公开(公告)号：CN1240304A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108644.9

申请日：1999-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树 ,  西本达也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/40 ,  C30B25/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  Y10T428/26

Abstract: 提供一种面积大、弯曲小的独立的GaN单晶衬底。在GaAs(111)衬底上形成具有交错式窗或条纹窗的掩模,用HVPE法或MOC法,在低温下形成GaN缓冲层,用HVPE法在高温下形成厚的GaN外延层,将GaAs衬底除去。将GaN独立膜作为种晶,用HVPE法使GaN加厚,制成GaN晶锭。利用切片机切断晶锭,并研磨,制成透明无色、弯曲小的GaN晶片。

公开(公告)号：CN1237795A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99106909.9

申请日：1999-05-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树 ,  松岛政人

IPC: H01L29/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种n型的GaN衬底。使原料气中含有氧，在GaAs衬底上使GaN外延生长，然后将GaAs衬底除去，获得具有与氧浓度成正比的n型载流子的n型GaN的独立膜。

公开(公告)号：CN1197998A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98109431.7

申请日：1998-03-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  松岛政人 ,  秋田胜史 ,  津充 ,  竹本菊郎 ,  关寿 ,  缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供有在立方晶系半导体(111)衬底上形成的GaN层的外延晶片。包括:立方晶系半导体(111)衬底;在所述衬底上形成厚度为60nm以上的第一GaN层;和在第一GaN层上形成厚度0.1μm以上的第二GaN层。

公开(公告)号：CN105452765B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201480044776.1

申请日：2014-08-06

Applicant: 住友电工印刷电路株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  赤羽良启 ,  齐藤裕久 ,  盐崎学

IPC: F21K9/20 ,  F21V19/00 ,  F21V29/74 ,  H01L33/00 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明的目的在于提供能以低成本有效抑制正面侧发光强度变化的LED组件和LED发光装置。该LED组件设置有多个发光二极管。多个发光二极管仅布置在直圆锥体、直棱锥体、截角直圆锥体或截角直棱锥体的侧面上，所述侧面相对于底面具有55°‑82°的倾斜角，多个发光二极管的发光表面与上述侧面大致平行并且相邻的发光二极管或发光二极管组的发光表面的垂直线投影在底面上而形成的投影线所形成的角度均彼此相等并为72°以下。优选的是，布置有发光二极管的侧面是直棱锥体或截角直棱锥体的侧面，一个或多个发光二极管布置在所述侧面上并且直棱锥体或截角直棱锥体的底面是5个以上侧边的多边形，该多边形形状的所有内角相等。

公开(公告)号：CN105009692A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480009498.6

申请日：2014-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤裕久 ,  元木健作

IPC: H05K1/02

CPC classification number: F21V29/70 ,  F21V7/05 ,  F21V19/0025 ,  F21V21/00 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15159 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/028 ,  H05K1/115 ,  H05K1/181 ,  H05K1/189 ,  H05K3/0011 ,  H05K3/0058 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/305 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/062 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/10106

Abstract: 一种散热电路板包括：印刷电路板，其包括设置在后表面的绝缘膜和设置在前表面的一个或多个焊盘部；一个或多个电子元件，其安装在一个或多个焊盘部上；以及粘合剂层，其堆叠在绝缘膜的后表面上。绝缘膜和粘合剂层在至少将用于各个电子元件的一个或多个焊盘部的投影区域覆盖的第一区域中被移除，并且绝缘膜和粘合剂层的移除部分被导热性粘合剂填充。

公开(公告)号：CN102315103B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1992168B8

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101568671A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001356.X

申请日：2008-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  元木健作

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/32341 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02656 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/2201 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种具有提高了的成品率的GaN外延衬底、使用GaN外延衬底的半导体器件以及用于制造该GaN外延衬底和半导体器件的方法。GaN外延衬底制造方法具有：第一GaN层形成步骤，在基础衬底上外延生长第一GaN层；凹陷部形成步骤，在第一GaN层形成步骤之后，在基础衬底的上表面上形成凹陷部；以及第二GaN层形成步骤，在凹陷部形成步骤之后，在第一GaN层上外延生长第二GaN层。因而，抑制了裂纹的产生并提高了成品率。

公开(公告)号：CN100477089C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610087785.6

申请日：2000-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供一种制造106cm-2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

公开(公告)号：CN101393851A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810173810.1

申请日：2002-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  弘田龙 ,  冈久拓司 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/18 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种单晶氮化镓基板和单晶氮化镓长晶方法，单晶氮化镓基板具有表面、背面和厚度，具有晶体缺陷集合区H、低缺陷单晶区Z和C面生长区Y，具有HZYZ构造；所述晶体缺陷集合区H直线状伸展，贯通表背面，有宽，在宽度方向两侧具有交界线K、K，让变位集合在内部；所述低缺陷单晶区Z直线状伸展，贯通表背面，通过交界线K与晶体缺陷集合区H相接，有宽，变位密度比晶体缺陷集合区H低；所述C面生长区Y位于低缺陷单晶区Z的大致中央，直线状伸展，贯通表背面，有宽，变位密度比晶体缺陷集合区H低，电阻率比低缺陷单晶区Z低高，C面生长区Y的宽度并非一定而具有随机偏差，在厚度方向以及与面平行的方向上歪歪扭扭。