公开(公告)号：CN101325084A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200710045642.3

申请日：2007-09-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  丁益青 ,  刘欣

IPC: G11C5/14

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为对交叉型电阻转换型存储单元阵列提供动态偏置电压的方法。交叉型存储阵列依靠交叉的两条金属导线上施加的电信号进行选择操作。本发明设计了一种能够根据阵列的电阻分布情况以及外加操作信号的不同来动态产生对其他非操作的金属线对上施加的电压偏置，使高低两个阻态有较大比值的电阻转换型存储单元的交叉型阵列能够可靠工作。

公开(公告)号：CN101226988A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810032765.8

申请日：2008-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法。在生长CuxO存储介质前，沉积一薄层Ta或Al层(0.5nm～20nm)于Cu基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成TaO/CuxO或AlO/CuxO复合结构，其中CuxO充当存储介质，TaO或AlO层等效于串联电阻，可以提高存储器低阻态阻值，降低写操作电流。在Cu基体上覆盖Ta或Al薄层后，在氧化过程中会阻挡过量氧等离子体或氧气与铜接触，避免不具有存储特性的CuO生成。另外，在CuxO层上覆盖一惰性介质层，可扩大上电极材料的选择范围，消除活泼电极材料跟CuxO材料的反应，提高器件稳定性。本发明工艺简便，成本低，可显著提高CuxO性能。

公开(公告)号：CN101159309A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710047973.0

申请日：2007-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  尹明 ,  唐立 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种低功耗电阻存储器的实现方法。具体是在属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜，从而降低电阻存储器的复位操作或读操作的电流，实现电阻存储器的功耗降低。所插入的金属氧化物介质层具有容易制作形成、工艺兼容性强的优点。

公开(公告)号：CN101145598A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710045405.7

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  唐立

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种改善CuxO电阻存储器疲劳特性的方法。采用等离子体的物理轰击作用，去除表面CuO层，或增加其导电性，从而降低第一次写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏，提高器件的疲劳特性。

公开(公告)号：CN101097778A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710042333.0

申请日：2007-06-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明

IPC: G11C13/00 ,  H03K19/00

CPC classification number: G11C14/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C14/009 ,  G11C2213/31

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于金属氧化物存储介质的编程单元复用的FPGA器件。该器件由可编程逻辑功能块CLB、输入输出模块IOB和可编程互联资源组成，其中可编程逻辑功能块CLB和可编程互联资源都应用编程单元复用的结构，由复用的编程单元控制各编程点。复用的编程单元以金属氧化物作为存储介质，并由一个传统的SRAM与多个存储电阻和一个参考电阻构成。工作时，通过一个译码器控制与各存储电阻上电极连接的nmos选通管，从而实现对同一编程单元的各个不同的存储电阻的读写操作。使用本发明器件，大量的配置数据一次下载即可，用户每次只需导入少量功能数据，可以节省大量时间。

公开(公告)号：CN106326135B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201510376718.5

申请日：2015-06-30

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 杨任花 ,  赵俊峰 ,  杨伟 ,  肖世海 ,  林殷茵 ,  韦祎

IPC: G06F12/02

Abstract: 本发明提供了一种平移非易失性存储器NVM的数据的方法，包括：将动态随机存取存储器DRAM中存储的第一数据映射到非易失性存储器NVM的第一行地址，所述第一数据包括静态数据，所述静态数据为擦写频率小于预设频率的数据；记录映射后的NVM被擦写的次数；若所述映射后的NVM被擦写的次数大于或等于预设次数，则按照预设规则平移所述第一行地址中存储的所述第一数据。本发明还公开了一种平移非易失性存储器NVM的数据的装置。采用本发明，可减少NVM中存储数据的行地址的擦写次数，提高NVM的寿命。

公开(公告)号：CN106201912B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201510232662.6

申请日：2015-05-08

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 杨任花 ,  王元钢 ,  杨伟 ,  赵俊峰 ,  韦祎 ,  林殷茵

IPC: G06F12/02

Abstract: 本发明实施例公开了一种内存访问方法，用于降低计算机系统的功耗。本发明实施例方法包括：在SCM处于关闭状态且DRAM处于开启状态时，确定计算机系统的负载状态；若计算机系统处于低负载状态，则开启SCM，并将DRAM中的数据写入SCM；当将DRAM中的数据写入SCM后，关闭DRAM。本发明实施例提供的方法在计算机系统处于高负载状态时，使用DRAM作为内存，能够满足高负载计算机系统对容量和速度的需求；在计算机系统处于低负载状态时，使用SCM作为内存，能够减少内存刷新造成的功耗。本发明实施例还提供了相关的计算机系统。

公开(公告)号：CN105225676B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201410314629.3

申请日：2014-07-03

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  杨凯 ,  赵俊峰 ,  王元钢 ,  杨伟 ,  傅雅蓉

IPC: G11B5/02 ,  G11B5/09

Abstract: 本发明的实施例提供一种数据读写方法及装置，涉及通信领域，解决了现有技术中进行读操作后新型存储介质中的数据遭到破坏导致丢失的问题，进而保证了新型存储介质中数据的完整性。该方案包括：接收驱动电流，所述驱动电流用于驱动所述新型存储介质处于可读写状态；从所述新型存储介质中读出第一数据；将所述驱动电流的方向置反；将所述第一数据写回至所述新型存储介质。

公开(公告)号：CN105096963B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201410173016.2

申请日：2014-04-25

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 傅雅蓉 ,  赵俊峰 ,  王元钢 ,  杨伟 ,  林殷茵 ,  杨凯

IPC: G11B5/012 ,  G11B5/02

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11B5/012 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11C11/16 ,  G11C19/0841

Abstract: 本发明实施例提供一种写装置及磁性存储器，写装置包括：第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区，第一信息存储区与信息缓存区之间存在第一区域，第二信息存储区和信息缓存区之间存在第二区域，第一信息存储区、第二信息存储区和信息缓存区采用第一磁性材料构成，第一区域和第二区域采用第二磁性材料构成，第一磁性材料的磁能高于第二磁性材料的磁能；第一信息存储区，用于向信息缓存区写入第一数据；第二信息存储区，用于向信息缓存区中写入第二数据；信息缓存区，用于缓存从第一信息存储区或第二信息存储区写入的数据，并将缓存的数据写入磁性存储器的一个磁畴中。能够保证磁性存储器的写入的稳定性。

公开(公告)号：CN104575582B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201310496705.2

申请日：2013-10-21

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  韦竹林 ,  赵俊峰 ,  杨伟 ,  傅雅蓉 ,  杨凯

IPC: G11C11/02

CPC classification number: G11C19/0841 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808

Abstract: 本发明实施例公开了一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储密度、降低功耗和制造成本。其中，一种存储单元包括：梳型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，第一驱动端口和第二驱动端口；梳型磁性轨道包括第一存储区域，第二存储区域和梳柄，第一存储区域和第二存储区域包括两个以上存储条；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动，第一存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，第二存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动。