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公开(公告)号:CN1693282A
公开(公告)日:2005-11-09
申请号:CN200510069511.X
申请日:2005-05-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明属于(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系介电陶瓷的制备领域。目前仅仅依靠提升烧结温度或延长预烧和烧结时间以提高(Ta2O5)1-x(TiO2)x介电系数的状况。本发明按现有陶瓷制备工艺程序,对(Ta2O5)1-x(TiO2)x材料进行配料、混合和预反应;将预反应后的粉料压制成圆柱状坯体,再进行烧结,形成致密的圆柱状陶瓷体;沿着垂直于柱状陶瓷体的圆平面进行切割,见图,使其成为长方形薄片。本发明所获得的(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷样品的介电常数比通常烧结的圆薄片状陶瓷的介电常数有显著提高,大大超出目前(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系介电系数最好的水平;本发明在制备工艺上仅改变了陶瓷烧结体的形状,并进行垂直切割,即可将(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷介电常数大大提高,改变了单纯依赖改进预烧和烧结的温度及时间的现状,操作简便,效率高,可重复性强。
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公开(公告)号:CN1305804C
公开(公告)日:2007-03-21
申请号:CN200510069511.X
申请日:2005-05-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明属于(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系介电陶瓷的制备领域。目前仅仅依靠提升烧结温度或延长预烧和烧结时间以提高(Ta2O5)1-x(TiO2)x介电系数的状况。本发明按现有陶瓷制备工艺程序,对(Ta2O5)1-x(TiO2)x材料进行配料、混合和预反应;将预反应后的粉料压制成圆柱状坯体,再进行烧结,形成致密的圆柱状陶瓷体;沿着垂直于柱状陶瓷体的圆平面进行切割,见图,使其成为长方形薄片。本发明所获得的(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷样品的介电系数比通常烧结的圆薄片状陶瓷的介电系数有显著提高,大大超出目前(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系介电系数最好的水平;本发明在制备工艺上仅改变了陶瓷烧结体的形状,并进行垂直切割,即可将(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷介电系数大大提高,改变了单纯依赖改进预烧和烧结的温度及时间的现状,操作简便,效率高,可重复性强。
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公开(公告)号:CN1686935A
公开(公告)日:2005-10-26
申请号:CN200510064776.0
申请日:2005-04-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/64
Abstract: 快速烧结(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系陶瓷的工艺属于(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系介电陶瓷制备领域。本发明包括以下步骤:将Ta2O5和TiO2粉料按配比(1-x)Ta2O5∶xTiO2在x=0.01—0.13摩尔比的范围内进行配料,然后经球磨混合并烘干后,在1200℃下预烧12小时,再将预烧后的粉料球磨并烘干;将质量浓度为3%的聚乙烯醇(PVA)胶掺入烘干后的粉料,胶重量为粉料总重量的6%,在200兆帕压力下,压制成片状坯体;以100℃/小时的速率升温至1550℃,并保温1小时,然后以150℃/小时的速率降至室温,最终烧结成致密的片状陶瓷体。本工艺优势:制备周期明显缩短,效率大大提高了;制备所需能耗也大幅度地降低了;在TiO2掺杂摩尔浓度x≤0.13范围内,各组分的介电系数都有较大提高;在x≤0.13范围内的烧结,有多个组分的介电常数大于100,提供了较大范围的选择性。
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公开(公告)号:CN1300050C
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200510064776.0
申请日:2005-04-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/64
Abstract: 快速烧结(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系陶瓷的工艺属于(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系介电陶瓷制备领域。本发明包括以下步骤:将Ta2O5和TiO2粉料按配比(1-x)Ta2O5∶xTiO2在x=0.01-0.13摩尔比的范围内进行配料,然后经球磨混合并烘干后,在1200℃下预烧12小时,再将预烧后的粉料球磨并烘干;将质量浓度为3%的聚乙烯醇(PVA)胶掺入烘干后的粉料,胶重量为粉料总重量的6%,在200兆帕压力下,压制成片状坯体;以100℃/小时的速率升温至1550℃,并保温1小时,然后以150℃/小时的速率降至室温,最终烧结成致密的片状陶瓷体。本工艺优势:制备周期明显缩短,效率大大提高了;制备所需能耗也大幅度地降低了;在TiO2掺杂摩尔浓度x≤0.13范围内,各组分的介电系数都有较大提高;在x≤0.13范围内的烧结,有多个组分的介电常数大于100,提供了较大范围的选择性。
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