公开(公告)号：CN113471341A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110577770.2

申请日：2021-05-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄凯 ,  江莹 ,  李金钗 ,  高娜 ,  王丽兰 ,  康俊勇 ,  张荣

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种基于红光A l I nGaAs量子点的Mi cro‑LED结构及其制备方法。所述Mi cro‑LED结构自下而上依次包括衬底、n型层、多量子阱有源层以及p型层；所述多量子阱有源层包括势阱层；所述势阱层包括A l I nGaAs量子点层。其能够降低侧壁及其边缘处的非辐射复合，有效提高低电流密度下的发光效率；且其发光波长可实现在红光波长范围的调控；且其结构简单，制备工艺简便，易于生产应用。

公开(公告)号：CN112117356B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202010813127.0

申请日：2020-08-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨旭 ,  李金钗 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种全彩有源寻址Micro‑LED芯片结构及其制作方法，包括具有驱动电路阵列的支撑衬底、位于支撑衬底上的堆叠层，以及贯穿堆叠层与驱动电路阵列连接的互联电极，其中堆叠层从下至上包括有衬底金属键合层、多色发光外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与驱动像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、连接第三外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、贯穿堆叠层分别与多色发光外延层n型面连接的共用电极。本发明技术方案可制造出高分辨率且高效的全彩驱动融合Micro‑LED芯片。

公开(公告)号：CN112531070A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011337981.0

申请日：2020-11-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄凯 ,  李冠錡 ,  唐锐钒 ,  高娜 ,  李澄 ,  李金钗 ,  康俊勇

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器及其制备方法。其中基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器包括衬底和位于衬底之上的氮化镓层，氮化镓层的上半部分形成氮化镓纳米柱阵列，氮化镓纳米柱阵列与包覆其上表面外的氧化镓构成核‑壳纳米柱阵列异质结；金属电极分别设在氮化镓层和氧化镓层表面的电极区域上，并形成肖特基接触。通过核‑壳异质结的形成可有效降低深紫外探测器的暗电流，提高器件的响应度，改善基于半导体异质结的光电探测器件性能。本发明提供的一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器，其结构简单，制备容易，便于规模化生产。

公开(公告)号：CN112234118A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011042977.1

申请日：2020-09-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨旭 ,  李金钗 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H04B10/114 ,  H04B10/116 ,  H04B10/40 ,  H04J14/02

Abstract: 本发明涉及一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法，包括具有信号处理电路的支撑衬底、位于支撑衬底上的微型收发单元阵列以及互联电极，其中每个微型收发单元包括由下至上的衬底金属键合层、多个堆叠外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、光接收台面和钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与光发射模块像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与光发射模块像素的贯穿阵列电极、贯穿微型收发单元阵列分别与每个外延层n型面连接的共用电极。使用本发明技术方案可制造出实用化、高速、多场景应用的可见光通信终端产品。

公开(公告)号：CN102820398B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210319019.3

申请日：2012-08-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  高娜 ,  杨旭 ,  李金钗 ,  李书平

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应，改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底；分布式布拉格反射结构设在半导体基底上，分布式布拉格反射结构为多层介质，所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆；所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。

公开(公告)号：CN103474503A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310461747.2

申请日：2013-09-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  高娜 ,  黄凯 ,  陈雪 ,  林伟 ,  李书平 ,  陈航洋 ,  杨旭 ,  李金钗

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0248

Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。

公开(公告)号：CN219226293U

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202223602793.3

申请日：2022-12-30

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 赵春凤 ,  黄凯 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

Abstract: 本实用新型提供一种显示面板，包括：第一基板，第一基板的一侧表面具有导电层组，导电层组包括间隔设置的第一导电层和第二导电层；位于第一基板的一侧的绝缘层，绝缘层中具有间隔设置的第一开口和第二开口，第一开口位于第一导电层的上方，第二开口位于第二导电层的上方；位于第一开口中的第一键合层，第一键合层位于第一导电层的上表面；位于第二开口中的第二键合层，第二键合层位于第二导电层的上表面；Micro‑LED芯片，Micro‑LED芯片包括：P型电极和N型电极；P型电极与第一键合层接触，N型电极与第二键合层接触。所述显示面板可以避免第一导电层与第二导电层之间发生短路。

公开(公告)号：CN222126570U

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202420673678.5

申请日：2024-04-02

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  张林珏 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38

Abstract: 本实用新型提供一种Mi cro‑LED芯片。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本实用新型提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。