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公开(公告)号：CN101728488A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810225333.9
申请日：2008-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n+-Si:Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心的受主能级(Si价带之上0.57eV)向Si价带发射，然后在电场下注入进空穴传输层的最高已占轨道(HOMO)，并且可以通过调整Au产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小，以匹配不同的电子传输材料所对应的不同大小的电子注入电流，实现硅基电致发光效率的提高。
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公开(公告)号：CN1881646A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510077057.2
申请日：2005-06-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层，所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100％至0％。本发明采用普通的真空蒸镀方法(10－5托)在电极上蒸镀一低功稀土金属与贵金属的浓度梯度层，并结合增透层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，方法简单实用，与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效率提高6－8倍。本发明的顶出光电极可以广泛应用于无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面。
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公开(公告)号：CN1713408A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410048076.8
申请日：2004-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法，涉及顶出光电致发光器件领域。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其特征在于：所述有机发光层上还有Al层，和位于Al层上的Au层。本发明用薄Al/Au层或LiF/Al/Au复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素。该薄层可以用普通的真空蒸镀方法(10－5托)来完成，电极透光率比薄Al/Ag层高约40－50％，而且外层的Au膜不像Ag膜那样易于被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广泛用途。
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公开(公告)号：CN100440567C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510077056.8
申请日：2005-06-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素：Au或Ag复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，该电极可以用普通的真空蒸镀方法来完成，制备方法简单；而外层的低功稀土元素：Au或Ag复合层导致的光吸收和光反射都较Ag层小，且不易被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极可广泛应用于无机薄膜、半导体发光，光电器件和光探测器等方面。
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公开(公告)号：CN100399865C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410056832.1
申请日：2004-08-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，所述有机发光层上设有厚度为5—40nm的稀土元素层，在所述稀土元素层上设有厚度为10—15nm的Au层。本发明用低功稀土/Au复合层或CsF/低功稀土/Au复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素。与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效率提高6—8倍，而外层的Au膜导致的光吸收和光反射都较Ag膜小，且不会被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1881645A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510077056.8
申请日：2005-06-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素：Au或Ag复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，该电极可以用普通的真空蒸镀方法(10－5托)来完成，制备方法简单；而外层的低功稀土元素：Au或Ag复合层导致的光吸收和光反射都较Ag层小，且不易被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极可广泛应用于无机薄膜、半导体发光，光电器件和光探测器等方面。
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公开(公告)号：CN101728488B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810225333.9
申请日：2008-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n+-Si:Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心的受主能级(Si价带之上0.57eV)向Si价带发射，然后在电场下注入进空穴传输层的最高已占轨道(HOMO)，并且可以通过调整Au产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小，以匹配不同的电子传输材料所对应的不同大小的电子注入电流，实现硅基电致发光效率的提高。
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公开(公告)号：CN100456516C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200510077057.2
申请日：2005-06-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层，所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100%至0%。本发明采用普通的真空蒸镀方法(10-5托)在电极上蒸镀一低功稀土金属与贵金属的浓度梯度层，并结合增透层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，方法简单实用，与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效率提高6-8倍。本发明的顶出光电极可以广泛应用于无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面。
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公开(公告)号：CN1333108C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN03134724.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 北京大学
IPC: C25B1/00
Abstract: 本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10-300mA/cm2范围，时间为5-30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，便可收集到硅片表面上的纳米硅颗粒。采用本发明可显著增加硅片和腐蚀液的接触面积，使硅片的腐蚀率比现有技术提高近百倍，设备简单、成本低，能够快速、批量生产纳米硅颗粒，该纳米硅是性能很好的半导体光电子材料。
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公开(公告)号：CN1741699A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200410056832.1
申请日：2004-08-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其特征在于：所述有机发光层上设有稀土元素层，在所述稀土元素层上设有Au层。本发明用低功稀土/Au复合层或CsF/低功稀土/Au复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素。与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效率提高6－8倍，而外层的Au膜(10nm)导致的光吸收和光反射都较Ag膜小，且不会被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面也有广泛用途。
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