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公开(公告)号：CN1305804C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510069511.X
申请日：2005-05-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明属于(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系介电陶瓷的制备领域。目前仅仅依靠提升烧结温度或延长预烧和烧结时间以提高(Ta2O5)1-x(TiO2)x介电系数的状况。本发明按现有陶瓷制备工艺程序，对(Ta2O5)1-x(TiO2)x材料进行配料、混合和预反应；将预反应后的粉料压制成圆柱状坯体，再进行烧结，形成致密的圆柱状陶瓷体；沿着垂直于柱状陶瓷体的圆平面进行切割，见图，使其成为长方形薄片。本发明所获得的(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷样品的介电系数比通常烧结的圆薄片状陶瓷的介电系数有显著提高，大大超出目前(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系介电系数最好的水平；本发明在制备工艺上仅改变了陶瓷烧结体的形状，并进行垂直切割，即可将(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷介电系数大大提高，改变了单纯依赖改进预烧和烧结的温度及时间的现状，操作简便，效率高，可重复性强。
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公开(公告)号：CN1861375A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610012299.8
申请日：2006-06-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备聚偏氟乙烯导电塑料的方法，特别涉及一种通过准分子激光辐照制备聚偏氟乙烯导电塑料的方法。传统掺杂制备PVDF导电塑料的方法具有操作复杂且不易进行材料局部导电性选择加工的缺陷。本发明公开的方法中，采用脉冲频率为4～10Hz、波长为248nm的KrF激光和193nm的ArF激光作为高能辐照源，控制辐照在PVDF样品上的激光能量密度为140mJ/cm2～290mJ/cm2，在高绝缘塑料PVDF选定加工区域内快速制备出具有导电性的PVDF塑料。本发明不引入其他杂质就可实现绝缘到导电材料的相变，制备时间短、操作简单、可选择加工、工艺可控性强、重复性高。
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公开(公告)号：CN1686935A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510064776.0
申请日：2005-04-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/64
Abstract: 快速烧结(Ta2O5)1－x(TiO2)x体系陶瓷的工艺属于(Ta2O5)1－x(TiO2)x体系介电陶瓷制备领域。本发明包括以下步骤：将Ta2O5和TiO2粉料按配比(1－x)Ta2O5∶xTiO2在x＝0.01—0.13摩尔比的范围内进行配料，然后经球磨混合并烘干后，在1200℃下预烧12小时，再将预烧后的粉料球磨并烘干；将质量浓度为3％的聚乙烯醇(PVA)胶掺入烘干后的粉料，胶重量为粉料总重量的6％，在200兆帕压力下，压制成片状坯体；以100℃/小时的速率升温至1550℃，并保温1小时，然后以150℃/小时的速率降至室温，最终烧结成致密的片状陶瓷体。本工艺优势：制备周期明显缩短，效率大大提高了；制备所需能耗也大幅度地降低了；在TiO2掺杂摩尔浓度x≤0.13范围内，各组分的介电系数都有较大提高；在x≤0.13范围内的烧结，有多个组分的介电常数大于100，提供了较大范围的选择性。
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公开(公告)号：CN1670268A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510002279.8
申请日：2005-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属晶体生长领域。方法为激光辐照掺杂Al2O3陶瓷棒的下端使其熔融，其下端放籽晶，晶体由下至上快速生长。装置包括真空炉，内壁由侧保温屏(2)、上保温屏(7)、下保温屏(8)围成，炉内包括位于炉体中轴线上的结晶杆(5)、升降杆(1)，特征为顶部连接籽晶槽(4)的结晶杆(5)穿过下保温屏(8)，连接料夹(10)的升降杆(1)穿过上保温屏(7)，炉体一侧开激光入射窗(3)，另一侧开与激光入射窗(3)不在同一水平线上的观察窗(9)；炉体之外另附真空系统，2套伺服电机及控制系统作为结晶杆(5)及升降杆(1)的升降旋转系统；观察窗(9)外侧测温仪用于温度测量与反馈。本发明可快速生长直径大约为15毫米的蓝宝石晶体。
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公开(公告)号：CN1587200A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410050131.7
申请日：2004-06-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种Ta2O5基透明陶瓷制品及其激光快速制备方法，属于陶瓷材料制备领域。该陶瓷由以下方法制备：将Ta2O5粉料或按化学计量配比92∶8混合的Ta2O5和TiO2粉料，在1200℃～1350℃预烧4.8～5.6小时，然后压成Ta2O5基陶瓷坯材；在50～90s时间内，采用功率密度800～1250w/cm2的激光辐照上述Ta2O5基陶瓷坯材，进行预热；上述预热结束后，采用功率密度4800～5700w/cm2的激光烧结30～50s后，试样冷却至室温。该Ta2O5基透明陶瓷(如图所示)密度高，最低相对密度大于97％，平均相对密度近似理论密度；所用原料粉可以为普通工业用粉料，工艺简化，能耗低、时耗小，大大节约制备成本。
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公开(公告)号：CN1480427A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03148245.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/46 , H01B3/12
Abstract: 一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体，以190～350w/cm2的低功率密度在30～185s时间内对Ta2O5基陶瓷坯体进行激光辐照预热；预热结束后，调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850～1405w/cm2，进行烧结；经过25～95s的烧结后，激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。
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公开(公告)号：CN119528206A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411585248.9
申请日：2024-11-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备β‑Ga2O3纳米结构的方法，涉及半导体材料领域。其以Ga2O3粉末和石墨粉为原料；球磨烘干、在研钵中研磨后200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的圆柱形料棒；在管式炉中进行预烧制；将烧制后的圆柱形料棒放入光学浮区炉中，调整浮区炉卤钨灯输出功率，通入氧气，光照后经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备出β‑Ga2O3纳米结构。纳米结构中包含纳米丝、纳米带等，该纳米结构尺寸不一，形貌多样。此方法加快了氧化镓纳米结构的生长时间，提高了产率，降低了生产成本。制备出的结构可用于表面增强拉曼散射(SERS)衬底，大的比表面积和丰富的吸附点位使得可实现较强的SERS检测。
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公开(公告)号：CN114965422B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210477557.9
申请日：2022-05-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种级联微球透镜增强拉曼探针的制备方法。通过光纤拉锥以及激光辐照熔融烧制出一级光学微球透镜，然后该透镜通过沾取很薄的紫外胶黏连了一个直径等于其聚焦光斑的二级光学微球透镜，最后利用紫外光固化得到了级联微球透镜增强拉曼探针。本制造方法获得的级联微球透镜增强拉曼探针具有优异性能的拉曼增强效应，在低成本、高灵敏度拉曼光谱痕量检测场景中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115321584A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210859639.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种制备β‑Ga2O3微米带的方法涉及半导体材料和光学技术领域。其以Ga2O3粉末和石墨粉为原料；球磨烘干、200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的圆柱形料棒；将圆柱形料棒放入光学浮区炉中，设置浮区炉卤钨灯输出功率为720W/h，通入氧气，光照一定时间，经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备β‑Ga2O3微米带，该微米带尺寸较大，形貌完整，可有效构建光电器件。加快了氧化镓的一维微纳结构生长的时间，节约了能源，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN110212075B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910393599.2
申请日：2019-05-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构及其制备方法，所述叠层结构包括依次层叠连接的单层介电微球阵列、发光薄膜和衬底，同时还包括，嵌设在所述发光薄膜和衬底之间的第一金属纳米颗粒层，及嵌设在所述发光薄膜和单层介电微球阵列之间的第二金属纳米颗粒层。本发明所提供的增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构结合了介电微球光场调控与金属表面等离激元耦合效应的共同作用，可使得发光薄膜的发光强度显著增强，远远高于单独使用金属纳米颗粒层或单层介电微球阵列的增强效果；其制备成本低廉、方法简单、工艺耗时短、且不受任何衬底的限制，适用于高质量半导体发光薄膜的发光增强。
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