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公开(公告)号：CN107523798B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201710857636.1
申请日：2017-09-21
Applicant: 北京大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板连接提供负偏压的直流电压源；真空腔室的暴露内表面覆盖双层内衬材料，外层为防沾污层，内层为绝缘层，防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了离子注入掺杂的纯净度。
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公开(公告)号：CN107731649A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710991602.1
申请日：2017-10-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32522 , H01J37/32715 , H01J37/32853 , H01J37/32908
Abstract: 本发明公布了一种多功能半导体掺杂装置，兼容等离子体激励非高温扩散掺杂和等离子体浸没离子注入掺杂两种功能。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，窗口下为由上下板构成的平行板等离子体腔，其间设可移动的中板；三板的暴露表面沉积掺杂杂质层；真空腔室内表面和支架表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，且防沾污层连接提供正偏压的直流低电压源；中板连接提供负偏压的直流高电压源，下板为地电位。进行扩散掺杂时，移出中板，待掺杂半导体置于下板上，而进行离子注入掺杂时，移入中板，待掺杂半导体置于中板上。该装置不仅最大限度降低了非掺杂杂质的沾污，还能灵活实现两种掺杂功能的互换。
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公开(公告)号：CN106910680A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510976237.8
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L21/22 , H01L21/2215 , H01L21/2605
Abstract: 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散。该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
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公开(公告)号：CN102832111B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210328185.X
申请日：2012-09-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/268 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高太阳电池转换效率的方法。通过适度低剂量伽玛射线辐照促使太阳电池p-n结区中过渡金属杂质向p-n结附近缺陷区扩散并沉淀，且帮助那些不处于太阳电池材料晶格中代位位置的施主或受主杂质原子进入代位位置，从而获得转换效率提高的太阳电池。太阳电池转换效率的提升率取决于p-n结附近缺陷区和适度低剂量伽玛射线辐照的具体情况。由于不同太阳电池之间有很大差异，对于一些太阳电池，其p-n结附近原有的缺陷区加上适度低剂量伽玛射线辐照就可使其转换效率明显提高；而对于另一些太阳电池，必须更新p-n结附近的缺陷区，结合适度低剂量伽玛射线辐照，增加太阳电池转换效率的提升率。
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公开(公告)号：CN103794473A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410041978.2
申请日：2014-01-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/322 , H01L21/2636 , H01L21/3221
Abstract: 本发明公开了一种吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行剂量小于5000Gy低剂量电子辐照，使硅晶片待清洁区或硅器件有源区中的过渡金属杂质向附近的吸杂缺陷区扩散，从而降低硅晶片待清洁区或硅器件有源区内的过渡金属杂质浓度。相比于现有的硅材料吸杂方法，该方法在室温下进行，因而不仅可用于硅晶片还可用于硅器件吸杂，且该方法不限于单晶或多晶硅片及硅器件，也适用于其它半导体材料（如锗）和相应器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102306709A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110284666.0
申请日：2011-09-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，属于光电技术领域。该有机电致发光器件的阳极由一个或多个p型多晶硅层和金属硅化物层组成，该阳极采用电子束蒸发沉积等方法淀积金属薄膜和p型非晶硅薄膜，利用金属诱导非晶硅晶化制得。本发明通过调节金属层厚度和沉积p型非晶硅所用硅靶的电阻率，可优化有机电致发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN102244367A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110140205.6
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本激光器包括刻蚀有键合区和光耦合区的SOI层；SOI层上设有一多区层，多区层从左到右依次为键合用聚合物、硅阻挡墙、空气隙、硅波导、空气隙、硅阻挡墙、键合用聚合物；多区层上设有n型III-V族材料层；n型III-V族材料层上与硅波导对应部位设有一多层结构，多层结构从下至上依次为第一SCH层、MQW层、第二SCH层、p型III-V族材料层、p型腐蚀阻挡层、p型欧盟接触层；在n型III-V族材料层上多层结构左右两侧分别有一n型III-V族材料的欧姆接触层。本激光器可作为硅基光源应用于单片硅基光电集成，易于制备、成本低。
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公开(公告)号：CN101894915A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910084618.X
申请日：2009-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，该器件的阳极是一含产生中心的n-Si薄膜电极。在衬底上直接溅射n-Si超薄层，或者沉积一导电薄层后再溅射n-Si超薄层，然后通过金属诱导晶化形成n-Si薄膜，随后在其中引入产生中心，用这种含有产生中心的n-Si薄膜作为OLED阳极，通过调整产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小以匹配电子注入电流，提高了硅基电致发光效率，同时减少了硅的用量，降低了器件生产成本，从而使硅基有机电致发光器件更适合产业化。
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公开(公告)号：CN100440567C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510077056.8
申请日：2005-06-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素：Au或Ag复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，该电极可以用普通的真空蒸镀方法来完成，制备方法简单；而外层的低功稀土元素：Au或Ag复合层导致的光吸收和光反射都较Ag层小，且不易被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极可广泛应用于无机薄膜、半导体发光，光电器件和光探测器等方面。
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公开(公告)号：CN100399865C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410056832.1
申请日：2004-08-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，所述有机发光层上设有厚度为5—40nm的稀土元素层，在所述稀土元素层上设有厚度为10—15nm的Au层。本发明用低功稀土/Au复合层或CsF/低功稀土/Au复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素。与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效率提高6—8倍，而外层的Au膜导致的光吸收和光反射都较Ag膜小，且不会被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广阔的应用前景。
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