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公开(公告)号：CN1670268A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510002279.8
申请日：2005-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属晶体生长领域。方法为激光辐照掺杂Al2O3陶瓷棒的下端使其熔融，其下端放籽晶，晶体由下至上快速生长。装置包括真空炉，内壁由侧保温屏(2)、上保温屏(7)、下保温屏(8)围成，炉内包括位于炉体中轴线上的结晶杆(5)、升降杆(1)，特征为顶部连接籽晶槽(4)的结晶杆(5)穿过下保温屏(8)，连接料夹(10)的升降杆(1)穿过上保温屏(7)，炉体一侧开激光入射窗(3)，另一侧开与激光入射窗(3)不在同一水平线上的观察窗(9)；炉体之外另附真空系统，2套伺服电机及控制系统作为结晶杆(5)及升降杆(1)的升降旋转系统；观察窗(9)外侧测温仪用于温度测量与反馈。本发明可快速生长直径大约为15毫米的蓝宝石晶体。
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公开(公告)号：CN1329341C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200510051095.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/64
Abstract: 一种六方相钛酸钡陶瓷的激光制备方法，属于陶瓷制备领域。其特征在于，它包括如下步骤：采用传统的固相反应方法制备出BaTiO3陶瓷坯材样品，采用大功率激光作为直接辐照源，采用扫描的方式辐照陶瓷坯材，在10～60秒内将激光功率密度从初值0连续提高到466～777w/cm2，经过20～60秒的烧结后，在10～60秒的时间内连续降低功率密度；激光关光，样品冷却成瓷。本实验制备的BaTiO3陶瓷呈六方相，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结。
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公开(公告)号：CN1648103A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510000295.3
申请日：2005-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种高介电常数Al2O3基陶瓷的调节功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。现行技术多采用烧结炉烧结方式制备Al2O3基陶瓷，制备的Al2O3陶瓷的相对介电常数约为10，烧结时间较长，至少需要数小时；烧结过程不易控制；易造成高温烧结时的杂质污染。其特征在于，它包括以下步骤：采用大功率激光作为直接热源加热置于旋转工作台上的Al2O3基陶瓷坯体，在30－60s的时间内使激光功率密度从初始值0上升到630－1030w/cm2，同时开始烧结；经过60－300s的烧结后，在60－300s的时间内降低激光功率密度至初始值；激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Al2O3基陶瓷介电常数显著提高，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。
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公开(公告)号：CN1654421A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510051095.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/64
Abstract: 一种六方相钛酸钡陶瓷的激光制备方法，属于陶瓷制备领域。其特征在于，它包括如下步骤：采用传统的固相反应方法制备出BaTiO3陶瓷坯材样品，采用大功率激光作为直接辐照源，采用扫描的方式辐照陶瓷坯材，在10～60秒内将激光功率密度从初值0连续提高到466～777w/cm2，经过20～60秒的烧结后，在10～60秒的时间内连续降低功率密度；激光关光，样品冷却成瓷。本实验制备的BaTiO3陶瓷呈六方相，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结。
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公开(公告)号：CN100374626C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200510002279.8
申请日：2005-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属晶体生长领域。方法为激光辐照掺杂Al2O3陶瓷棒的下端使其熔融，其下端放籽晶，晶体由下至上快速生长。装置包括真空炉，内壁由侧保温屏(2)、上保温屏(7)、下保温屏(8)围成，炉内包括位于炉体中轴线上的结晶杆(5)、升降杆(1)，特征为顶部连接籽晶槽(4)的结晶杆(5)穿过下保温屏(8)，连接料夹(10)的升降杆(1)穿过上保温屏(7)，炉体一侧开激光入射窗(3)，另一侧开与激光入射窗(3)不在同一水平线上的观察窗(9)；炉体之外另附真空系统，2套伺服电机及控制系统作为结晶杆(5)及升降杆(1)的升降旋转系统；观察窗(9)外侧测温仪用于温度测量与反馈。本发明可快速生长直径大约为15毫米的蓝宝石晶体。
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