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公开(公告)号：CN111929990B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202010761593.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法，该防硫酸铵系统包括：薄膜，设置于掩模版的掩模底面上，与所述掩模底面围成一密闭空间，所述密闭空间包围所述掩模版的胶片；氢离子捕捉器，通过两条管道分别与所述密闭空间的两侧相连通；该氢离子捕捉器包括：壳体、设置在所述壳体内的电解质容器、水合凝胶层、电极、供电模块和水收集器。本申请的防硫酸铵系统，能够通过氢离子捕捉器去除空气中的氢离子，向薄膜与掩模版所围成的密闭空间内输入过滤掉氢离子的空气，通过空气将胶片在曝光时产生的氨排出，从而防止有害硫酸铵的生成，避免产生硫酸铵附着在胶片上的情况。
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公开(公告)号：CN115207103A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110397427.X
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，所述衬底上形成有栅极沟槽和隔离沟槽；覆盖于所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的内表面上并覆盖于所述衬底表面的栅介电层；覆盖于所述栅介电层上方并充满所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的导电金属层，所述导电金属层使用包括钨元素和银元素的金属化合物。本发明的半导体器件具有低电阻的埋栅结构。
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公开(公告)号：CN115206773A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110397952.1
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供一种半导体干燥方法，包括：采用第一干燥剂对晶圆表面进行第一置换处理，其中，所述第一干燥剂的表面张力低于去离子水的表面张力，所述第一干燥剂与所述去离子水互溶；采用第二干燥剂对所述晶圆表面进行第二置换处理，其中，所述第二干燥剂的表面张力低于所述第一干燥剂的表面张力，所述第二干燥剂与所述第一干燥剂互溶；对所述晶圆表面的第二干燥剂进行去除。采用本发明提供的技术方案，能够提高干燥效果，避免在干燥过程中产生极板坍塌。
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公开(公告)号：CN115083501A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110275054.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G11C29/12
Abstract: 本申请公开了一种测试元件组及测试方法，通过将设计于存储器中的位线感测放大器的电路结构复制到测试元件组中，并将每一位线感测放大器中用于连接位线和参考位线的端子分别作为测试端的同时，将用于连接位线的端子合并起来连接到一电压输入线，将用于连接参考位线的端子合并起来连接到另一电压输入线，从而通过向两条电压输入线同时输入电源电压或接地电压，以选择性测量各个位线感测放大器在两种输入情况下的电流。由于位线感测放大器是影响存储器读写速度的主要电路，因此测量的电流分布可以反映存储器的局部差异数据，由这些局部差异数据可以对半导体存储器器件的读写速度进行评估。
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公开(公告)号：CN115050403A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110255576.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G11C11/4074
Abstract: 本发明公开了一种电源控制装置及其控制方法，包括：第一延时模块、第二延时模块、与非门、第一非门至第三非门、输入端和输出端；输入端通过第一非门与第一延时模块的输入和第二延时模块的输入电连接；第一延时模块的输出与与非门的一个输入电连接，第二延时模块的输出通过第二非门与与非门的另一个输入电连接；与非门的输出通过第三非门与输出端电连接；输入端用于与存储器的刷新控制端电连接，输出端用于与存储器的电源装置电连接，以控制电源装置的启动与关闭。在刷新控制端与电源装置之间通过增设电源控制装置，以在自刷新动作周期内，只有一部分时间内电源装置提供电源，在实际不执行自刷新动作的另一部分时间内电源装置关闭，减少电流消耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114975227A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110195646.X
申请日：2021-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种浅沟槽隔离方法以及浅沟槽隔离结构，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有存储单元阵列区以及外围电路控制区，所述存储单元阵列区形成有第一浅沟槽，所述外围电路控制区形成有第二浅沟槽；在所述第一浅沟槽内以及所述第二浅沟槽内形成厚度不同的氧化物层，其中，所述第一浅沟槽内的氧化物层厚度小于所述第二浅沟槽内的氧化物层厚度；在所述第二浅沟槽内填充介电层。上述方案，通过在存储单元阵列区以及外围电路控制区的浅沟槽内形成厚度不同的氧化物层，在后续的离子注入过程中，能够有效防止掺杂物进入外围电路控制区，确保了外围电路控制区的特性，从而保证了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN114883327A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110161345.5
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种DRAM及其制造方法。包括半导体衬底；所述半导体衬底包括本体和突起结构；所述本体具有有源区；所述突起结构形成在所述有源区上，且构成为导电体；存储节点接触部，形成在所述突起结构上；着陆焊盘，形成在所述存储节点接触部的上方，且所述着陆焊盘的底部与所述存储节点接触部电连接。本申请实施例通过设置突起结构，使得突起结构和存储节点接触部之间的电连接更加的紧密，避免两者无法连接或者部分连接导致的接触不良。
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公开(公告)号：CN114792625A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110122127.0
申请日：2021-01-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其处理方法，涉及半导体结构制备技术领域，以解决由于半导体图案的深宽比增加，在湿法清洗时，具有大深宽比的图案会发生塌陷或者倾斜的现象。一种半导体结构，包括基底以及形成于所述基底上的图案化结构。一种半导体结构的处理方法包括：提供衬底；使用第一工艺气体对所述基底上的图案化结构进行等离子体处理，使得所述基底上的图案化结构的亲水性降低；对所述进行等离子体处理后的基底上的图案化结构进行湿法清洗。本发明提供的半导体结构的处理方法用于制备半导体结构。
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公开(公告)号：CN114743954A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110019371.4
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/64 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种电容结构、DRAM及其制造方法。一种电容结构，所述电容为圆筒形结构，包括下电极和上电极，以及隔离所述下电极和所述上电极的电容介质膜；所述下电极和所述上电极中的至少一个包括等离子处理的金属氮化物层，且所述等离子处理的金属氮化物层位于与所述介质膜接触的一侧等离子处理。本发明能改善电极的光滑度、降低电极拉应力，有效降低电容的漏电问题，适宜更微型化尺寸的器件制作。
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公开(公告)号：CN114733857A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110018476.8
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B08B9/027
Abstract: 本发明公开一种真空管线清洁系统及方法，涉及半导体制造技术领域，以在减少维护成本的同时，降低等离子清洁真空管线对工艺腔正常工作的干扰。所述该真空管线清洁系统包括：至少一台远程等离子清洗设备、至少一个真空管线和至少一个工艺腔。每条真空管线与相应工艺腔连通，每台远程等离子清洗设备位于相应工艺腔的外部，每台远程等离子清洗设备与相应真空管线连通。所述真空管线清洁方法应用上述真空管线清洁系统。本发明提供的真空管线清洁方法用于清洁真空管线。
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