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公开(公告)号：CN106533431A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610954313.X
申请日：2016-11-03
Applicant: 南京大学
IPC: H03K19/21
CPC classification number: H03K19/21
Abstract: 一种低能耗金属基逻辑电路，磁性材料构成与”逻辑门或者“或”逻辑门，磁性材料具有三种不同宽度的颈缩即磁颈缩，以采用电流提供逻辑运算的控制，形成“与”逻辑门或者“或”逻辑门；所述的逻辑门为三接线端装置，由两根带有磁颈缩的输入纳米线组成，所述两根带有磁颈缩的输入纳米线在接头区会聚形成带有磁颈缩的一根输出纳米线。
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公开(公告)号：CN119087662A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410984741.1
申请日：2024-07-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高效产生高度圆偏振EUV光的四镜反射式移相器，极深紫外(EUV)光谱范围内的圆偏振光是对手性敏感的光与物质相互作用进行元素特异性研究的有力工具，为实现飞秒级动态磁二色向性的测量提供了可能。本发明提出采用直流磁控溅射技术，在高真空环境下，通过优化溅射参数组合，制备出Mo/B4C薄膜样品。这种薄膜样品能够更有效地满足极深紫外光四镜反射式移相器反射镜多层膜的需求。利用此方法所制备的薄膜，不仅性质稳定、分界层面清晰，而且具有极低的粗糙度和较高的反射率。
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公开(公告)号：CN118159120A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410293882.9
申请日：2024-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于自旋电流反射的零场自旋轨道矩器件，本发明通过在面外磁性薄膜层上生长自旋电流反射层以达到实现自旋轨道矩器件零外加磁场翻转的目的。该自旋轨道矩器件结构如下：具有强自旋轨道耦合作用的重金属层、面外磁性薄膜层、自旋电流反射层和覆盖保护层。其中由于自旋电流反射层能够反射来自重金属层的自旋流，经过反射的自旋流自旋极化方向具有面外分量，使得垂直磁性薄膜层在无需外磁场的辅助下便能实现由自旋轨道矩诱导的磁矩定向翻转。在垂直磁性薄膜结构上添加一层自旋电流反射层，能够有效减少所需的外部辅助磁场，提高了自旋轨道磁阻效应(SOT)的效率，同时保持了样品的垂直磁性。
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公开(公告)号：CN117747023A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311684306.9
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，所述方法包括以下步骤：由NiP薄膜电阻器的结构模型，通过磁控溅射方法在Si(1mm)衬底上沉积了Ag(200nm)/NiP(200nm)/Cr(5nm)的能够降低NiP薄膜电阻输入回波损耗的结构。根据制作的NiP薄膜电阻获取参数，结合有限积分法仿真软件CST进行输入回波损耗曲线的求解。铬有着良好的导电性和导热性，在高频通信电路中有着巨大的应用潜力。较传统的在Si(1mm)衬底上沉积Ag(200nm)/NiP(200nm)的NiP薄膜电阻器，本结构更适用于50GHz以上的频段，特别是80‑100GHz，输入回波损耗显著降低，能够很好的满足高频信号传输的要求。
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公开(公告)号：CN113054096B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110234054.4
申请日：2021-03-03
Applicant: 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 一种调控NiFe薄膜磁性本征阻尼因子的方法，使用电子束蒸发生长方法在Si基片上沉积出20±10nm厚的带状长条NiFe薄膜；带状长条的长度为宽度的20‑200倍。对于生长后的样品，在NiFe薄膜带状长条两端引出电极A和B，通过电极A和B向NiFe带状长条中注入电流，所述的外加注入电流密度为1‑6×105A/cm2。本发明基于NiFe带状长条结构。可实现通过A和B电极间的电流密度，控制改变NiFe薄膜的本征阻尼因子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637266A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311684305.4
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01C7/00 , H01C17/075 , H01C17/12
Abstract: 本发明涉及一种双层膜结构的埋嵌电阻薄膜材料，所述材料包括衬底、铝‑镍铬双层薄膜，其中双层膜结构插入层薄膜为铝薄膜，顶层薄膜为镍铬薄膜，所述双层膜结构埋嵌式薄膜电阻材料沉积于衬底上，通过电子界面散射效应，实现了器件方阻的调控，调控范围从24至478Ω/sq，可重复性高，在‑20～200℃升降温循环测试过程中同一温度下方阻变化不超过±0.2％，相较于同等条件下的单层NiCr埋阻其电阻温度系数最多可降低50％。
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公开(公告)号：CN115323332A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210162233.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种适用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，采取直流磁控溅射方法在凸面镜上生长Mo/Si周期性多层膜，凸面镜在直流磁控溅射生长腔中做溅射处理以清洁表面吸附气体和使得样品表面平整，从而得到高质量的样品，溅射清洗功率为5‑10W，溅射清洗时间为5‑10分钟；Mo，Si均由高能Ar+轰击进行溅射，通过分别控制直流溅射功率来控制两种元素的沉积速率；通过磁控溅射腔体中，Mo和Si源顶端的挡板连续切换控制实现Mo/Si周期性交替生长，最后一层生长1.5nm的Si层进行覆盖防止氧化。磁控溅射腔体中需要有石英晶体振荡器作为原位的沉积速率定标手段。该方法膜厚控制精确、简单易行、可重复性高。
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公开(公告)号：CN114442441A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210166835.9
申请日：2022-02-23
Applicant: 南京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种激光等离子体极紫外光源靶材优化方法，通过电子束蒸发的方式在产生激光等离子体的靶材衬底上生长锡薄膜，形成有限质量的固体薄膜靶，通过控制锡层的厚度来控制激光单次作用所消耗的锡量；当高能量脉冲激光与靶材作用产生等离子体时，通过控制薄膜靶的锡量进而优化极紫外光产生的效率和碎屑的产生。通过控制薄膜厚度调整靶材表面生长的锡燃料的量，使其在单次激光脉冲下，光斑作用下的锡可以充分利用，进而可以有效提高激光转化效率和靶材工作物质利用率，并减少碎屑对光学系统的污染。
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公开(公告)号：CN114221203A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111160845.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种输出长时间稳定的极紫外脉冲光源装置，包括高功率飞秒激光器、差分气体作用装置和激光阻断装置；其中，高功率飞秒激光器发出飞秒级别的超短脉冲激光，经过平面反射镜和激光聚焦镜，聚焦于差分气体作用装置内；反应气体经过压力控制后连续注入到长度可调的气体盒子内并与激光相互作用产生高次谐波，辐射出EUV光；气体盒子被安装在差分腔室中，与外真空腔形成差分，有效维持了真空腔内的真空度；反应产生的EUV光和未转换的入射激光进入激光阻断装置，入射激光被衰减阻断，得到纯净的EUV光。
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公开(公告)号：CN108859326B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810578705.X
申请日：2018-06-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板的覆铜方法，包括：首先在半固化片上下两面分别平铺上FEP或PFA薄膜，再放置于上铜板和下铜板之间对齐连接，再将相同尺寸大小的两片铜箔置于上下两个薄膜表面的最外层；然后放置于热压机中，以适当的温度、压力和时间压合各层形成覆铜板，使板材之间结合紧密。本发明通过一片半固化片、两片FEP或PFA薄膜和两片铜箔的叠放、热压处理，得到铜片与半固化片附着强度明显提升的PTFE基PCB覆铜板，为5G时代对高频覆铜板的高性能要求打下基础。
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