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公开(公告)号：CN108859326B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810578705.X
申请日：2018-06-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板的覆铜方法，包括：首先在半固化片上下两面分别平铺上FEP或PFA薄膜，再放置于上铜板和下铜板之间对齐连接，再将相同尺寸大小的两片铜箔置于上下两个薄膜表面的最外层；然后放置于热压机中，以适当的温度、压力和时间压合各层形成覆铜板，使板材之间结合紧密。本发明通过一片半固化片、两片FEP或PFA薄膜和两片铜箔的叠放、热压处理，得到铜片与半固化片附着强度明显提升的PTFE基PCB覆铜板，为5G时代对高频覆铜板的高性能要求打下基础。
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公开(公告)号：CN108822493B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810503288.2
申请日：2018-05-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米陶瓷填充PCB覆铜板半固化片的制备方法，包括：先将一定比例的固化剂、促进剂和溶剂搅拌均匀得到透明溶液，然后在加入一定比例的树脂，搅拌一段时间后，使得树脂完全溶解；加入粒径为1‑10纳米的SiO2、MgO、Al2O3和CaO陶瓷粉体混合物，然后进行高速搅拌，从而使纳米陶瓷在环氧树脂中分布均匀；最后再通过玻纤布沉浸上胶、烘干等步骤，制备PTFE基的PCB覆铜板半固化片。本发明通过在环氧树脂中加入一定比例的纳米陶瓷粉体，并使陶瓷颗粒与环氧树脂混合均匀，大大提高覆铜板半固化片的均一性及热性能，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN108966489A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810697550.1
申请日：2018-06-29
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H05K1/0306 , B32B9/005 , B32B9/041 , B32B15/20 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/00 , B32B2457/08 , H05K3/022
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷基PCB覆铜板及覆铜方法，主要包括：采用电子束蒸镀的方法在烧结打磨好的陶瓷片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后将得到的样品的上下两面放上铜箔，放到热压炉中进行压合覆铜，其中金属薄膜可以是钛薄膜，也可以是镍薄膜，根据所覆薄膜选择合适的蒸镀条件。由于陶瓷片比普通的半固化片更耐高温，因此非常适合此种方法。通过此方法得到的陶瓷基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
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公开(公告)号：CN108859326A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810578705.X
申请日：2018-06-07
Applicant: 南京大学
CPC classification number: B32B5/02 , B32B15/20 , B32B27/12 , B32B27/30 , B32B27/308 , B32B27/322 , B32B37/06 , B32B37/1009 , B32B2260/021 , B32B2260/046 , B32B2262/101
Abstract: 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板的覆铜方法，包括：首先在半固化片上下两面分别平铺上FEP或PFA薄膜，再放置于上铜板和下铜板之间对齐连接，再将相同尺寸大小的两片铜箔置于上下两个薄膜表面的最外层；然后放置于热压机中，以适当的温度、压力和时间压合各层形成覆铜板，使板材之间结合紧密。本发明通过一片半固化片、两片FEP或PFA薄膜和两片铜箔的叠放、热压处理，得到铜片与半固化片附着强度明显提升的PTFE基PCB覆铜板，为5G时代对高频覆铜板的高性能要求打下基础。
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公开(公告)号：CN108341662A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810340446.7
申请日：2018-04-17
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数低损耗高频陶瓷基板材料的制备方法，包括如下步骤：根据比例配置好原料，然后加入酒精进行球磨混料；将球磨后的浆液放入烘箱中进行烘干；烘干研磨后的粉料加入固化剂继续进行研磨，充分混合并磨碎磨细，干压成型得到生坯；将生坯放入炉子里面烧结得到氧化铝陶瓷板材料。本发明加入钴元素来降低介电常数，制作工艺简单，成本低，操作周期短，无毒无害无污染，且制作出来的陶瓷电路板经过SEM测试，致密性能好，通过矢量网络分析仪测试介电性能和低损耗都能满足5G情况下的频率要求，是理想的高频电路板基板材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108839407A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810563709.0
申请日：2018-06-04
Applicant: 南京大学
IPC: B32B15/092 , B32B15/14 , B32B17/02 , B32B17/06 , B32B27/04 , B32B27/18 , B32B27/38 , B32B33/00 , B32B9/00 , B32B9/04 , C08L63/00 , C08J5/24 , C08G59/68 , C08G59/50 , C23C16/26
Abstract: 本发明公开了石墨烯基PCB覆铜板，包括覆铜板半固化片、铜箔3；半固化片1、铜箔之间设有一层化学气相沉积石墨烯。或半固化片的两面皆为一层化学气相沉积石墨烯，石墨烯的外面为铜箔。在半固化片两面沉积石墨烯。然后在通过热压方法将铜箔附于半固化片中。通过此方法制备的PCB覆铜板，由于半固化片与铜箔之间存在石墨烯，因此使覆铜板的热学、电学和机械性能大大提高。
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公开(公告)号：CN108822493A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810503288.2
申请日：2018-05-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米陶瓷填充PCB覆铜板半固化片的制备方法，包括：先将一定比例的固化剂、促进剂和溶剂搅拌均匀得到透明溶液，然后在加入一定比例的树脂，搅拌一段时间后，使得树脂完全溶解；加入粒径为1-10纳米的SiO2、MgO、Al2O3和CaO陶瓷粉体混合物，然后进行高速搅拌，从而使纳米陶瓷在环氧树脂中分布均匀；最后再通过玻纤布沉浸上胶、烘干等步骤，制备PTFE基的PCB覆铜板半固化片。本发明通过在环氧树脂中加入一定比例的纳米陶瓷粉体，并使陶瓷颗粒与环氧树脂混合均匀，大大提高覆铜板半固化片的均一性及热性能，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN108684151A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810700412.4
申请日：2018-06-29
Applicant: 南京大学
IPC: H05K3/02 , B32B27/32 , B32B27/04 , B32B15/20 , B32B15/085 , B32B37/10 , B32B37/06 , B32B38/08 , B32B38/00
CPC classification number: H05K3/022 , B32B15/085 , B32B15/20 , B32B27/322 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/00 , B32B38/08 , B32B2038/0076 , B32B2260/021 , B32B2260/046 , B32B2262/101 , B32B2307/50
Abstract: 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板及覆铜方法，主要包括：采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，其中金属薄膜可以是钛薄膜，也可以是镍薄膜，根据所覆薄膜选择合适的蒸镀条件。通过此方法得到的PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
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公开(公告)号：CN117778973A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311735719.5
申请日：2023-12-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种多温区卷绕式磁控溅射镀膜机，包括线性磁控溅射靶(4)、卷料盒(7)、多温区衬底温控装置(8)，衬底材料通过所述卷料盒(7)在磁控溅射镀膜机内传输。磁控溅射镀膜机腔体内设有若干个衬底温控装置(8)，通过设置多温区衬底温控装置(8)的温度，可以实现衬底在不同区域的温度控制，进而实现多温区薄膜生长的有效控制；本发明能够在卷绕式磁控溅射镀膜机中实现多温区的控制，从而实现每层温度单独精确可控的多层膜电子材料的连续生长，提高溅射镀膜的多样性与可控性，有效提高电子材料与器件的性能和生产效率。
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