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公开(公告)号：CN101024874A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610167476.X
申请日：2006-12-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01B1/12 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80
Abstract: 本发明的透明导电膜制造用烧结体靶主要由Ga、In和O形成，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，主要由β－GaInO3相和In2O3相构成，In2O3相(400)/β－GaInO3相(111)X射线衍射峰强度比为45％以下，并且密度在5.8g/cm3以上。使用溅射法得到的透明导电膜为主要由Ga、In和O形成的非晶质氧化物膜透明导电膜，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，功函数在5.1eV以上，波长633nm下的折射率在1.65以上1.85以下。
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公开(公告)号：CN1977210A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580022037.3
申请日：2005-06-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: G02F1/0147 , G02F1/225 , G02F2201/12
Abstract: 一种波导型光控制元件，具有：光波导，其由具有电光效应或热光效应的绝缘材料构成；控制用电极，其接触或接近于光波导而被设置，并且，光波导的传播损耗在波长为1.3～1.6μm时为1dB/cm以下，其特征在于，由其载流子电子浓度为5.5×1020个/cm3以下、且电阻率在9.5×10－4Ωcm以下的导电氧化物膜构成上述控制用电极，而且导电氧化物膜对波长为1.55μm的光波的衰减系数为0.240以下。
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公开(公告)号：CN1446940A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03121240.9
申请日：2003-03-27
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 阿部能之
CPC classification number: H01L51/5234 , C04B35/01 , C04B35/62695 , C04B37/026 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/81 , C04B2235/963 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , Y02E10/50 , Y10S428/917 , Y10S428/918
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜、具有该透明导电性薄膜的显示屏用透明导电性基体材料及发光特性优良的有机电发光元件。透明导电性薄膜，通过使用烧结体靶的溅射喷镀等可以容易地形成，不需要腐蚀和研磨加工的后处理，具有低电阻，并且表面平滑性优良，在可见光领域的低波长侧透过率大。透明导电性薄膜是以氧化铟为主要成份含有硅的透明导电性薄膜，其构造实质上是非结晶质，而且硅的含量，对于铟和硅的合计量是0.5～13原子％；或者是以氧化铟为主要成份含有钨和锗的透明导电性薄膜，W/In的原子数比是0.003～0.047及Ge/In的原子数比是0.001～0.190。
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公开(公告)号：CN107615494B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201680032568.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明的课题是提供一种光电转换元件，其是使用工业上有价值的在线式溅射法来使其具有的透明电极能发挥含钛的氧化铟膜具有的直至近红外区的透过率较高且导电性优良的特性。本发明的解決方法是通过在线式溅射法将由氧化铟或以氧化铟为主成分且以Sn/(In+Sn)的原子数比计含有19原子％以下比例的锡的含锡的氧化铟构成的第一氧化物透明导电膜(8)形成在光电转换层(7)侧，并在第一氧化物透明导电膜(8)上将由以氧化铟为主成分且以Ti/(In+Ti)的原子数比计含有0.5原子％～3.5原子％比例的钛的含钛的氧化铟构成的第二氧化物透明导电膜(9)形成在与光电转换层(7)不同的侧。将具有第一氧化物透明导电膜(8)和第二氧化物透明导电膜(9)的本发明的氧化物透明导电层积膜(10)作为光电转换元件的透明电极(12)发挥功能。
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公开(公告)号：CN107615494A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680032568.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明的课题是提供一种光电转换元件，其是使用工业上有价值的在线式溅射法来使其具有的透明电极能发挥含钛的氧化铟膜具有的直至近红外区的透过率较高且导电性优良的特性。本发明的解決方法是通过在线式溅射法将由氧化铟或以氧化铟为主成分且以Sn/(In+Sn)的原子数比计含有19原子％以下比例的锡的含锡的氧化铟构成的第一氧化物透明导电膜(8)形成在光电转换层(7)侧，并在第一氧化物透明导电膜(8)上将由以氧化铟为主成分且以Ti/(In+Ti)的原子数比计含有0.5原子％～3.5原子％比例的钛的含钛的氧化铟构成的第二氧化物透明导电膜(9)形成在与光电转换层(7)不同的侧。将具有第一氧化物透明导电膜(8)和第二氧化物透明导电膜(9)的本发明的氧化物透明导电层积膜(10)作为光电转换元件的透明电极(12)发挥功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103081028B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180041906.2
申请日：2011-08-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022483 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01L31/02366 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/24355 , Y10T428/24967
Abstract: 本发明提供一种低电阻且高透过性的透明导电膜层叠体及其制造方法、以及薄膜太阳能电池及其制造方法。在透明导电膜（I）上层叠有透明导电膜（II）的透明导电膜层叠体中，透明导电膜（I）含有选自于铝和镓中的一种以上的添加元素，且添加元素的含量在以―2.18×[Al]＋1.74≤[Ga]≤―1.92×[Al]＋6.10表示的范围内。透明导电膜（II）含有选自于铝和镓中的一种以上的添加元素，并且添加元素的含量在以―[Al]＋0.30≤[Ga]≤―2.68×[Al]＋1.74表示的范围内。其中，[Al]是以Al/(Zn＋Al)的原子数比（%）表示的铝含量，另一方面，[Ga]是以Ga/(Zn＋Ga)的原子数比（%）表示的镓含量。
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公开(公告)号：CN102144177B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN200980134694.5
申请日：2009-08-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: G03B9/02 , C23C14/0015 , C23C14/0036 , C23C14/083 , C23C14/3414 , G02B5/003 , G02B5/005 , G02B5/22 , G03B9/08 , Y02T50/67 , Y10T428/24355 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明提供能够使光学部件的表面为低反射性、黑色性的具有耐热性的黑色覆膜；以及以使用该覆膜的树脂薄膜作为基质基材的黑色遮光板；以及使用其的光圈、光量调节用光圈装置以及快门。提供一种黑色覆膜，该黑色覆膜是在不透明基板或半透明基板上形成氧化钛膜而得到的黑色覆膜(A)，该氧化钛膜以钛和氧为主成分，含氧量以O/Ti原子数比计为0.7～1.4，其特征在于：前述氧化钛膜为晶体的长度方向沿膜厚方向延伸的微细柱状晶体集合而成的组织，在该膜表面有突起，而且膜厚为50nm以上；提供黑色遮光板等，该遮光板是在基板的至少一面上形成膜厚40nm以上的金属遮光板(B)，然后在金属遮光膜(B)的表面上层叠形成黑色覆膜(A)而得到的。
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公开(公告)号：CN101164966B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200710163836.3
申请日：2007-09-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/06 , C23C14/34
CPC classification number: C04B35/6261 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/763 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供以氧化锌为主要成分，进一步含有铝、镓的氧化物烧结体及其制造方法；采用溅射法等完全不产生异常放电、能够连续且长时间成膜的靶；以及采用它的低电阻且高透射性的高品质的透明导电膜；高转换效率的太阳能电池。其通过氧化物烧结体等而提供，该氧化物烧结体含有氧化锌、铝、镓，是实质上由纤锌矿型氧化锌相和尖晶石型氧化物相的结晶相构成的氧化物烧结体，其特征在于，(1)氧化物烧结体中的铝和镓的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子数比计为0.3～6.5原子％，并且，铝和镓的含量以Al/(Al+Ga)原子数比计为30～70原子％；(2)尖晶石型氧化物相中的铝的含量以Al/(Al+Ga)原子数比计为10～90原子％。
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公开(公告)号：CN103069045A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180041008.7
申请日：2011-08-23
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C14/086 , H01L31/03765 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/202 , H01L31/204 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内制造优良的透明导电膜、使高效薄膜太阳能电池的生产效率得到提高的透明导电膜的制造方法以及薄膜太阳能电池的制造方法。在作为溅射气体种类采用Ar和H2的混合气体并且混合气体的摩尔比为H2/(Ar＋H2)＝0.01～0.43、溅射气压为2.0～15.0Pa、基板温度为300～600℃的条件下，使用以氧化锌作为主要成分的氧化物烧结体靶，在透光性基板（1）上形成透明导电膜（2）。并且，将非晶质光电转换单元（3）、背面电极（5）依次形成于透明导电膜（2）上。
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公开(公告)号：CN102812150A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180014684.5
申请日：2011-02-21
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/30 , C01G19/00 , C01P2004/61 , C01P2006/62 , C04B35/01 , C04B35/62625 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/786 , C23C14/086 , C23C14/32
Abstract: 本发明的氧化物蒸镀材料，其特征在于，由以氧化铟为主要成分且以Sn/In原子数比计含有0.001～0.614的锡的氧化物烧结体构成，且CIE1976色度系统中的L*值为54～75。L*值为54～75的上述氧化物蒸镀材料具有最佳氧量，因此，即使向成膜真空槽导入的氧气量少，也可以通过真空蒸镀法制造出低电阻且在可见区具有高透过性的透明导电膜，并且由于氧气的导入量少，可以缩小膜与蒸镀材料之间的组成差，也可减少批量生产时膜组成的变动和特性的变动。
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