公开(公告)号：CN100515739C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610012299.8

申请日：2006-06-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  姬亚玲

IPC: B29C71/04 ,  C08J3/28 ,  C08J7/18 ,  B29B13/08

Abstract: 本发明公开了一种制备聚偏氟乙烯导电塑料的方法，特别涉及一种通过准分子激光辐照制备聚偏氟乙烯导电塑料的方法。传统掺杂制备PVDF导电塑料的方法具有操作复杂且不易进行材料局部导电性选择加工的缺陷。本发明公开的方法中，采用脉冲频率为4～10Hz、波长为248nm的KrF激光和193nm的ArF激光作为高能辐照源，控制辐照在PVDF样品上的激光能量密度为140mJ/cm2～290mJ/cm2，在高绝缘塑料PVDF选定加工区域内快速制备出具有导电性的PVDF塑料。本发明不引入其他杂质就可实现绝缘到导电材料的相变，制备时间短、操作简单、可选择加工、工艺可控性强、重复性高。

公开(公告)号：CN1861375A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610012299.8

申请日：2006-06-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  姬亚玲

IPC: B29C71/04 ,  C08J3/28 ,  C08J7/18 ,  B29B13/08

Abstract: 本发明公开了一种制备聚偏氟乙烯导电塑料的方法，特别涉及一种通过准分子激光辐照制备聚偏氟乙烯导电塑料的方法。传统掺杂制备PVDF导电塑料的方法具有操作复杂且不易进行材料局部导电性选择加工的缺陷。本发明公开的方法中，采用脉冲频率为4～10Hz、波长为248nm的KrF激光和193nm的ArF激光作为高能辐照源，控制辐照在PVDF样品上的激光能量密度为140mJ/cm2～290mJ/cm2，在高绝缘塑料PVDF选定加工区域内快速制备出具有导电性的PVDF塑料。本发明不引入其他杂质就可实现绝缘到导电材料的相变，制备时间短、操作简单、可选择加工、工艺可控性强、重复性高。