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公开(公告)号：CN115208366A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110389386.X
申请日：2021-04-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K7/02
Abstract: 本申请提供一种PAM4‑DB信号处理方法及系统，获得PAM4‑DB信号，PAM4‑DB信号是对PAM4信号编码得到，且编码过程中消除PAM4信号的码元相关性；将PAM4‑DB信号分流至多个比较电路，PAM4‑DB信号分别经过每个比较电路处理，以得到第一逻辑电平信号；利用异或电路对所有第一逻辑电平信号中的部分第一逻辑电平信号分别进行异或处理，并利用反相电路对进行异或处理后的第一逻辑电平信号和没有进行异或处理的第一逻辑电平信号进行电平反相处理，得到第二逻辑电平信号；利用加法电路对所有第二逻辑电平信号进行相加处理，得到PAM4信号，实现利用简单电路对PAM4‑DB信号的解码，简化解码过程。
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公开(公告)号：CN114792081A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110109527.8
申请日：2021-01-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 西安电子科技大学
IPC: G06F30/373
Abstract: 本发明涉及一种适用于划片后分立器件的提参建模方法，包括：将左侧焊盘、划片后的待测器件和右侧焊盘通过金丝键合方式连接成GSG在片测试结构；测量得到由左、右侧焊盘引起的左、右两侧补偿网络的容性补偿参数；基于左、右侧焊盘分别与待测器件之间的直通距离分别确定由金丝键合的金丝线引起的左、右两侧补偿网络的感性补偿参数；根据左、右两侧补偿网络的感性补偿参数和容性补偿参数确定左、右两侧补偿网络的S参数；将左、右两侧补偿网络的S参数分别添加至矢量网络分析仪的测试校准补偿数据的输入和输出端，以去除GSG在片测试结构布线影响。本发明可以快速有效的获得精确的大信号模型，规避了器件工艺的片间不均匀所带来的模型变动。
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公开(公告)号：CN113437942A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110851718.1
申请日：2021-07-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种宽带功分器和宽带功率放大器，属于通信技术领域，尤其涉及，解决了现有功分器带宽较窄造成的工作效率较差，以及面积较大造成的成本消耗问题的问题。宽带功分器包括第一电容器连接在所述宽带功分器的输入端口和第一输出端口之间；第二电容器与所述第一电容器并联，并连接在所述宽带功分器的输入端口和第二输出端口之间；第一电感器，连接在所述宽带功分器的输入端口和第一电源电压之间；以及第二电感器和所述隔离电阻器，并联连接，并且连接所述第一输出端口和所述第二输出端口之间。实现了减少了电感器的数量，进而减小了功分器的面积，有效拓展了功分器的带宽。
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公开(公告)号：CN113271067A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110614139.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明提供了一种基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备，在该Doherty功率放大器中，无需单独设计输入匹配电路、输出匹配电路以及开路补偿线，简化了Doherty功率放大器的结构；并且，通过优化Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压，以调整所述Peak功放输出饱和功率时对应的最优负载阻抗，进而缓解所述Peak功放的输出失配；并且Carrier功放路的第一漏极偏置电压端的电压与Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压不同，可以拓展Doherty功率放大器的功率回退量；进而提高Doherty功率放大器的性能。
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公开(公告)号：CN102479732B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010574009.5
申请日：2010-11-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/335 , G01B7/02
Abstract: 本发明公开了一种监控栅槽刻蚀的方法，包括：在制备实际凹栅槽器件的同时，制备至少两个源/漏区结构参数相同的参考凹栅槽器件，至少有两个参考凹栅槽器件的栅长尺寸位于实际凹栅槽器件栅长尺寸的两侧；测试获得至少两个参考凹栅槽器件的转移特性；通过至少两个参考凹栅槽器件的转移特性，判断实际凹栅槽器件的栅槽刻蚀情况。通过本发明提供的方法，能可靠地获得实际凹栅槽器件的是否进行了有效刻蚀，并且本次刻蚀的结果可以作为下次刻蚀的依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103117221A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110364028.X
申请日：2011-11-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明实施例公开了一种可用于Ka波段或更高频段的HEMT器件及其制造方法，该方法包括：提供包括衬底、缓冲层、外延层、帽层、源极、漏极和钝化层的基底；在基底表面内形成穿过钝化层、帽层并深入到外延层表面内的栅槽；在栅槽底面上形成T型栅，T型栅的栅脚边缘与栅槽侧壁具有一定间距，栅帽下表面高于钝化层上表面且与钝化层上表面具有一定间距。本发明实施例中由于T型栅的栅脚和栅帽均未与钝化层的介质直接接触，而是保留了一定间隔，从而在根本上降低甚至消除了栅与介质之间产生的寄生电容，减小了器件的栅源电容和栅漏电容，增大了器件的截止频率和最高振荡频率，使器件可工作于Ka波段及其以上频段，提高了器件的功率特性。
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公开(公告)号：CN102315123B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010227180.9
申请日：2010-07-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。本发明通过增大ICP等离子体刻蚀机反应腔体内的等离子体分布体积，降低等离子体密度，缩短等离子体加速距离，达到消除GaN外延片厚度对栅槽刻蚀的影响，降低GaNHEMT栅槽刻蚀过程中的等离子体轰击损伤，提高器件直流和高频特性。
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公开(公告)号：CN102074489B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910238767.7
申请日：2009-11-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下FET的Cgd(Vsg，Vdg)曲线，最后通过相对电压的计算得到Vds的电压，获得Cgd(Vgs，Vds)曲线。利用本发明，多偏置下FET的Cgd(Vgs，Vds)测量对FET的工艺改善和物理特性研究及器件模型的建立都起到很大的作用。
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公开(公告)号：CN102315123A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010227180.9
申请日：2010-07-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。本发明通过增大ICP等离子体刻蚀机反应腔体内的等离子体分布体积，降低等离子体密度，缩短等离子体加速距离，达到消除GaN外延片厚度对栅槽刻蚀的影响，降低GaNHEMT栅槽刻蚀过程中的等离子体轰击损伤，提高器件直流和高频特性。
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公开(公告)号：CN101383268B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710121502.X
申请日：2007-09-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束对准标记的制作方法，包括：A、对衬底材料进行光刻，同时形成电子束对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B、对衬底材料进行光刻，在电子束对准标记周围形成方形标记区域；C、对衬底材料进行表面刻蚀；D、腐蚀电子束对准标记处的掩膜金属，形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法。利用本发明，有效避免了高温退火中容易发生形貌变化的金属对准标记，利用衬底材料的高度差作为对准标记；同时解决了多步光刻形成电子束标记图形和源漏图形引入的机械误差和人为误差，避免了电子束光刻过程中出现的对准偏差。
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