-
公开(公告)号：CN119555645A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510090698.9
申请日：2025-01-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及信号测试技术领域，尤其涉及飞秒级时间分辨率光响应单分子信号探测方法及装置，包括如下步骤：泵浦脉冲光路经一系列反射镜、宽带光参量放大器、第一光阑、斩波器、第一衰减片、第二合束分束片射入导入光纤中；探测光光路经时间延迟器、一系列反射镜、第二光阑、白光产生模块、第二合束分束片射入导入光纤中；两束光进入多功能样品杆中，经偏振片后照射到连接了单个光响应分子的石墨烯单分子器件上；单个光响应分子经泵浦脉冲光路照射后被激发，再通过探测光光路进行探测。本发明提供的方法及装置能够实现飞秒级时间分辨率的单个光响应分子微弱信号的探测，并且能够提高综合物性测量系统测得的电学信号的信噪比。
-
公开(公告)号：CN119533877A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510098480.8
申请日：2025-01-22
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及信号测试技术领域，尤其涉及一种基于透镜组测试杆的单分子光电信号监测方法及装置，方法包括如下步骤：激光经过光参量放大器、光衰减片、光功率探测计后，以圆偏振激发光或线偏振激发光的形式进入爬高单元；再反射到安装于综合物性测量系统测试腔内的透镜组测试杆；然后通过透镜组聚焦到单分子器件上；调整透镜组测试杆的透镜组进行单分子器件的多维度调控，综合物性测量系统的探针对单分子器件的电导进行监测，光信号探测放大单元与电脑协同对光信号进行处理。本发明提供的方法及装置能够同时实现单分子光电联用、单分子荧光及单分子自旋操控的多维度单分子光电信号的监测。
-
公开(公告)号：CN118973360A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411443451.2
申请日：2024-10-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体管制备技术领域，提供一种分子膜光电晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底上旋涂光刻胶，对衬底依次进行曝光处理和蒸镀处理，获得包含金属电极的第一中间物；在第一中间物上自组装光敏分子膜，获得第二中间物；制备生长有单层石墨烯的第三中间物；制备包含石墨烯条带的第四中间物；制备包含石墨烯金属电极的第五中间物；在第五中间物上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，浸泡于三氯化铁盐酸溶液中，刻蚀去除铜箔，清洗，获得第六中间物；将第六中间物置于第二中间物上，获得分子膜光电晶体管。本发明实现快速制备成本低、环境稳定性高、制备工艺简单和良品率高的分子膜光电晶体管。
-
公开(公告)号：CN118234253A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410651381.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种基于双栅调控的单分子场效应晶体管及其制备方法，上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管包括：单分子场效应晶体管和顶栅结构，所述顶栅结构组装于所述单分子场效应晶体管的顶部；单分子场效应晶体管包括石墨烯电极和单个目标分子构成的单分子异质结，所述单分子异质结由末端含有氨基的目标分子与末端羧基化的石墨烯电极反应形成。上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管的制备方法包括单分子场效应晶体管、顶栅结构的制备以及单分子场效应晶体管和顶栅结构的组装过程。通过将顶栅、单分子场效应晶体管分开制备后再进行一步组装，从而避免了制备过程中对器件性能的破坏风险。
-
公开(公告)号：CN114292201B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111615533.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 北京未名元上分子技术有限公司 , 南开大学
IPC: C07C225/24 , C07C211/50 , C07C211/31 , C07C211/25 , C07D213/38 , H10K85/60 , H10K10/46 , H10K71/00
Abstract: 本申请提供了一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管，由于量子干涉效应，所述单分子场效应晶体管的开关比与普通分子构建的场效应晶体管相比有数量级的提升。本申请的单分子场效应晶体管中，具有量子干涉效应的化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结，并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料，通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构，能够实现单分子场效应晶体管器件的精准控制制备，使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力，具有较好的稳定性和集成性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117241660A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311114717.4
申请日：2023-08-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域，提供一种基于富勒烯包合物的光电忆阻器及其制备方法，光电忆阻器底部的导电金属源极与富勒烯包合物分子通过共价键形成稳定的连接，顶部通过非共价键的范德华作用被石墨烯漏极封装，形成的密闭的垂直异质结构保证了器件的低噪声运行，同时利用导电金属栅极通过双电层调控分子能级，展示出非线性忆阻效应、较高的栅控效率、两个电导值的可逆转换以及良好的保持特性。
-
公开(公告)号：CN116685185A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310739043.0
申请日：2023-06-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及单分子器件的制备技术领域，提供一种构建单分子器件的三角形石墨烯电极的制备方法，利用氢等离子体刻蚀系统对具有缺陷的石墨烯电极刻蚀出规则的六边形图案，不但可以使三角形石墨烯电极的晶格结构保持完整，而且电极构型明确，间距可控，还通过具有氧化还原效应的金属化合物通过酰胺共价键与刻蚀后的三角形石墨烯电极进行连接，得到的单分子器件稳定且牢固，具有良好的测试稳定性和可重现性。
-
公开(公告)号：CN116528593A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310289260.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子存储器件及其制备方法，所述垂直单分子存储器件能够达到原子级平整，且原子层厚度可控，所包含的光/电致异构分子在电场和光照或温度刺激下会发生异构转换，通过稳定调节所述光/电致异构分子的异构转换，从而实现稳定的存储功能，同时采用新型二维材料替代传统场效应晶体管中的栅极，引入离子液体实现双电层栅场，并通过采用二维材料的绝缘支撑层对电极间距进行原子级别厚度的精准控制，从而获得器件尺寸小、稳定性好、栅调控效率高且具有能够大规模集成的优势的垂直单分子存储器件。
-
![具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物和垂直单分子膜忆阻器](/CN/2023/1/93/images/202310468834.jpg)
公开(公告)号：CN116496293A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310468834.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 南开大学
IPC: C07D495/18 , H10K10/50 , H10K85/60 , H10K71/00 , C07D323/00 , C07D471/22
Abstract: 本申请提供了一种具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物和垂直单分子膜忆阻器。具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物由两个互锁的大环分子组成，分别为含基团R2的环和含基团R1和R3的环，两个互锁的大环分子具有两个结合位点，能够通过栅调控驱动环状分子沿定环旋转。将上述具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物应用于垂直单分子膜忆阻器，能够实现其高阻值与低阻值之间的转换调控。垂直单分子膜忆阻器包括自组装单分子膜层，自组装单分子膜层包括具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物；该化合物中的基团与源极通过化学键连接，含基团R1的环状结构与漏极之间存在范德华力作用，从而获得结构稳定的可通过栅极调控的垂直单分子膜忆阻器。
-
公开(公告)号：CN112582541B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011410952.2
申请日：2020-12-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种基于二维叠层异质结构的垂直单分子膜场效应晶体管及其制备方法，属于新材料以及分子场效应晶体管领域，由二维材料模板层、超平金属电极、二维材料绝缘支撑层、自组装单分子膜、二维材料漏端电极、绝缘二维材料介质层以及导电二维材料栅电极层构成。本发明采用新型二维材料替代传统场效应晶体管中的栅极和介电层材料，并引入二维材料绝缘层对电极间距进行原子级别厚度的精准控制，引入二维材料薄层对金属电极平整度进行改善，使得器件达到原子级平整并且原子层厚度可控，实现了具有室温稳定性的固态栅极调控的并且具有超平金属电极的垂直分子场效应晶体管，大大提高了器件的稳定性以及大规模集成的可能性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
63
records
(took 0.024 seconds)
