具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物和垂直单分子膜忆阻器

    公开(公告)号:CN116496293A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310468834.4

    申请日:2023-04-27

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本申请提供了一种具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物和垂直单分子膜忆阻器。具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物由两个互锁的大环分子组成,分别为含基团R2的环和含基团R1和R3的环,两个互锁的大环分子具有两个结合位点,能够通过栅调控驱动环状分子沿定环旋转。将上述具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物应用于垂直单分子膜忆阻器,能够实现其高阻值与低阻值之间的转换调控。垂直单分子膜忆阻器包括自组装单分子膜层,自组装单分子膜层包括具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物;该化合物中的基团与源极通过化学键连接,含基团R1的环状结构与漏极之间存在范德华力作用,从而获得结构稳定的可通过栅极调控的垂直单分子膜忆阻器。

    具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物和垂直单分子膜忆阻器

    公开(公告)号:CN116496293B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202310468834.4

    申请日:2023-04-27

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本申请提供了一种具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物和垂直单分子膜忆阻器。具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物由两个互锁的大环分子组成,分别为含基团R2的环和含基团R1和R3的环,两个互锁的大环分子具有两个结合位点,能够通过栅调控驱动环状分子沿定环旋转。将上述具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物应用于垂直单分子膜忆阻器,能够实现其高阻值与低阻值之间的转换调控。垂直单分子膜忆阻器包括自组装单分子膜层,自组装单分子膜层包括具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物;该化合物中的基团#imgabs0#与源极通过化学键连接,含基团R1的环状结构与漏极之间存在范德华力作用,从而获得结构稳定的可通过栅极调控的垂直单分子膜忆阻器。

    一种垂直单分子膜场效应控制开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN116217573B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202310160890.1

    申请日:2023-02-24

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子膜场效应控制开关及其制备方法,所述垂直单分子膜场效应控制开关采用在室温下具有双稳态的[2]轮烷分子,在不同偏压作用下,双稳态的[2]轮烷分子可以在低电导态和高电导态之间切换,使器件在开关状态之间灵敏快速切换;进一步地,所述垂直单分子膜场效应控制开关包括半导体基底层、导电金属源端电极、绝缘支撑层、自组装单分子膜、单层石墨烯漏端电极、导电金属漏端电极、导电金属栅电极和离子栅极,所述自组装单分子膜由所述[2]轮烷分子构成;本申请提供的垂直单分子膜场效应控制开关具有较强的栅电场调控能力和较好的稳定性。

    一种垂直单分子膜场效应控制开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN116217573A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310160890.1

    申请日:2023-02-24

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子膜场效应控制开关及其制备方法,所述垂直单分子膜场效应控制开关采用在室温下具有双稳态的[2]轮烷分子,在不同偏压作用下,双稳态的[2]轮烷分子可以在低电导态和高电导态之间切换,使器件在开关状态之间灵敏快速切换;进一步地,所述垂直单分子膜场效应控制开关包括半导体基底层、导电金属源端电极、绝缘支撑层、自组装单分子膜、单层石墨烯漏端电极、导电金属漏端电极、导电金属栅电极和离子栅极,所述自组装单分子膜由所述[2]轮烷分子构成;本申请提供的垂直单分子膜场效应控制开关具有较强的栅电场调控能力和较好的稳定性。

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