公开(公告)号：CN118039678A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410082958.3

申请日：2024-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政明 ,  温伟源 ,  廖思雅

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 在半导体沟道区域上方形成偶极层。在偶极层上方形成掺杂的栅极介电层。掺杂的栅极介电层包含非晶材料。通过退火工艺，掺杂的栅极介电层的非晶材料转化为具有至少部分晶相的材料。在掺杂的栅极介电层转化为具有部分晶相的层之后，在掺杂的栅极介电层上方形成含金属栅电极。本申请实施例涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN118039484A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410076634.9

申请日：2024-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政明 ,  温伟源 ,  廖思雅

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本文的实施例公开了用于堆叠器件结构的器件的偶极工程技术。用于形成晶体管堆叠件的晶体管(例如，顶部晶体管)的栅极堆叠件的示例性方法包括：形成高k介电层；在高k介电层上方形成p‑偶极掺杂剂源层；实施热驱入工艺，热驱入工艺将p‑偶极掺杂剂从p‑偶极掺杂剂源层驱入高k介电层中；以及在去除p‑偶极掺杂剂源层之后，在高k介电层上方形成至少一个导电栅极层。热驱入工艺的驱入温度小于600℃(例如，约300℃至约500℃)。p‑偶极掺杂剂可以是钛。方法还可以包括调整热驱入工艺参数，以提供具有p‑偶极掺杂剂分布的栅极电介质，p‑偶极掺杂剂分布具有位于高k/界面间界面±0.5nm处的峰值。本申请的实施例还涉及堆叠器件结构及其形成方法、形成栅极堆叠件的方法。

公开(公告)号：CN115911010A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211272395.1

申请日：2022-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄瑞乾 ,  廖思雅 ,  王振印 ,  王世豪

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/538 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/50

Abstract: 方法包括形成第一半导体器件的第一晶体管。第一半导体器件包括第一沟道区域以及位于第一沟道区域上的栅电极。第二半导体器件通过设置在第一半导体器件和第二半导体器件之间的接合层而接合至第一半导体器件。形成第二半导体器件的第二晶体管，第二半导体器件包括第二沟道区域以及位于第二沟道区域上的第二栅电极。接合层设置在第一晶体管的第一栅电极和第二晶体管的第二栅电极之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN217933803U

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202221622838.0

申请日：2022-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑兆钦 ,  黄瑞乾 ,  洪以则 ,  王世豪 ,  汪涵 ,  廖思雅

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种晶体管，其包括栅极结构、下伏于栅极结构且包括二维材料的通道层、侧向地与栅极结构隔开并侧向地设置在通道层旁边的源极/漏极接触件以及侧向地插设在栅极结构和源极/漏极接触件之间的间隙壁。亦提供一种半导体装置和一种半导体结构。

公开(公告)号：CN222532104U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202420891546.X

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政明 ,  温伟源 ,  廖思雅

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种集成电路结构，包括锗基通道材料、氧化锗界面层、氧氮化锗层、高k介电层、及一栅极金属层。锗基通道材料在一基板上方。氧化锗界面层在该锗基通道材料上方。氧氮化锗层在该氧化锗界面层上方。高k介电层在该氧氮化锗层上方。栅极金属层在该高k介电层上方。

公开(公告)号：CN222749487U

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202421450966.0

申请日：2024-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石哲齐 ,  黄治融 ,  林含谕 ,  杨固峰 ,  温伟源 ,  廖思雅

IPC: H01L23/373 ,  H10D84/85

Abstract: 提供了一种半导体装置，以及提供用于为高功耗半导体装置实现散热多层且减小热边界电阻的方法。半导体装置包含第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管及位于第一晶体管与第二晶体管之间的散热多层。散热多层包括一第一层、一第二层及位于该第一层与该第二层之间的一第三层，且其中该第一层及该第二层包含结晶结构，而该第三层包含非晶结构。