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公开(公告)号：CN101851509A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010186575.9
申请日：2010-05-26
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 用网络凝胶制备稀土铈离子掺杂钇铝石榴石荧光粉的方法，涉及一种荧光粉。提供一种用网络凝胶制备稀土铈离子掺杂钇铝石榴石荧光粉的方法，以获得一种低团聚、颗粒尺寸小、性能良好的荧光粉。将氧化钇粉末用过量浓硫酸将其溶解，再与硝酸铈和硝酸铝溶液混合配成金属离子溶液，其中按摩尔比，控制Y3+∶Ce3+∶Al3+＝2.94∶0.06∶5；在金属离子溶液中加入NH4HCO3，控制金属离子溶液的pH值在3～5；在所得的溶液中加入丙烯酰胺单体、网络剂和引发剂，聚合后得湿凝胶；将湿凝胶烘干，得干凝胶；将所得的干凝胶预烧，得预烧粉末；在所得的预烧粉末中加入助熔剂，煅烧后得稀土铈离子掺杂钇铝石榴石荧光粉。
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公开(公告)号：CN101628719A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910112398.7
申请日：2009-08-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，涉及一种硅提纯方法。提供一种真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法。将多晶硅放入坩埚中，抽真空，预热后关闭粗抽阀，开启扩散泵阀门抽真空，接通中频感应加热电源，坩埚开始感应生热，对坩埚内的硅原料进行低温预热，当温度上升到600℃时，硅自身感应生热；增加中频加热功率为50～200kW，当温度达到1415℃以上时，硅开始熔化；熔化后，调节中频加热功率，使硅液温度控制在1550～1850℃；待温度稳定后，将真空度控制在1.2×10 -2 ～1.0×10 -1 Pa；开始计时，保温时间为45～120min；在水冷铜盘中通入循环水，然后将熔炼完成的硅液浇注入模具中，快速凝固，即完成。
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公开(公告)号：CN102851679B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210137782.4
申请日：2012-05-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法，涉及多晶硅材料的提纯方法。提供一种选择性高、工艺简单的熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法。Si-M合金阳极的制备，电解质预处理，电解槽组装，熔盐电解提纯多晶硅。采用真空熔炼Si-M合金，作为可溶性阳极；以复合氯化物-氧化物复合熔盐作为新型低温电解质体系；以金属、硬质合金、太阳能级多晶硅或高纯石墨作为阴极。进一步降低了电解温度和电解电压，保证了电解过程的高效、稳定、低能耗运行，对多晶硅中杂质元素B和P的高选择性提纯。
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公开(公告)号：CN103387236B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201310342874.0
申请日：2013-08-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种高纯硅的精炼装置及其方法，涉及一种硅的精炼装置及其方法。提供低成本、高效、工艺简单和适合产业化推广的一种高纯硅的精炼装置及其方法。所述装置设有中频感应熔炼炉、升降装置、等离子熔炼装置、透气塞装置、真空系统和浇注用石墨模具。将硅料放入坩埚中，抽真空后启动熔炼炉对硅料加热；熔化后提高熔炼炉功率，使硅液在1600～1850℃保温；通入工作气体熔炼；启动熔炼装置，引弧后，将引弧装置转移，对硅液表面进行等离子熔炼；熔炼完成后关闭熔炼装置，透气塞降至坩埚底部，当透气塞降至坩埚底部后关闭透气塞装置，停止通气；将硅液倒入浇注用模具中，即得高纯硅锭。
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公开(公告)号：CN102616787B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210078794.4
申请日：2012-03-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种工业硅的提纯方法。1)将渣料2预熔，渣料2为CaO-CaSi2；2)将渣料1压成渣球，将部分渣料1和工业硅放进坩埚，抽真空，开启中频感应电源加热使物料熔化，渣料1为SiO2-Na2CO3-CaF2；3)升高中频感应电源的功率至80～100kW，当温度在1300～1500℃时，将部分渣料2加入到坩埚中，通气搅拌，继续升高中频感应电源的功率至100～120kW，当温度在1600～1800℃时，将部分渣料1加入到坩埚中，再通气搅拌，降低功率到80kW，待温度下降；4)重复步骤3)；5)造渣后将硅液倒入承接坩埚，静置冷却后取出硅锭，物理破碎得到提纯的多晶硅锭。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102424568B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110259241.4
申请日：2011-09-02
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/10 , C04B41/88 , C04B35/622
Abstract: 一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法，涉及一种陶瓷发热元件的制备方法。提供在可解决水系流延成型过程中溶剂(水)对粉料的湿润性较差、浆料除泡困难、挥发慢和干燥时间长，以及烧结后陶瓷与金属层结合力差等问题，能显著提高烧结合格率和生产效率的一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法。配制陶瓷预混料和钨浆料；球磨；流延成型；丝网印刷；烧结；镀镍。
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公开(公告)号：CN103011169A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210546258.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。
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公开(公告)号：CN102951645A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210530048.4
申请日：2012-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种造渣精炼去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及工业硅的除杂工艺。1）在石墨坩埚表面涂上一层致密的SiC涂层作为内层，在SiC涂层上涂覆Y2O3涂层作为外层；2）将造渣剂混合后，放入预处理过的石墨坩埚中；3）打开中频感应炉加热至渣料熔化；4）渣料熔化后向熔化的渣料中加入工业硅，进行造渣精炼，待渣料和硅料完全熔化后，降低功率后反应；5）往熔液中插入通气棒，向体系通入Ar+H2O，确保硅相与渣相接触；6）拔离通气棒，将熔液上层硅液倒到静置的石墨模具中冷却；7）继续添加硅料，重复步骤4）～6）；8）将精炼过多晶硅切除头尾杂质富集部分，再通过ICP-MS测量剩余部分硼磷含量。工艺简单，工业化可行性高。
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公开(公告)号：CN101961883B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010289012.2
申请日：2010-09-21
Applicant: 厦门大学
IPC: B28B3/00
Abstract: 一种用高岭土脱泥尾砂制备人造石英石的方法，涉及一种建筑装饰材料。将不饱和树脂与色料搅拌，加入高岭土脱泥尾砂、天然河沙和二氧化硅粉末，搅拌后，加入促进剂、偶联剂和固化剂，搅拌后注入模具中，所述不饱和树脂、色料、高岭土脱泥尾砂、天然河沙、二氧化硅粉末、促进剂、偶联剂和固化剂。将模具送入真空箱抽真空，压制成型，固化加热；冷却脱模除去模具，打磨抛光，最后切割成人造石英石规格板。初期投入少，操作方便，上马快，工艺简单合理，产品不仅具有大理石的天然花纹、条纹和丰富的色彩，而且具有石英石的硬度，适合于产业化。
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公开(公告)号：CN101871883B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010109814.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种测定高纯硅中磷含量的方法，涉及一种硅中磷含量的测定。提供一种所用设备简单，成本低廉，操作步骤标准化，检测限低，灵敏度以及精确度较高，适合于低磷含量硅检测，可利用分光光度计低成本快速精确检测低磷硅样的测定高纯硅中磷含量的方法。配制磷标准液；配制酸性显色液、2mol/LH2SO4的硫酸、硫代硫酸钠溶液和PVA溶液；绘制磷标准工作曲线；获得未被污染的硅样；依据样品的磷含量范围称取无污染样品；将样品放入聚四氟乙烯烧杯中溶解蒸发；将溶解蒸发的样液进行显色操作；测试显色液的吸光度并计算磷含量。
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