公开(公告)号：CN102109570A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200910312391.X

申请日：2009-12-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 蒲颜 ,  王亮 ,  袁婷婷 ,  欧阳思华 ,  刘新宇

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法，属于集成电路测量技术领域。所述测量方法是采用LCR表和一个电源进行测量，在场效应晶体管(FET)半导体器件的栅端口和漏端口加电压对器件的Cgs进行测量，采用LCR表内置电源提供Vgs端口电压的自动扫描，采用一个外接电源提供Vdg端口的电压，手动调节电压对Vdg端口进行扫描，最后通过公式Vds＝Vdg+Vgs来计算相对电压，获得多偏置点下栅源电容Cgs(Vgs，Vds)数值曲线。本发明易于实现，精度高，其测量方法能够描述界面态和表面态等界面特性，还能获得器件的基本物理参数；是FET半导体器件建模中必不可少的环节，进而描述器件的交流特性，完成非线性特性的仿真。

公开(公告)号：CN102074489A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910238767.7

申请日：2009-11-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王亮 ,  蒲颜 ,  袁婷婷 ,  欧阳思华 ,  庞磊 ,  刘果果 ,  魏珂 ,  刘新宇

IPC: H01L21/66 ,  G01R27/26

Abstract: 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下FET的Cgd(Vsg，Vdg)曲线，最后通过相对电压的计算得到Vds的电压，获得Cgd(Vgs，Vds)曲线。利用本发明，多偏置下FET的Cgd(Vgs，Vds)测量对FET的工艺改善和物理特性研究及器件模型的建立都起到很大的作用。

公开(公告)号：CN102074489B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200910238767.7

申请日：2009-11-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王亮 ,  蒲颜 ,  袁婷婷 ,  欧阳思华 ,  庞磊 ,  刘果果 ,  魏珂 ,  刘新宇

IPC: H01L21/66 ,  G01R27/26

Abstract: 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下FET的Cgd(Vsg，Vdg)曲线，最后通过相对电压的计算得到Vds的电压，获得Cgd(Vgs，Vds)曲线。利用本发明，多偏置下FET的Cgd(Vgs，Vds)测量对FET的工艺改善和物理特性研究及器件模型的建立都起到很大的作用。

公开(公告)号：CN102109570B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN200910312391.X

申请日：2009-12-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 蒲颜 ,  王亮 ,  袁婷婷 ,  欧阳思华 ,  刘新宇

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法，属于集成电路测量技术领域。所述测量方法是采用LCR表和一个电源进行测量，在场效应晶体管(FET)半导体器件的栅端口和漏端口加电压对器件的Cgs进行测量，采用LCR表内置电源提供Vgs端口电压的自动扫描，采用一个外接电源提供Vdg端口的电压，手动调节电压对Vdg端口进行扫描，最后通过公式Vds＝Vdg+Vgs来计算相对电压，获得多偏置点下栅源电容Cgs(Vgs，Vds)数值曲线。本发明易于实现，精度高，其测量方法能够描述界面态和表面态等界面特性，还能获得器件的基本物理参数；是FET半导体器件建模中必不可少的环节，进而描述器件的交流特性，完成非线性特性的仿真。