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，并使电流方向由第一金属焊盘指向第二金属焊盘，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，形成单一取向金属间化合物互连焊点。本发明的方法不仅加速了金属间化合物的形成速率，显著提高制作效率，而且形成的金属间化合物为单一取向，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性，实现了低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN103737195A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310746672.2
申请日：2013-12-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K35/26
CPC classification number: B23K35/262
Abstract: 用于铝铜软钎焊的Sn-Zn-Bi基无铅钎料合金，属于新材料技术领域。钎料合金的组分以重量百分比计包括：Zn为11-35%，Bi为16-34%，0.01-2%的Al、0.01-2%的Ni中的一种或两种，或包括0.001-0.5%的P、0.01-0.5%的RE中的一种或两种,Sn为余量。该钎料合金在铝基板和铜基板上均具有良好的润湿性，且与铝界面和铜界面能够形成较强的结合，使钎焊接头具有优良的力学性能；可直接钎焊铝铜异种金属,也可用于铝铝之间的钎焊，工艺简单、成本低廉，较现有的钎料更适用于铝铜钎焊或铝铝钎焊。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103528896A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310507405.X
申请日：2013-10-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种测定微电子封装焊点压缩蠕变性能的测试装置，属于材料的力学性能测试领域。测试装置的装置主体包括环境箱、样品台、定位机构和加载机构，样品台的上半部设置在环境箱中，加载机构的载荷杆依次穿过支撑台面、样品台、试样和上压板，并与支撑盘固定连接，在载荷杆的下部设有砝码托盘。在试验时，由环境箱对试样提供实验温度，由加载机构对试样施加压应力载荷，用光学位移计机构或LVDT位移计机构记录测试中试样的位移变化量。该装置使试样定位精确、加载均匀，可提高实验的准确性。通过调整环境箱温度和加载砝码数量来模拟不同温度和压力载荷条件下微电子封装焊点的工作条件，得到相应工作条件下的蠕变数据，特别适合于生产中实际微电子产品测试的需要。
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公开(公告)号：CN102820311A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210254461.2
申请日：2012-09-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L27/146 , G03F7/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明一种制作偏振敏感光电探测器的方法属于微纳米制造技术领域，特别涉及一种基于纳米压印技术制作偏振敏感光电探测器的方法。为实现光电探测器具有偏振检测的功能，利用纳米压印工艺在光电探测器上制作双层纳米金属光栅偏振器，其步骤如下：清洗光电探测器，使其表面无颗粒等污染；在光电探测器上旋涂压印胶，应用纳米压印制作纳米光栅；热蒸镀金属，在光栅之上及光栅之间沉积一层金属；旋涂光刻胶，曝光显影，利用显影液去除光电探测器引线电极上的光刻胶及热蒸镀的金属；以剩余光刻胶为掩膜，干法刻蚀去除引线电极上的压印胶。本发明消除了分立器件带来的安装误差，利用纳米压印工艺实现单片或小批量的生产。成本低，加工效率高。
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公开(公告)号：CN102644098A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210119052.1
申请日：2012-04-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种无氰Au-Sn合金的电镀液，属于电镀领域。一种无氰Au-Sn合金电镀液，包含下述组分：非氰可溶性一价金盐，亚硫酸盐，有机多元酸，可溶性二价锡盐，焦磷酸盐，锡离子氧化抑制剂，磷酸氢二盐，钴盐。本发明镀液稳定、镀速快、操作简单、Au-Sn合金成分易于控制，适用于生产。
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公开(公告)号：CN102642099A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210138861.7
申请日：2012-05-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种用于铝铜软钎焊的Sn-Zn基无铅钎料合金及其制备方法，属于新材料技术领域。钎料合金组分的重量百分比：Zn为7-8.5%；Al为0.2-0.49%；Ag为0.55-0.7%；P为0-0.1%；Ni为0-1%；RE为0-0.5%，Sn为余量。其制备步骤：（1）熔炼Zn-Al中间合金，按Zn-6Al配比在450℃保护气氛下熔炼合金，先熔化Zn再加入Al，搅拌均匀后冷却。（2）熔炼钎料合金，按所述合金配比，将纯金属及中间合金密封于石英管中，抽真空后加热石英管，合金完全熔化后，搅拌均匀，保温3小时后，水冷取出。本发明与现有的Sn基无铅钎料合金相比，在铜和铝上均有较好的润湿性，由此而具有良好的焊接性能；其焊接接头具有优良的力学性能，比现有的Sn-Ag-Cu、Sn-9Zn钎料更适合于铝铜软钎焊。
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公开(公告)号：CN203798683U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201320660117.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种测定微电子封装焊点压缩蠕变性能的测试装置，属于材料的力学性能测试领域。测试装置的装置主体包括环境箱、样品台、定位机构和加载机构，样品台的上半部设置在环境箱中，加载机构的载荷杆依次穿过支撑台面、样品台、试样和上压板，并与支撑盘固定连接，在载荷杆的下部设有砝码托盘。在试验时，由环境箱对试样提供实验温度，由加载机构对试样施加压应力载荷，用光学位移计机构或LVDT位移计机构记录测试中试样的位移变化量。该装置使试样定位精确、加载均匀，可提高实验的准确性。通过调整环境箱温度和加载砝码数量来模拟不同温度和压力载荷条件下微电子封装焊点的工作条件，得到相应工作条件下的蠕变数据，特别适合于生产中实际微电子产品测试的需要。
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