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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118234253A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410651381.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种基于双栅调控的单分子场效应晶体管及其制备方法，上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管包括：单分子场效应晶体管和顶栅结构，所述顶栅结构组装于所述单分子场效应晶体管的顶部；单分子场效应晶体管包括石墨烯电极和单个目标分子构成的单分子异质结，所述单分子异质结由末端含有氨基的目标分子与末端羧基化的石墨烯电极反应形成。上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管的制备方法包括单分子场效应晶体管、顶栅结构的制备以及单分子场效应晶体管和顶栅结构的组装过程。通过将顶栅、单分子场效应晶体管分开制备后再进行一步组装，从而避免了制备过程中对器件性能的破坏风险。
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公开(公告)号：CN116685185A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310739043.0
申请日：2023-06-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及单分子器件的制备技术领域，提供一种构建单分子器件的三角形石墨烯电极的制备方法，利用氢等离子体刻蚀系统对具有缺陷的石墨烯电极刻蚀出规则的六边形图案，不但可以使三角形石墨烯电极的晶格结构保持完整，而且电极构型明确，间距可控，还通过具有氧化还原效应的金属化合物通过酰胺共价键与刻蚀后的三角形石墨烯电极进行连接，得到的单分子器件稳定且牢固，具有良好的测试稳定性和可重现性。
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公开(公告)号：CN118234253B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410651381.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种基于双栅调控的单分子场效应晶体管及其制备方法，上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管包括：单分子场效应晶体管和顶栅结构，所述顶栅结构组装于所述单分子场效应晶体管的顶部；单分子场效应晶体管包括石墨烯电极和单个目标分子构成的单分子异质结，所述单分子异质结由末端含有氨基的目标分子与末端羧基化的石墨烯电极反应形成。上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管的制备方法包括单分子场效应晶体管、顶栅结构的制备以及单分子场效应晶体管和顶栅结构的组装过程。通过将顶栅、单分子场效应晶体管分开制备后再进行一步组装，从而避免了制备过程中对器件性能的破坏风险。
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公开(公告)号：CN116669516A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310739467.7
申请日：2023-06-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及单分子电子器件的制备技术领域，提供一种基于全气相氧化性刻蚀的单分子器件制备方法，采用二氧化碳、氧气、水蒸气、空气等氧化性气体的刻蚀手段，与溶液氧化方法相比，排除了氧化剂、溶剂等杂质的引入，提高了单分子器件的洁净程度。在刻蚀的同时将化学活性高的电极边缘同步氧化，使之能与具有氧化还原效应的三联吡啶‑金属配合物通过酰胺键共价连接，使得基于全气相氧化性刻蚀的单分子器件的结构和稳定性有大幅度的提升，展现了良好的测试稳定性和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN116322069A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310526506.5
申请日：2023-05-11
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及单分子电子器件的制备技术领域，提供一种单分子电子器件及其制备方法，采用二氧化碳、氧气、水蒸气、空气等氧化性气体的刻蚀手段，与溶液氧化方法相比，排除了氧化剂、溶剂等杂质的引入，提高了单分子电子器件的洁净程度。在刻蚀的同时将化学活性高的电极边缘同步氧化，使之能与具有氧化还原效应的三联吡啶‑金属配合物通过酰胺键共价连接，使得基于全气相氧化性刻蚀的单分子电子器件的结构和稳定性有大幅度的提升，展现了良好的测试稳定性和循环稳定性。
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