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公开(公告)号：CN102735665B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210209958.2
申请日：2012-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种测量肖特基势垒高度的装置及方法，包括：光源、光斩波器、第一透镜、待测样品、第一源表、第二透镜、单色仪、探测器、锁相放大器、第二源表和计算机，该计算机控制单色仪、第一源表和第二源表，实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫描，从得到的肖特基势垒区域选定波长下的光荧光强度与偏置电压变化曲线中确定肖特基势垒高度数值。利用本发明，由于肖特基势垒高度是从测量的光荧光强度随偏置电压的变化特性中得到的，避免了器件边沿并联电阻漏电效应对肖特基势垒高度测量的影响，具有测量精度高、一致性好、非破坏性等优点。
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公开(公告)号：CN103077964A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310020078.5
申请日：2013-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法，该材料结构包括：衬底(1)；生长在该衬底(1)上的缓冲层(2)；生长在该缓冲层(2)上的n-GaN薄膜层(3)；生长在该n-GaN薄膜层(3)上的p-GaN薄膜层(4)；以及生长在该p-GaN薄膜层(4)上的重掺杂p-GaN薄膜层(5)。本发明是在p-GaN薄膜与金属之间插入一层很薄的具有大量缺陷的重掺杂p-GaN层，通过低温生长或者离子注入等方法使得重掺杂p-GaN层内拥有大量的缺陷能级，使得载流子可以通过变程跳跃或者缺陷能级辅助完成载流子输运，进而可以降低其与接触金属的比接触电阻率，改善p-GaN薄膜的欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN102735665A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210209958.2
申请日：2012-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种测量肖特基势垒高度的装置及方法，包括：光源、光斩波器、第一透镜、待测样品、第一源表、第二透镜、单色仪、探测器、锁相放大器、第二源表和计算机，该计算机控制单色仪、第一源表和第二源表，实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫描，从得到的肖特基势垒区域选定波长下的光荧光强度与偏置电压变化曲线中确定肖特基势垒高度数值。利用本发明，由于肖特基势垒高度是从测量的光荧光强度随偏置电压的变化特性中得到的，避免了器件边沿并联电阻漏电效应对肖特基势垒高度测量的影响，具有测量精度高、一致性好、非破坏性等优点。
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公开(公告)号：CN101267088A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710064385.8
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 一种氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一绝缘衬底；步骤2：在该绝缘衬底上的一侧利用化学腐蚀或干法刻蚀的方法将部分区域刻蚀到一深度形成台面结构；步骤3：用光刻的方法在该绝缘衬底上和形成的台面结构上形成激光器倒装用的电极图形，并用蒸发的方法及剥离技术在电极图形区域形成金属层；步骤4：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤5：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。
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公开(公告)号：CN119050173A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411227978.1
申请日：2024-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种氮化铝真空探测器，可应用于半导体技术领域，包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上沿第一方向依次叠置的氮化铝缓冲层、氮化铝外延层和n型铝镓氮层；氮化铝层、二氧化硅绝缘膜和第一金属接触层，沿第二方向并列设置于n型铝镓氮层远离蓝宝石衬底的一侧，其中第二方向垂直于第一方向；金属铂透明电极，设置于氮化铝层远离蓝宝石衬底的一侧；以及第二金属接触层，设置于金属铂透明电极远离蓝宝石衬底的一侧。通过选用金属铂（Pt）作为透明电极以提高对真空波段的光透过率，提高器件性能。本发明还提供了一种氮化铝真空探测器的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117976767A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410120674.9
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/105
Abstract: 本公开提供了一种氮化镓雪崩探测器的制备方法和氮化镓雪崩探测器，可以应用于半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上依次生长i‑GaN缓冲层、i‑GaN模板层和n‑GaN层；控制TMGa的流量值由第一预设流量值降低到第二预设流量值，在TMGa的流量值为第二预设流量值的情况下，在n‑GaN层上生长i‑GaN层；控制TMGa的流量值由第二预设流量值恢复到第一预设流量值，在TMGa的流量值为第一预设流量值的情况下，在i‑GaN层上生长p‑GaN层，得到氮化镓雪崩探测器外延片；以及对氮化镓雪崩探测器外延片进行刻蚀和蒸镀，制备氮化镓雪崩探测器。
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公开(公告)号：CN117937245A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410095461.5
申请日：2024-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器及其制备方法，氮化镓基激光器包括：衬底；衬底的一侧依次层叠形成有缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层、复合p型GaN层和欧姆接触层；P型电极形成于欧姆接触层上；N型电极形成于衬底的另一侧；复合p型GaN层包括层叠设置的第一p型GaN层和第二p型GaN层，第一p型GaN层于第一预设温度下形成，第二p型GaN层于第二预设温度下形成，第一预设温度小于第二预设温度。本发明的氮化镓基激光器，有效降低了生长过程中对量子阱结构的热退化作用，同时有效保障p型GaN材料的高质量，进而提升了氮化镓基激光器的光电性能。
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公开(公告)号：CN117013361A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310898674.7
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于P型氮化镓的欧姆接触生成方法及半导体器件，涉及半导体技术领域，其中方法包括：在衬底上制备外延结构，外延结构包括以下至少一项：氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、第一掺镁P型氮化镓层及第二掺镁P型氮化镓层；对氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、第一掺镁P型氮化镓层及第二掺镁P型氮化镓层进行光刻、蒸镀金属、剥离、退火处理，生成P型氮化镓欧姆接触。上述方法中，通过控制第二掺镁P型氮化镓层中的碳杂质浓度，可有效降低比接触电阻率，从而降低了P型氮化镓结构的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN116565694A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210104087.1
申请日：2022-01-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本公开提供了一种InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法和应用。该InGaN/GaN量子阱结构的制备方法包括：生长GaN垒层；在GaN垒层上生长一个或多个周期的InGaN量子阱层/GaN垒层的交替结构；其中，在一个或多个周期的InGaN量子阱层/GaN垒层的交替结构的生长间隙中，通入含氢气的反应气体并维持预设时长，以及在经过氢气处理的InGaN量子阱层上继续生长GaN垒层，以获得InGaN/GaN量子阱结构。
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公开(公告)号：CN115864136A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111401393.3
申请日：2021-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种紫外激光器外延片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：在非掺杂基础层上制备非掺杂过渡层，其中，非掺杂基础层包括非掺杂GaN基础层或非掺杂AlN基础层；在非掺杂过渡层上制备第一AlGaN限制层；在第一AlGaN限制层上制备第一波导层；在第一波导层上制备量子阱发光层，其中，量子阱发光层的发光波长范围包括300nm～390nm；在量子阱发光层上制备第二波导层；其中，在非掺杂基础层为非掺杂GaN基础层的情况下，非掺杂过渡层为非掺杂AlN过渡层，在非掺杂基础层为非掺杂AlN基础层的情况下，非掺杂过渡层为非掺杂GaN过渡层。
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