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公开(公告)号：CN115220516A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110410314.9
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种电压基准电路、元器件及设备，通过将第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极与电源端连接；电容的一端、第一PMOS管的栅极和漏极、第二PMOS管的栅极，以及第二NMOS管的漏极相互连接；第二PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极和栅极，以及第二NMOS管的栅极相互连接；第三NMOS管的源极、第二电阻一端，以及第一NMOS管的栅极相互连接作为电压基准电路输出端；第二电阻的另一端与第一NMOS管的漏极连接；第二NMOS管的源极与第一电阻的一端连接；电容的另一端、第一电阻的另一端及第一NMOS管的源极接地。
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公开(公告)号：CN112398080B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202011127238.2
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明属于过流保护技术领域，公开了一种过流保护装置，包括：电流源、带隙结构电路、采样电路以及输出电路；带隙结构电路包括：第六、第七MOS管、第一、第二三极管、第一、第二以及第三电阻；第六、第七MOS管的源极分别连接VDD，第六、第七MOS管的栅极相连并连接电流源，第六MOS管的漏极连接第一三极管的集电极，第七MOS管的漏极通过第二电阻连接第二三极管的集电极；第一三极管的基极与集电极相连，第一三极管的发射极通过第一电阻接地，第二三极管的基极与第一三极管的基极相连，第二三极管的发射极通过第三电阻接地；采样电路与第二三极管的发射极相连；输出电路与第二三极管的集电极相连。本发明提供的过流保护装置具备低温漂，高精度的特性。
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公开(公告)号：CN113224167B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110461719.5
申请日：2021-04-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，用于解决基于SOI平台的MOSFET器件由于埋氧层中易产生大量辐射诱发的陷阱俘获电荷，从而影响前端MOSFET的性能的问题。所述半导体器件包括：SOI衬底；自下而上层叠形成在SOI衬底上的电荷俘获结构以及第一半导体层，电荷俘获结构为介质层叠层结构；以及形成在SOI衬底的第二半导体层上的体接触电极，当体接触电极被施加电压时，电荷俘获结构用于俘获第一半导体层的电荷，以形成第一电场，第一电场用于中和电荷俘获结构由于辐射效应产生的第二电场。所述半导体器件制造方法用于制造包括上述技术方案所提的半导体器件。
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公开(公告)号：CN115112966A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110308165.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种辐射效应测试方法及系统，用于对待测电压源模块的辐射效应进行测试，包括：待测电压源模块处于未被辐射源模块辐射的状态时，待测电压源模块输出的第一输出电压为模数转换模块提供第一参考电压信号，模数转换模块采集固定模拟信号并将固定模拟信号转换成第一数字信号；待测电压源模块处于被辐射源模块辐射的状态时，待测电压源模块输出的第二输出电压为模数转换模块提供第二参考电压信号，模数转换模块采集固定模拟信号并将固定模拟信号转换成第二数字信号；根据第一数字信号和第二数字信号得到第二输出电压与第一输出电压的电压差，以获得待测电压源模块的辐射效应。本方法能够捕捉到辐射效应下电压源的微小输出变化。
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公开(公告)号：CN114813662A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110123995.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种二次谐波测量方法及测量仪器，方法包括：获取入射激光束以第一入射角度照射在待测样品上形成的第一光斑面积；根据所述第一光斑面积和第一光学参数，获取标准光学功率密度；获取所述入射激光束以第二入射角度照射在所述待测样品上形成的第二光斑面积；根据所述标准光学功率密度和所述第二光斑面积，获取目标光学参数；获取在所述第二入射角度和所述目标光学参数条件下的单位光斑面积二次谐波强度。可以提高测试精度，减小测试误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112860002B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110093412.4
申请日：2021-01-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种瞬时响应线性稳压器，属于集成电路设计技术领域，解决了现有技术中线性稳压器功耗高、输出端电压稳定性差和响应不及时的问题。稳压器包括误差放大器、功率开关管、电压调节电路、瞬时响应电路和稳定环路；误差放大器，用于对接收的基准电压和采样电压的差值进行增益放大，得到增益放大后的差值电压；以及，用于根据接收的采样电压的变化输出反馈电压至瞬时响应电路；功率开关管，用于根据增益放大后的差值电压调节负载电流，根据负载电流输出线性稳压器的输出电压；瞬时响应电路，根据反馈电压和采样电压控制瞬时响应电路是否与功率开关管形成充放电回路，以使功率开关管的负载电流瞬时响应线性稳压器的输出电压的变化。
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公开(公告)号：CN114531145A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210031220.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K19/003 , H03K3/356
Abstract: 本发明公开了一种新型单粒子加固触发器电路，包括：相互串联的主级锁存器以及从级锁存器，主级锁存器和/或从级锁存器的反馈环中设置有至少一个延迟元件；延迟元件用于在所处的锁存器的数据保持阶段，当该锁存器反馈环的第一节点受单粒子入射影响时，保持反馈环第二节点的电平不变，待电离辐射结束后恢复受单粒子入射影响的第一节点的电平。本申请通过简单的结构改进，提供了一种生产成本低、占用面积小且具有较好的抗单粒子翻转特性的触发器电路。
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公开(公告)号：CN114531144A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210031159.4
申请日：2022-01-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K19/003 , H03K3/356
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转锁存器电路，包括第一反相器、第一门控反相器、第二门控反相器及第一延迟元件。本发明的第一延迟元件连接在锁存器反馈环路中的第一反相器所在支路，锁存器进入数据传递阶段时，第一延迟元件失效，不会增加负载，不会降低数据传递速度；锁存器进入数据保持阶段时，第一延迟元件有效，基于第一延迟元件的负载延迟特性避免错误电平的锁存从而实现单粒子免疫。
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公开(公告)号：CN114356736A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111666794.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F11/34
Abstract: 本发明公开了一种存储器的仿真验证方法和装置，仿真验证方法包括：获取存储器关键路径的仿真存储点，其中，所述关键路径为所述存储器与存取端口之间的最远路径；验证所述存储器的读写功能是否正确；若是，则提取所述仿真存储点的时序参数进行仿真验证，其中，所述时序参数由所述仿真存储点验证读写功能的过程中生成。本发明通过验证仿真存储点的读写功能正确后，再提取仿真存储点的时序参数进行仿真验证，保证了读写功能验证正确和时序参数的准确性，可以在特征化参数仿真的同时验证读写功能，应用于存储编译器设计中，可以大大减少仿真验证的工作量，有效提高了存储编译器的设计效率。
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公开(公告)号：CN110111833B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910263759.1
申请日：2019-04-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种存储器验证电路以及验证方法，所述验证电路包括块译码器和两个以上存储模块，每个存储模块包括行译码器、列译码器以及存储阵列，每个存储阵列包括呈阵列排布的存储单元，属于相同存储阵列的存储单元相同，属于不同存储阵列的存储单元不同；块译码器用于对块地址信号进行译码，以选通一个存储模块中的行译码器和列译码器；行译码器用于对行地址信号进行译码，以选通所述行译码器所在存储模块中的存储阵列的一行存储单元；列译码器用于对列地址信号进行译码，以选通所述列译码器所在存储模块中的存储阵列的一列存储单元。本发明提供的存储器验证电路和验证方法，能够提高存储器验证的验证效率、降低存储器验证的验证成本。
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