公开(公告)号：CN117778973A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311735719.5

申请日：2023-12-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐永兵 ,  李文嘉 ,  冯冠群 ,  严羽 ,  王倩 ,  陆显扬

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及一种多温区卷绕式磁控溅射镀膜机，包括线性磁控溅射靶(4)、卷料盒(7)、多温区衬底温控装置(8)，衬底材料通过所述卷料盒(7)在磁控溅射镀膜机内传输。磁控溅射镀膜机腔体内设有若干个衬底温控装置(8)，通过设置多温区衬底温控装置(8)的温度，可以实现衬底在不同区域的温度控制，进而实现多温区薄膜生长的有效控制；本发明能够在卷绕式磁控溅射镀膜机中实现多温区的控制，从而实现每层温度单独精确可控的多层膜电子材料的连续生长，提高溅射镀膜的多样性与可控性，有效提高电子材料与器件的性能和生产效率。

公开(公告)号：CN117637266A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311684305.4

申请日：2023-12-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐永兵 ,  冯冠群 ,  严羽

IPC: H01C7/00 ,  H01C17/075 ,  H01C17/12

Abstract: 本发明涉及一种双层膜结构的埋嵌电阻薄膜材料，所述材料包括衬底、铝‑镍铬双层薄膜，其中双层膜结构插入层薄膜为铝薄膜，顶层薄膜为镍铬薄膜，所述双层膜结构埋嵌式薄膜电阻材料沉积于衬底上，通过电子界面散射效应，实现了器件方阻的调控，调控范围从24至478Ω/sq，可重复性高，在‑20～200℃升降温循环测试过程中同一温度下方阻变化不超过±0.2％，相较于同等条件下的单层NiCr埋阻其电阻温度系数最多可降低50％。

公开(公告)号：CN115323332A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210162233.6

申请日：2022-02-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 严羽 ,  冯冠群 ,  徐永兵 ,  陆显扬 ,  黎遥 ,  何亮

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C23C14/54 ,  G02B5/08 ,  G03F7/20

Abstract: 一种适用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，采取直流磁控溅射方法在凸面镜上生长Mo/Si周期性多层膜，凸面镜在直流磁控溅射生长腔中做溅射处理以清洁表面吸附气体和使得样品表面平整，从而得到高质量的样品，溅射清洗功率为5‑10W，溅射清洗时间为5‑10分钟；Mo，Si均由高能Ar+轰击进行溅射，通过分别控制直流溅射功率来控制两种元素的沉积速率；通过磁控溅射腔体中，Mo和Si源顶端的挡板连续切换控制实现Mo/Si周期性交替生长，最后一层生长1.5nm的Si层进行覆盖防止氧化。磁控溅射腔体中需要有石英晶体振荡器作为原位的沉积速率定标手段。该方法膜厚控制精确、简单易行、可重复性高。