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公开(公告)号：CN109293384B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811287055.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/622 , D01F9/08 , C04B35/645
Abstract: 一种制备高损伤容限的面内各向同性的硼化锆基超高温独石结构陶瓷的方法，涉及一种硼化锆基超高温独石陶瓷材料的制备方法。目的是解决ZrB2基超高温陶瓷抗损伤容限差及ZrB2基纤维独石陶瓷存在严重面内各向异性的问题。制备方法：将聚醚砜溶解在N‑甲基吡咯烷酮中，并与ZrB2粉体和SiC粉体进行球磨混料得到ZrB2‑SiC浆料，ZrB2‑SiC浆料挤出固化得到连续ZrB2‑SiC陶瓷纤维；ZrB2粉体、SiC粉体与Graphene分散在去离子水中得到ZrB2‑SiC‑Graphene浆料；连续ZrB2‑SiC陶瓷纤维涂覆ZrB2‑SiC‑Graphene浆料并烘干，进行预压、高温排胶和热压烧结。本发明解决了单轴排列的ZrB2基纤维独石陶瓷的面内各向异性的问题，抗损伤容限得到提升。本发明适用于制备硼化锆基超高温独石结构陶瓷。
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公开(公告)号：CN109485449A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201910030896.0
申请日：2019-01-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/83 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 一种基于毛细作用制备密度梯度防热材料的方法，本发明涉及密度梯度防热材料的制备方法领域。本发明要解决现有引入超高温陶瓷组分操作过程复杂且所制复合材料成本高、设备要求高的技术问题。方法：一、碳纤维编织体浸泡于含酚醛树脂的料浆中，经固化后进行热处理获得多孔C/C复合材料；二、将多孔C/C复合材料上表面浸于含超高温陶瓷组分的料浆中，经振动、超声以及干燥工艺，再进行热处理；三、重复步骤二工艺，获得表面超高温陶瓷改性的密度梯度C/C防热材料。本发明制备的复合材料兼具可调密度梯度、抗烧蚀和抗氧化性能好的特点，操作过程简单、设备要求低、安全系数高且可制备大尺寸部件。本发明制备的防热材料适用于飞行器的防热材料。
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公开(公告)号：CN109400165A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811390592.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/626
Abstract: 一种简易批量合成高纯五碳化四钽铪陶瓷粉体的方法，涉及一种合成五碳化四钽铪陶瓷粉体的方法。目的是解决现有能够得到高纯Ta4HfC5陶瓷粉体的化学法存在危险性大的问题。制备方法：将HfCl4粉体加入到乙酰丙酮中并加热搅拌得到前驱体溶液A；正丁醇加入到前驱体溶液A中得到前驱体溶液B，加入TaCl5粉体得到前驱体溶液C；酚醛树脂加入到前驱体溶液C中并加热搅拌得到前驱体溶液D；氨水加入到前驱体溶液D中并搅拌均匀，得到前驱体产物，最后干燥和煅烧。本发明在常温常压下进行，对设备要求低，实验方法简单，危险性低，适合批量生产制备的粉体纯度≥98.5％，粒径均匀。本发明适用于制备高纯五碳化四钽铪陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN109293384A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811287055.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/622 , D01F9/08 , C04B35/645
Abstract: 一种制备高损伤容限的面内各向同性的硼化锆基超高温独石结构陶瓷的方法，涉及一种硼化锆基超高温独石陶瓷材料的制备方法。目的是解决ZrB2基超高温陶瓷抗损伤容限差及ZrB2基纤维独石陶瓷存在严重面内各向异性的问题。制备方法：将聚醚砜溶解在N-甲基吡咯烷酮中，并与ZrB2粉体和SiC粉体进行球磨混料得到ZrB2-SiC浆料，ZrB2-SiC浆料挤出固化得到连续ZrB2-SiC陶瓷纤维；ZrB2粉体、SiC粉体与Graphene分散在去离子水中得到ZrB2-SiC-Graphene浆料；连续ZrB2-SiC陶瓷纤维涂覆ZrB2-SiC-Graphene浆料并烘干，进行预压、高温排胶和热压烧结。本发明解决了单轴排列的ZrB2基纤维独石陶瓷的面内各向异性的问题，抗损伤容限得到提升。本发明适用于制备硼化锆基超高温独石结构陶瓷。
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公开(公告)号：CN108947534A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201811045318.6
申请日：2018-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/5622 , C04B35/62605 , C04B2235/444 , C04B2235/785 , C04B2235/96
Abstract: 一种批量合成钽铪碳陶瓷粉体的制备方法，本发明涉及无机材料制备领域。本发明要解决现有制备Ta4HfC5陶瓷粉体方法无法控制粉体粒径的均匀性，并且粉体纯度易受影响的技术问题。方法：一、HfCl4粉体加入到乙酰丙酮，加热搅拌；二、加入TaCl5粉体和正丁醇混合液，加热搅拌；三、加入酚醛树脂，加热搅拌；四、移入反应釜中进行溶剂热处理；五、干燥，煅烧。本发明制备得到的粉体为Ta4HfC5单相固溶体，粉体纯度≥98.5％，粉体粒径≤1μm。本发明用于批量合成Ta4HfC5陶瓷粉体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108532293A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810244821.8
申请日：2018-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/74 , D06M11/64 , D06M101/40
Abstract: 一种调节糖溶液pH制备碳纤维表面碳涂层的方法，本发明涉及碳纤维改性领域。本发明要解决现有方法制备碳纤维表面涂层成本高与厚度难以调控的问题。方法：一、碳纤维脱胶；二、碳纤维表面酸化处理；三、浸渍溶液的配制；四、碳纤维浸渍糖溶液；五、水热反应制备碳纤维表面碳涂层。本发明采用成本低廉的糖作为碳源制备碳纤维表面碳涂层，该碳涂层具有厚度可控、均匀致密的特点，能够应用于陶瓷复合材料制备、碳碳复合材料及碳纤维增强树脂基复合材料制备等领域。本发明用于制备碳纤维表面碳涂层。
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公开(公告)号：CN108264884A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810042998.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳化硅纳米线/石墨烯泡沫电磁波吸收复合材料的制备方法，它涉及一种石墨烯泡沫电磁波吸收材料的制备方法。本发明是要解决现有石墨烯泡沫力学、热学、电磁波吸收性能差的技术问题。本发明：一、制备氧化石墨烯分散液；二、制备石墨烯水凝胶；三、制备石墨烯乙醇凝胶；四、制备石墨烯泡沫；五、化学气相浸渗。本发明具有以下优点：1、本发明方法的制备的石墨烯泡沫质量轻、强度高；2、SiC纳米线的引入使石墨烯泡沫的压缩强度、热稳定性和电磁波吸收性能得到大幅度提升。本发明应用于电磁波吸收材料的制备。
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公开(公告)号：CN105752952B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610060591.0
申请日：2016-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备超长氮化硅纳米材料存在反应条件较为苛刻，导致安全性低，需要催化剂，导致纯度低，设备要求高、工艺复杂、成本高的技术问题。方法：一、制备多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷；二、热处理，即完成在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及瓷方舟四壁非原位制备超长氮化硅纳米线的方法。优点：一、于常压下就可以制备出长达数毫米甚至是厘米级级别的超长氮化硅纳米线，且超长氮化硅纳米线呈现直线状；二、操作过程较为简单、安全系数高。本发明主要用于制备超长氮化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN104529467B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510018430.0
申请日：2015-01-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种低温制备ZrB2?SiC超高温陶瓷复合材料的方法，本发明涉及一种低温制备ZrB2?SiC超高温陶瓷复合材料的方法。本发明是要解决现有ZrB2?SiC超高温陶瓷复合材料在高温烧结过程中晶粒长大导致材料力学性能降低且成本高的问题。方法：一、称量：称取ZrB2粉体和SiC粉体；二、配料：将ZrB2粉体和SiC粉体加入到无水乙醇中，再加分散剂PEI，超声得混合液；三、球磨：将混合液球磨，得浆料；四、干燥：将浆料真空干燥，得干燥粉体；五、热压烧结：将干燥粉体研磨过筛，装入模具，采用真空热压烧结炉烧结，冷却至室温，得ZrB2?SiC超高温陶瓷复合材料。本发明用于制备ZrB2?SiC超高温陶瓷复合材料。
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公开(公告)号：CN105441767A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510796187.5
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C22C29/14 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/051 , C22C30/00 , B22F1/0003 , B22F2003/145 , B22F2201/20 , B22F2201/11
Abstract: 一种抗高温氧化损伤ZrB2-SiC-ZrC-W复相陶瓷的制备方法，它属于工程材料制备技术领域，具体涉及本发明涉及一种抗高温氧化损伤ZrB2-SiC-ZrC-W复相陶瓷的制备方法。本发明的目的要解决现有ZrB2基陶瓷材料在超过1600℃时稳定性差的问题。方法：一、准备原料；二、混合、球磨，得到浆料；三、干燥、研磨，得到混合粉料；四、热压烧结，得到ZrB2-SiC-ZrC-W复相陶瓷。优点：一、致密度大于99％；二、与现有ZrB2基陶瓷材料相比，具有更为突出的抗高温氧化损伤性能。本发明主要用于制备抗高温氧化损伤ZrB2-SiC-ZrC-W复相陶瓷。
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