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公开(公告)号：CN118387831A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410489049.1
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种超低功耗控制金属纳米材料表面凸起物的方法，属于纳电子学领域。本发明将中间间隙为纳米尺度的金属电极对先预制成两端器件，采用半导体参数分析仪及配套的探针台，对金属纳米间隙进行电流‑电压(I‑V)扫描，然后将电流限流在pA量级，实现纳米线表面的三维金属凸起物的产生和消失。本发明可以实现三维纳米尺度的金属结构在纳电子学领域中的应用。
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公开(公告)号：CN116936625A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210360115.6
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本发明公布了一种多量子点结构的制备方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法通过对金属纳米带的几何形状进行设计，控制电迁移主要发生的位置，再利用电流焦耳热驱动的电迁移，调整电迁移过程中的电压、电流等电学参数，使发生迁移的一部分原子与既有结构断开连接，并且控制其平均原子量，从而制备出多量子点结构。本发明可以在一次制备过程中，形成彼此间距离仅数埃至数纳米的多量子点结构，量子点的直径从数埃至数纳米，因量子尺寸限域效应，量子点的能级会分裂而存在能隙。
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公开(公告)号：CN116936624A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210360109.0
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本发明公布了一种基于金属隧穿结的可栅控开关器件的实现方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在隧穿结结构之外，引入一个开关控制电极，开关控制电极经由介质或空气与隧穿结隔开，实现电绝缘。在开关控制电极上施加电压，则开关控制电极与隧穿结之间也会形成电场。因开关控制电极电场的引入，改变了隧穿结表面的电场分布，产生了垂直于沟道方向的电场分量。垂直沟道方向的电场分量，对隧穿结表面的原子同样也有库仑力作用，可使原子沿垂直于沟道方向迁移，使得原本停留在隧穿电极对尖端的原子，将会向两侧移动，而离开尖端位置，从而实现了通过开关控制电极控制隧穿结电流大小的目的，实现了可栅控开关。
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公开(公告)号：CN112038487B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010772285.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，使沟道电流具有水平与垂直两种流向，从而得到水平磁阻与垂直磁阻相叠加而产生的M型磁阻曲线。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、构型物尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。
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公开(公告)号：CN114335335A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111499525.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公布了一种调节金属隧穿结中的间隙距离的方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法利用激光照射的I‑V扫描方法，高精度控制金属隧穿结中的间隙距离。本发明可以在相当大的范围内进行调节隧穿间隙距离，可以有效控制隧穿结的电学性能。激光照射方法对隧穿结样品温和，调节过程没有损伤，属于无损方法。通过探针台、支架和光路、调焦等外围支持系统的配合，可以对制备在不同材料的衬底上的隧穿结样品进行调节，适用范围广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112038486A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010771744.9
申请日：2020-08-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在平行于衬底表面的外磁场下实现器件具有M型磁阻曲线的方法，属于微纳尺度器件技术领域。该方法通过改变二维沟道的形状来改变沟道电流流向，使沟道电流具有至少两种流向，从而得到不同取向的磁阻曲线相叠加而产生的多种不同的M型磁阻曲线。由于沟道设计成非直线的形状，因此具备可拉伸的特点，故该种器件可以在柔性衬底上制备使用。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、组合沟道尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。
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公开(公告)号：CN108461446B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810250000.5
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种单栅石墨烯倍频器的制备方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在常规的源(或漏)金属和石墨烯接触的基础上插入一层不连续或是多孔连续的金属氧化薄膜构成金属/氧化层/石墨烯的接触结构，或是第二金属/第一金属/氧化层/石墨烯的接触结构，同时在石墨烯沟道上方覆盖金属、金属氧化物或是有机物等材料，得到转移特性曲线具有两个电流极小值点的石墨烯倍频器件。本发明石墨烯倍频器的三次谐波的能量或是四次谐波的能量占全部输出交流信号(基频和各次谐波)能量的比例高。
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公开(公告)号：CN107123845B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710285611.9
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金属共面波导特征阻抗值的增加方法。该方法通过在金属共面波导的信号线上覆盖二维材料，来实现对金属共面波导特征阻抗的增加。本发明在实现特征阻抗值增加的同时，不会增加导体的导体损耗。不同于一般通过调整结构参数来增加金属共面波导的特征阻抗值，本发明对金属共面波导的特征阻抗值增加的方法较为直观简单，避免了耗费大量的调整时间。另外，本发明不影响原金属共面波导制备过程中的任何加工过程，能够很好地与其制备工艺兼容。
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公开(公告)号：CN106768513B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201611079246.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种结构简单的大量程和高精度的压力传感器及其制备方法。该方法利用表面存在大量褶皱的纳米厚度石墨材料，基于褶皱在垂直于表面的方向上的导电性会随着褶皱上承受的压力的增大而明显增大这一现象，设计了一个结构简单、易于实现的压力传感器结构。由于石墨材料表面的褶皱无处不在、密度较大，且高度各异，所以该压力传感器不仅可以在较大的量程范围内实现对压力的测量，而且对压力测量的精度也非常高，可以实现对微力的测量。另外，由于石墨材料为纳米厚度片状结构，该压力传感器还具有体积小的优势。
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公开(公告)号：CN108461446A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810250000.5
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/77
Abstract: 本发明提出了一种单栅石墨烯倍频器的制备方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在常规的源(或漏)金属和石墨烯接触的基础上插入一层不连续或是多孔连续的金属氧化薄膜构成金属/氧化层/石墨烯的接触结构，或是第二金属/第一金属/氧化层/石墨烯的接触结构，同时在石墨烯沟道上方覆盖金属、金属氧化物或是有机物等材料，得到转移特性曲线具有两个电流极小值点的石墨烯倍频器件。本发明石墨烯倍频器的三次谐波的能量或是四次谐波的能量占全部输出交流信号(基频和各次谐波)能量的比例高。
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