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公开(公告)号：CN117747023A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311684306.9
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，所述方法包括以下步骤：由NiP薄膜电阻器的结构模型，通过磁控溅射方法在Si(1mm)衬底上沉积了Ag(200nm)/NiP(200nm)/Cr(5nm)的能够降低NiP薄膜电阻输入回波损耗的结构。根据制作的NiP薄膜电阻获取参数，结合有限积分法仿真软件CST进行输入回波损耗曲线的求解。铬有着良好的导电性和导热性，在高频通信电路中有着巨大的应用潜力。较传统的在Si(1mm)衬底上沉积Ag(200nm)/NiP(200nm)的NiP薄膜电阻器，本结构更适用于50GHz以上的频段，特别是80‑100GHz，输入回波损耗显著降低，能够很好的满足高频信号传输的要求。
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